СТРУКТУРА - Отделение физики твердого тела

В 1934 г. по предложению академика С.И. Вавилова в Физическом институте АН СССР была организована Лаборатория физики диэлектриков под руководством Б.М. Вула, преобразованная позднее в Лабораторию физики полупроводников, на базе которой к началу 90-х годов было сформировано Отделение физики твердого тела. Сотрудники Лаборатории (впоследствии Отделения) внесли существенный вклад в создание полупроводниковых лазеров, плоскостных диодов и транзисторов, солнечных батарей, перестраиваемых лазеров дальнего ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников, а также других полупроводниковых приборов и устройств. Были обнаружены и исследованы сегнетоэлектрические свойства титаната бария, конденсация экситонов в электронно-дырочную жидкость, лазерная генерация субмиллиметрового электромагнитного излучения горячими носителями заряда в германии и др. Научные достижения сотрудников отделения неоднократно отмечены Ленинской и Государственной премиями.

Основные направления научных исследований:


  • Теоретические и экспериментальные исследования электронных состояний в полупроводниках и наноструктурах различной размерности; влияние электромагнитного поля на электронные состояния
  • Оптические и транспортные свойства гетеросистем: квантовых ям, нитей и точек; примеси и дефекты в квантово-размерных структурах
  • Межчастичные взаимодействия в квазидвумерных электронных системах высокой плотности
  • Квантовый эффект Холла, квантовые фазовые переходы
  • Неравновесные явления в системах пониженной размерности, неравновесные фононы, кинетика быстропротекающих процессов
  • Эффекты размерного квантования в металлических и аморфных полупроводниковых пленках
  • Квантовые приборы, наноэлектроника, элементы квантового компьютера
  • Лазеры на полупроводниковых гетероструктурах
  • Сверхпроводимость в многослойных структурах диэлектрик-сверхпроводник
  • Физические явления в ионно-модифицированном алмазе и гетероструктурах на его основе
  • Физика сильно локализованных дефектов и примесей (включая d- и f-элементы) в алмазоподобных полупроводниках и низкоразмерных структурах на их основе
  • Природа фазовых переходов и механизм сверхпроводимости в высокотемпературных сверхпроводниках (ВТСП)
  • Оптические и туннельные исследования ВТСП
  • Смешанное состояние и динамика вихревых решеток в сверхпроводниках