В Физическом институте им. П. Н. Лебедева РАН (ФИАН) сообщили, что ученые сформировали практически лишенную дефектов границу между ферромагнитным и антиферромагнитным слоями. Результаты исследования опубликованы в журнале Physical Review Materials, пишет ТАСС.
/imgs/2026/11/07/09/7019125/3610a1f9c82eff7aee599bd9002825612fe1b1c2.jpeg)
© Ferra.ru
Такие материалы рассматривают как основу для спинтронных устройств, которые используют не только электрический заряд электронов, но и их спин. Эта технология может применяться в оборудовании для быстрого и энергоэффективного хранения и обработки больших объемов данных.
Новая структура объединяет свойства двух типов магнитных материалов. По словам академика Владимира Пудалова, руководителя Центра высокотемпературной сверхпроводимости и квантовых материалов ФИАН, полученный результат создает возможности для разработки стабильных и быстродействующих устройств с магнитным упорядочением на наноуровне.
