Семинар Отделения физики твердого тела

Семинар Отделения физики твердого тела
Руководитель: Кривобок Владимир Святославович
Секретарь: Кулебякина Евгения Владимировна
Институт: ФИАН
Обычное место,
время проведения:
Колонный зал ФИАН, пятница 11:00
Телефон, e-mail: +7(499)132-63-62, kulebyakinaev@lebedev.ru
28.11.25
Пт 11:00
  1. Высокочувствительный преобразователь магнитного поля на основе спин-туннельных магниторезистивных наноструктур с синтетическим антиферромагнетиком (по материалам кандидатской диссертации) - Дмитрий Вячеславович Васильев (НПК «Технологический центр», Зеленоград)
  2. Место проведения: Колонный зал ФИАН
21.11.25
Пт 11:00
  1. Связанные состояния в континууме как искусственные атомы: гигантское туннельное расщепление и виртуальные резонансы Фано - Николай Михайлович Шубин, В.В.Капаев, А.А.Горбацевич
  2. Защищенные сверхпроводниковые кубиты на базе связанных состояний в континууме в мостовых электрических схемах - Григорий Романович Карабанов, А.А. Горбацевич
  3. Нарушение соответствия объем-поверхность (bulk-boundary correspondence) в моделях Су-Шриффера-Хигера, Райса-Меле и Фу и топологические состояния в полупроводниках IV группы и соединениях AIIIBV - Александр Алексеевич Горбацевич, А.Е. Широков. Сразу же после семинара состоится фуршет в Колонном зале.
  4. Место проведения: Конференц-зал ФИАН
14.11.25
Пт 11:00
  1. Особенности перехода металл–диэлектрик в кремнии, легированном примесью серы (по циклу публикаций) - Иван Михайлович Подлесных (ФИАН, Лаборатория лазерной нанофизики и биомедицины)
  2. Место проведения: Колонный зал ФИАН
31.10.25
Пт 11:00
  1. Сверхизлучение в GaAs/AlGaAs при комнатной температуре: новые результаты - Петр Петрович Васильев (Лаборатория сверхбыстродействующей оптоэлектроники и обработки информации, ФИАН)
  2. Место проведения: Колонный зал ФИАН
24.10.25
Пт 11:00
  1. Управление положением нижних энергетических подзон в структурах GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами - Савинов Сергей Александрович (ФИАН, Лаборатория терагерцовой спектроскопии твердого тела)
  2. Место проведения: Колонный зал ФИАН
17.10.25
Пт 11:00
  1. Зарядочувствительные инфракрасные фототранзисторы на основе двухъямных GaAs структур - Олег Александрович Клименко (ФИАН, Лаборатория терагерцовой спектроскопии твердого тела)
  2. Место проведения: Колонный зал ФИАН
10.10.25
Пт 11:00
  1. 2D-карта поверхностных фонон-поляритонных волн, возбуждаемых на частоте решеточного резонанса (SiC-кристалл, CO2-лазер), полученная с помощью ASNOM - Дмитрий Всеволодович Казанцев (Отдел твердотельная фотоника, ФИАН)
  2. Место проведения: Конференц-зал ФИАН
03.10.25
Пт 11:00
  1. Получение барьерно-диодных структур и их исследования с помощью микроскопии сопротивления растекания тока - Илья Иванович Минаев (ФИАН, Лаборатория новых материалов для ИК фотоники)
  2. Место проведения: Колонный зал ФИАН