RU / EN
Басовские чтения ФИАН-МИФИ. ФИАН, 19 декабря 2019 года.

19 декабря 2019г., в четверг, в 11.00, в конференц-зале Отделения квантовой радиофизики ФИАН состоятся традиционные Басовские чтения ФИАН-МИФИ.

(Опубликовано 06.12.19)

Лекция Кайя Дикмана (Сингапур). Singlet Pathway to the Ground State of Ultracold Polar Molecules.

2 декабря 2019г., в понедельник, в 11.00, в колонном зале ФИАН состоится лекция Кайя Дикмана. Singlet Pathway to the Ground State of Ultracold Polar Molecules (Ультрахолодные полярные молекулы – синглетный путь к основному состоянию)

(Опубликовано 28.11.19)

Молодёжный конкурс научных работ 2019.

Высшая школа физиков имени Н.Г. Басова МИФИ и Отделение квантовой радиофизики ФИАН объявляет о проведении молодёжного конкурса научных работ 2019 года по оптике, лазерной физике и технологиям на их основе. Жюри конкурса заканчивает приём работ 12 декабря 2019 г. в 12.00.

(Опубликовано 22.11.19)

Поздравление с 85-летием ФИАН!

Уважаемые коллеги! От имени Министерства науки и высшего образования Российской Федерации и от себя лично поздравляю вас со знаменательной датой 85-летием со дня основания Физического института им. П.Н. Лебедева Российской академии наук!

(Опубликовано 22.11.19)

Выборы в РАН

Дирекция и все сотрудники ФИАН поздравляют: доктора физико-математических наук, главного научного сотрудника Лаборатории квантового дизайна молекулярных и твердотельных наноструктур Отделения физики твердого тела ФИАН Горбацевича Александра Алексеевича с избранием академиком Российской академии наук, доктора физико-математических наук, заместителя заведующего отделом физической электроники ФИАН Чайковского Станислава Анатольевича с избранием членом-корреспондентом Российской академии наук. Счастья, успехов в работе и новых достижений!

(Опубликовано 15.11.19)



25.11.19
дата события
В понедельник 25 ноября 2019г. в 12:30 состоялось заседание Учёного совета
  1. Роль Научной Школы П.Н. Лебедева в постановке задачи терагерцовой фотоники в России
    А.П. Шкуринов (МГУ), О.Ф. Тихомирова (Политехнический музей, Москва)
  2. ФИАН - родина волоконной оптики в СССР
    И.А. Буфетов (НЦВО РАН), М.М. Бубнов (НЦВО РАН)
  3. Двумерный переход «соразмерная – несоразмерная фаза»: конденсация краудионов в доменные стенки
    Б.В. Андрюшечкин (ИОФРАН), К.Н. Ельцов (ИОФРАН)
  4. Физика лазерного термоядерного синтеза и высоких плотностей энергии в Физическом институте им. П.Н. Лебедева РАН
    С.Ю.Гуськов (ФИАН)

20.01.20
дата защиты
Влияние резервуара энергии на распространение фемтосекундных лазерных импульсов в режиме филаментации вблизи геометрического фокуса
Абляционное формирование коллоидных растворов наночастиц металлов и полупроводников в жидкостях ультракороткими лазерными импульсами ближнего ИК-диапазона варьируемой длительности
03.02.20
дата защиты
Развитие метода раздельного измерения характеристик длиннопробежных и короткопробежных частиц космического излучения твердотельными трековыми детекторами
Спектрометр научной аппаратуры ГРИС по исследованию с борта РС МКС рентгеновского и гамма-излучения солнечных вспышек
10.12.19
Вт 11:00
Семинар ТОП ФИАН

"По работам Лаборатории лазеров с катодно-лучевой накачкой».
Козловский В. И,

10.12.19
Вт 11:00
Семинар Отделения ядерной физики и астрофизики

Особенности образования нейтральных мезонов в столкновениях ядер меди и золота при энергии 200 ГэВ (по материалам кандидатской диссертации)
С.В. Жарко (ФГАОУ ВО "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого")

Рождение легких нейтральных мезонов в U+U взаимодействиях при энергии 192 ГэВ (по материалам кандидатской диссертации)
П.В. Радзевич (ФГАОУ ВО "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого")

10.12.19
Вт 17:15
Семинар Лаборатории математического моделирования сложных систем ОТФ

Автоматическая коррекция и извлечение информации из неструктурированных текстов на естественном языке
В.А. Нечитайло (ФИАН)

11.12.19
Ср 16:40
Аспирантский семинар по оптике

"Нелинейные процессы при распространении фемтосекундных лазерных импульсов"
д.ф.-м.н. Л.В.Селезнев

12.12.19
Чт 14:00
Семинар Сектора теории плазменных явлений

Аналитическое решение задачи о колебаниях в слое электронного газа под воздействием внешнего электрического поля.
Надежда Михайловна Гордеева

Басов Николай Геннадиевич
Николай Геннадиевич Басов родился 14 декабря 1922 г.в деревне Усмань (ныне городе Липецкой области). Его родители — Геннадий Фёдорович Басов и Зинаида Андреевна Молчанова. В 1927 году семья переехала из Усмани в Воронеж.

В 1941 году Н.Г.Басов окончил воронежскую школу № 13, после школы прошел подготовку на ассистента врача в Куйбышевской военной медицинской академии. В 1943 году он ушёл на фронт, служил ассистентом врача на украинском фронте.

После войны Н.Г.Басов поступил в МИФИ, защитил диплом в 1950 году. С 1948 года он лаборант ФИАН, где работал после получения диплома под руководством М.А. Леонтовича и А.М. Прохорова. В 1953 году Н.Г.Басов защитил кандидатскую диссертацию, в 1956 году — докторскую диссертацию «Молекулярный генератор».

С 1958 по 1972 год Н.Г. Басов работал заместителем директора ФИАН, а в 1973 году возглавил институт, проработав в должности директора до 1989 года. В 1963 году он организовал Лабораторию квантовой радиофизики, которую возглавлял до своей смерти. В 1962 году Басов был избран членом-корреспондентом АН СССР, а в 1966 году — академиком АН СССР. Избирался в президиум Академии наук — член президиума АН СССР с 1967 по 1990 год, и президиума РАН с 1991 года.

Работы Басова посвящены квантовой электронике и ее применениям. В 1952 году вместе с А.М.Прохоровым он установил принцип усиления и генерации электромагнитного излучения квантовыми системами. В 1955 году им была предложена трехуровневая схема создания инверсной населенности уровней, нашедшая широкое применение в мазерах и лазерах. Эти работы (а также исследования американского физика Ч.Таунса) легли в основу нового направления в физике — квантовой электроники. За фундаментальную работу в области квантовой электроники, которая привела к созданию лазера и мазера, Н.Г.Басов, А.М. Прохоров и Ч.Таунс в 1964 году получили Нобелевскую премию по физике.

Совместно с Ю.М.Поповым и Б.М.Вулом Н.Г.Басов предложил идею создания различных типов полупроводниковых лазеров. В 1962 была выдвинута идея создания инжекционного лазера, затем были созданы лазеры, возбуждаемые электронным пучком, а в 1964 — полупроводниковые лазеры с оптической накачкой. Н.Г.Басов развивал исследования и по мощным газовым и химическим лазерам. Им были созданы фторводородный, йодный лазеры и эксимерный лазер, а также сумматоры — преобразователи лазерного излучения.

Ряд работ Н.Г.Басова посвящен вопросам распространения и взаимодействия мощных лазерных импульсов с веществом. Ему принадлежит идея использования лазеров для управления термоядерным синтезом (1962 г.), им же предложены методы лазерного нагрева плазмы, а также стимулирования химических реакций лазерным излучением.

Н.Г.Басов разработал физические основы создания квантовых стандартов частоты, выдвинул идеи новых применений лазеров в оптоэлектронике, такие как создание оптических логических элементов, выступал инициатором многих исследований по нелинейной оптике.

Н.Г.Басов был главным редактором журналов «Наука», «Квант», «Квантовая электроника», «Природа», «Journal of soviet laser research», «Краткие сообщения по физике», сборника «Труды Физического института им. П.Н.Лебедева». В 1978—1990 годах Н.Г.Басов являлся председателем правления Всесоюзного просветительского общества «Знание». С 1982 по 1989 год был членом Президиума Верховного Совета СССР.

Заслуги Н.Г.Басова перед отечественной и мировой наукой были отмечены многочисленными наградами. Н.Г.Басов являлся Лауреатом Ленинской премии и Государственной премии СССР, был награжден пятью орденами Ленина, орденом «За заслуги перед Отечеством» II степени, Командорским крестом ордена «За заслуги», Золотой медалью им. М.В.Ломоносова. Дважды ему присуждалось высокое звание Героя социалистического труда.

Н.Г.Басов скончался 1 июля 2001 года. Похоронен на Новодевичьем кладбище в Москве.