Уважаемые школьники, студенты и преподаватели!

Продолжается прием заявок на конкурс «Все в курсе», одним из организаторов которого является Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН

(Опубликовано 29.05.23)

День открытых дверей в ФИАН

В Физическом институте им. П.Н. Лебедева РАН пройдет День открытых дверей базовой кафедры №88 НИЯУ МИФИ «Полупроводниковая квантовая электроника и биофотоника».

(Опубликовано 25.05.23)

Премия Померанчука 2023 - в ФИАНе

Премия имени И.Я. Померанчука в 2023 году присуждена ведущему научному сотруднику Лаборатории квантовой теории поля Физического института им. П.Н. Лебедева РАН Аркадию Александровичу Цейтлину.

(Опубликовано 23.05.23)

XX Конференция СКЭС в ФИАН

25 мая 2023 года в Физическом институте им. П.Н. Лебедева РАН пройдёт XX Конференция «Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления».  Информация о научной тематике и программе конференции размещена на сайте http://sces.lebedev.ru

(Опубликовано 15.05.23)

Как наши физики приблизили победу в Великой Отечественной войне

Сотрудники Физического института имени П.Н. Лебедева РАН продолжали вести научные исследования даже в самые трудные годы войны. Эти исследования помогли внести огромный вклад в победу над фашистской Германией в 1945 году.

(Опубликовано 05.05.23)

29.05.23
дата события
В понедельник 29 мая 2023г. в 15:00 состоялось заседание Учёного совета
  1. Спектроскопия SiO и SiO+ в квадрупольной ловушке
    Иван Олегович Антонов (Самарский филиал ФИАН)

  2. Разное

 

Астрофизики Физического института им. П.Н. Лебедева РАН, МФТИ и Крымской астрофизической обсерватории провели исследование топологии магнитного поля релятивистских струй квазаров. Результаты исследования опубликованы в журнале MNRAS.

13.06.23
Вт 11:00
Семинар ТОП ФИАН

Создание лазерного источника для оптической накачки атомарного кислорода в воздухе на базе эксимерного KrCl лазера
Шутов А.В.

Место проведения: Корпус КРФ-2, г. Троицк
15.06.23
Чт 15:00
Семинар Теор. Отдела АКЦ ФИАН

"Ограничение на количество первичных черных дыр по их взаимодействию с пылью" (по материалам кандидатской диссертации),
А.Н. Мелихов

Место проведения: К. 707 в здании ИКИ (ул. Профсоюзная, 84/32)
15.06.23
Чт 16:00
Семинар Отдела оптики низкотемпературной плазмы

Об обратном потоке энергии в фокусе светового пучка (по литературе).
Кузнецов А.А.

Место проведения: Колонный зал ФИАН
16.06.23
Пт 10:00
СЕМИНАР ОТДЕЛЕНИЯ КВАНТОВОЙ РАДИОФИЗИКИ им. Н.Г.БАСОВА

Сетецентрические системы, автономные роботизированные агенты и методы оптоэлектронной обработки информации. обзор литературы (О концепции сетецентрических войн, беспилотных устройствах и актуальных задачах оптоэлектроники)
А.Ю.Быковский

Место проведения: конференц-зал корпуса 1 (КРФ)
19.06.23
Пн 12:00
Семинар по наблюдательной астрофизике ФИАН-МФТИ

Механизм рождения нейтрино в ядрах радиоблазаров
Полина Кивокурцева (ИЯИ)

Место проведения: АКЦ ФИАН комн 701, МФТИ комн 206 ЛК; ZOOM, ID можно узнать у секретаря семинара (di.zobnina@gmail.com)


 

ОТР. Программа «Академики». Николай и Сергей Вавиловы

 

 
28.06.23
дата события
IV Международная молодёжная школа «Инновационные ядерно-физические методы высокотехнологичной медицины»
Москва, c 28 июня по 01 июля 2023 г.
25.05.23
дата события
XX Конференция «Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления»
Москва, 25 мая 2023 г. ФИАН
10.02.23
дата события
Симпозиум «Перспективные бинарные технологии протонной и ионной терапии и диагностики» в рамках VI Всероссийского научно-образовательного конгресса с международным участием «Онкорадиология, лучевая диагностика и терапия»
Москва, 10 февраля 2023 г.
15.11.22
дата события
Школа молодых ученых «Быстропротекающие электровзрывные, электронные и электромагнитные процессы в импульсной электронике и оптоэлектронике» (БПИО-2022)
Москва, с 15 по 17 ноября 2022 г., ФИАН
27.10.22
дата события
III Международная молодёжная школа «Инновационные ядерно-физические методы высокотехнологичной медицины»
Москва, c 27 по 28 октября 2022, ФИАН
24.10.22
дата события
I Международная научная конференция «Инновационные технологии ядерной медицины и лучевой диагностики и терапии»
Москва, с 24 по 26 октября 2022
05.10.22
дата события
Школа Молодых Ученых «Квантовые технологии формирования и широкополосной спектральной идентификации оптически-активных комплексов точечных дефектов в природных алмазах для промышленного трейсинга»
Москва, 05 октября 2022 г., ФИАН
03.10.22
дата события
VI Международная конференция по сверхбыстрой оптической науке «UltrafastLight-2022»
Москва, с 03 по 07 октября 2022
22.08.22
дата события
Международный Феофиловский симпозиум
Москва, c 22 по 27 августа 2022, ФИАН
26.05.22
дата события
XIX Конференция «Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления»
Москва, 26 мая 2022, ФИАН
20.05.22
дата события
II Международная молодёжная школа «Инновационные ядерно-физические методы высокотехнологичной медицины»
Москва, с 20 по 22 мая 2022 г. ФИАН
25.04.22
дата события
Конференция «Вселенная: от большого взрыва до наших дней», посвященная 90-летию академика Н.С. Кардашева
Москва, 25 и 26 апреля 2022, АКЦ ФИАН
14.04.22
дата события
XLVI Вавиловские чтения по люминесценции
Москва, 14 апреля 2022, ФИАН

 



 

Басов Николай Геннадиевич
Николай Геннадиевич Басов родился 14 декабря 1922 г.в деревне Усмань (ныне городе Липецкой области). Его родители — Геннадий Фёдорович Басов и Зинаида Андреевна Молчанова. В 1927 году семья переехала из Усмани в Воронеж.

В 1941 году Н.Г.Басов окончил воронежскую школу № 13, после школы прошел подготовку на ассистента врача в Куйбышевской военной медицинской академии. В 1943 году он ушёл на фронт, служил ассистентом врача на украинском фронте.

После войны Н.Г.Басов поступил в МИФИ, защитил диплом в 1950 году. С 1948 года он лаборант ФИАН, где работал после получения диплома под руководством М.А. Леонтовича и А.М. Прохорова. В 1953 году Н.Г.Басов защитил кандидатскую диссертацию, в 1956 году — докторскую диссертацию «Молекулярный генератор».

С 1958 по 1972 год Н.Г. Басов работал заместителем директора ФИАН, а в 1973 году возглавил институт, проработав в должности директора до 1989 года. В 1963 году он организовал Лабораторию квантовой радиофизики, которую возглавлял до своей смерти. В 1962 году Басов был избран членом-корреспондентом АН СССР, а в 1966 году — академиком АН СССР. Избирался в президиум Академии наук — член президиума АН СССР с 1967 по 1990 год, и президиума РАН с 1991 года.

Работы Басова посвящены квантовой электронике и ее применениям. В 1952 году вместе с А.М.Прохоровым он установил принцип усиления и генерации электромагнитного излучения квантовыми системами. В 1955 году им была предложена трехуровневая схема создания инверсной населенности уровней, нашедшая широкое применение в мазерах и лазерах. Эти работы (а также исследования американского физика Ч.Таунса) легли в основу нового направления в физике — квантовой электроники. За фундаментальную работу в области квантовой электроники, которая привела к созданию лазера и мазера, Н.Г.Басов, А.М. Прохоров и Ч.Таунс в 1964 году получили Нобелевскую премию по физике.

Совместно с Ю.М.Поповым и Б.М.Вулом Н.Г.Басов предложил идею создания различных типов полупроводниковых лазеров. В 1962 была выдвинута идея создания инжекционного лазера, затем были созданы лазеры, возбуждаемые электронным пучком, а в 1964 — полупроводниковые лазеры с оптической накачкой. Н.Г.Басов развивал исследования и по мощным газовым и химическим лазерам. Им были созданы фторводородный, йодный лазеры и эксимерный лазер, а также сумматоры — преобразователи лазерного излучения.

Ряд работ Н.Г.Басова посвящен вопросам распространения и взаимодействия мощных лазерных импульсов с веществом. Ему принадлежит идея использования лазеров для управления термоядерным синтезом (1962 г.), им же предложены методы лазерного нагрева плазмы, а также стимулирования химических реакций лазерным излучением.

Н.Г.Басов разработал физические основы создания квантовых стандартов частоты, выдвинул идеи новых применений лазеров в оптоэлектронике, такие как создание оптических логических элементов, выступал инициатором многих исследований по нелинейной оптике.

Н.Г.Басов был главным редактором журналов «Наука», «Квант», «Квантовая электроника», «Природа», «Journal of soviet laser research», «Краткие сообщения по физике», сборника «Труды Физического института им. П.Н.Лебедева». В 1978—1990 годах Н.Г.Басов являлся председателем правления Всесоюзного просветительского общества «Знание». С 1982 по 1989 год был членом Президиума Верховного Совета СССР.

Заслуги Н.Г.Басова перед отечественной и мировой наукой были отмечены многочисленными наградами. Н.Г.Басов являлся Лауреатом Ленинской премии и Государственной премии СССР, был награжден пятью орденами Ленина, орденом «За заслуги перед Отечеством» II степени, Командорским крестом ордена «За заслуги», Золотой медалью им. М.В.Ломоносова. Дважды ему присуждалось высокое звание Героя социалистического труда.

Н.Г.Басов скончался 1 июля 2001 года. Похоронен на Новодевичьем кладбище в Москве.