Результаты поиска для: Прочие приборы и устройства для биотехнологии и биоинженерии
Лазерный комплекс КЛИН
Лазерный комплекс КЛИН предназначен для исследования режимов генерации лазерного излучения на колебательно-вращательных переходах молекул (CO2, CO, N2O и др.), для изучения возможности создания эффективных лазеров на благородных газах, для исследования процессов при взаимодействии излучения таких лазеров с веществом.
Криогенный щелевой СО лазер с накачкой ВЧ разрядом
Компактный щелевой СО лазер с накачкой поперечным высокочастотным разрядом. Лазер работает на основных (l~5-6 мкм) или обертонных (l~2.5-4 мкм) колебательно-вращательных переходах молекулы СО и может служить для решения как фундаментальных, так и прикладных задач.
Непрерывный промышленный СО лазер ИЛГН-706
Лазер предназначен для использования в качестве источника когерентного ИК излучения в диапазоне 5-6 мкм для решения различных спектроскопических, калибровочных и других прикладных задач.
Фемтосекундная титан-сапфировая лазерная система «Старт»
Источник импульсного лазерного излучения с пиковой мощностью (в основной полосе) десятки гигаватт. Может применяться для изучения взаимодействия лазерного излучения с различными веществами, в том числе и в существенно нелинейных режимах.
Дифрактометры ДРОН-2.0, ДРОН-3.0 и двухкристальный спектрометр ДТС-1.
Ренгенодифракционные исследования ВТСП материалов.
Рентгенодифракционные исследования эпитаксиальных пленок и квантовых ям полупроводниковых материалов.
Автоматизированный гидравлический пресс для нагружения камер давления c электрическими тензодачиками
Автоматизированный гидравлический пресс для нагружения камер давления c электрическими тензодачиками усилия.
Низкотемпературные немагнитные камеры гидростатического давления
Сферические камеры диаметром 14 мм, 23 мм, с фиксированным давлением до 2.5 ГПа для транспортных измерений.
Универсальные измерительные стенды
Стенды для испытания сверхпроводящих материалов и криомагнитных систем
Предназначены для испытаний сверхпроводящих устройств диаметром до 0.9м и высотой до 1.2м, сверхпроводящих материалов в полях до 8Т, при токах до 1кА и ВТСП материалов и устройств с ВТСП элементами на переменном токе до 0.5кА