Кунцевич Александр Юрьевич

Кунцевич
Александр Юрьевич

Кандидат физ.-мат. наук,
старший научный сотрудник,
лаб. сильно коррелированных электронных систем
ОФТТ ФИАН,

тел.: +7(499) 132-60-48,
тел.: +7(499) 132-69-92
Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

публикации

Наноэлектроника на чешуечных структурах и термодинамика микро и нано-объектов

В последние годы появился новый способ создания атомно-гладких гетероструктур — путем механического совмещения чешуек (толщиной от одного атомного слоя) графена, BN, MoS2, слюды, WSe2, Bi2Se3, черного фосфора и т.д. Это сильно расширило возможности создания двумерных систем с новыми электронными, оптическими, плазмонными свойствами.

В лаборатории cильно-коррелированных систем ОФТТ ФИАН уже давно изучаются тонкие эффекты в проводимости и термодинамике 2D систем. Появление новых в т.ч. чешуечных объектов исследования, современная нанолитографическая база и установки для прецизионных измерений при криогенных температурах в сильных магнитных полях позволяют нам замахнуться на ряд амбициозных научных задач: создание нанокалориметра для двумерных систем, поиск топологического сверхпроводника, измерение абсолютной энтропии и диамагнетизма Ландау в 2D системе.

В нашу группу требуются студенты с руками и головой, готовые измерять малые сигналы, проектировать электросхемы, паять, программировать, сверлить, создавать наноструктуры, точить на токарном станке, работать на туннельном и электронном микроскопе, читать литературу и делать выступления с докладами, чтобы в итоге получить свой научный результат.

 

Публикации

A.Yu.Kuntsevich, Y.V. Tupikov, I.V. Burmistrov, V.M. Pudalov, Strongly correlated two-dimensional plasma explored from entropy measurements. Nature Communications 6,  7298 (2015).

N. Teneh, A. Yu. Kuntsevich, V. M. Pudalov, and M. Reznikov;Spin-Droplet State of an Interacting 2D Electron System; Phys. Rev. Letters 109, 226403 (2012).

Лего-принцип создания чешуечных гетероструктур

 

Наш «бутерброд» из 
графена и BN 
на поверхности SiO2
21 Тесла 0.3К