Деятельность:
Проведение исследования
Фундаментальные исследования в области физики технологии полупроводниковых соединений AIIIBV (GaAs, InAs, InSb, GaSb).
Исследование процессов выращивания и термической обработки полупроводниковых монокристаллов и пленок.
Анализ влияния температурных, динамических и иных факторов на структуру и комплекс физико-механических свойств полупроводниковых материалов на основе сопоставления экспериментальных результатов, полученных различными материаловедческими методами его исследования.
Разработка технологии получения и высококачественных epi-ready подложек из монокристаллов полупроводниковых соединений AIIIBV и методов аттестации их качества.
Написание научных статей, в том числе в высокорейтинговые журналы, по результатам научных исследований.
Трудовая деятельность:
Анализировать научную и (или) научно-техническую информацию, необходимую для решения отдельных задач исследования
Разрабатывать методики решения отдельных задач исследования
Решать отдельные задачи исследования в качестве ответственного исполнителя
Оценивать степень решения отдельных задач исследования
Исследование процессов выращивания и термической обработки полупроводниковых монокристаллов и пленок.
Анализ влияния температурных, динамических и иных факторов на структуру и комплекс физико-механических свойств полупроводниковых материалов на основе сопоставления экспериментальных результатов, полученных различными материаловедческими методами его исследования.
Обработка и интерпретация полученных результатов.
Иметь в течение срока действия Договора публикационную активность, соответствующую занимаемой должности: не менее 3 работ, опубликованных в научных журналах Белого списка или в журналах из списка ВАК за 5 лет.
Прочие требования к кандидату:
- высшее профессиональное образование по специальности (аспирантура). - Базовые навыки в работе с программами, используемыми для расчётов и анализа научных данных – Exel, Mathcad или аналогичными по возможностям программами. - Опыт работы в области физики и техники полупроводников группы AIIIBV - Опыт работы с измерительным оборудованием: рентгеновские дифрактометры, ИК спектрометры, контактные устройства измерения электрофизических параметров. - Опыт работы с производственным оборудованием: установки по выращиванию монокристаллов, установки механической и химико-механической обработки материала. - Владение английским языком на уровне, достаточном для самостоятельного написания научных статей, ведения переписки и выступления на конференциях, а также общения с зарубежными коллегами. - Число публикаций в рецензируемых научных журналах Белого списка, или в журналах из списка ВАК не менее: 3 шт. за последние пять лет.
УСЛОВИЯ ПРЕМИРОВАНИЯ:
качество выполняемых исследований («уровень» публикации или патентование результата, в том числе за рубежом)
ценность и востребованность результата (высокий объем цитирований, лицензирование прав на результат)
высокая результативность работы (вклад в результативность организации)
