Учёные из ФИАН продемонстрировали, как можно сформировать естественную, практически лишённую дефектов ферромагнитно‑упорядоченную границу раздела в слоистом антиферромагнитном кристалле EuSn₂As₂ (так называемом «Eu‑122»).
Исследователи вырастили монокристаллы «Eu‑122» и показали, что образцы, синтезированные при высоких температурах, неизбежно содержат включения побочной фазы, возникающие вследствие переменной валентности атомов олова.
Создание двумерного ферромагнитного слоя на поверхности слоистых антиферромагнетиков позволит объединить преимущества ферромагнетиков с преимуществами антиферромагнетиков, что может привести к прорыву в области высокоскоростной и энергоэффективной спинтроники — в вычислительной технике и устройствах обработки и хранения информации.
Результаты опубликованы в статье Emergence of ferromagnetism from planar defects in EuSn₂As₂ antiferromagnet.
