XIX Конференция «Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления»

26 мая 2022 года в ФИАН (Ленинский пр. 53, Москва) состоится XIX Конференция «Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления».  Информация о научной тематике конференции, составе Программного и Организационного комитетов, программе конференции размещена на сайте конференции:  http://sces.lebedev.ru

(Опубликовано 23.05.22)

23 мая исполняется 95 лет выдающемуся российскому физику, члену-корреспонденту РАН В.И. Ритусу

Владимир Иванович закончил физический факультет МГУ в 1950 году, написав дипломную работу в ФИАН, в лаборатории И.М. Франка. В январе 1951 года поступил в аспирантуру ФИАН. Спустя несколько месяцев прохождение аспирантуры было прервано откомандированием в секретный г. Саров – КБ-11. Ритус был включен в группу И.Е. Тамма и А.Д. Сахарова для выполнения правительственного задания по созданию термоядерного оружия.

(Опубликовано 23.05.22)

ФИАН и фиановцы в годы Великой Отечественной войны

Великая Отечественная война стремительно ворвалась в жизни всех людей, от мала до велика. Не обошла она стороной и ФИАН, сотрудники которого воевали на фронте и трудились в тылу на заводах, стройках и полях страны в 1941–1945 гг. В тяжелейших условиях военного времени в ФИАН не прекращались научные исследования, которые внесли огромный вклад в победу.

(Опубликовано 08.05.22)

Физическому институту им. П.Н. Лебедева РАН – 88 лет

28 апреля 1934 года Постановлением Общего собрания Академии наук СССР был создан Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН (ФИАН) – главный и старейший научно-исследовательский центр России в области физики. Сегодня в день рождения института мы расскажем интересные и малоизвестные факты о ФИАН.

(Опубликовано 28.04.22)

«Вселенная: от большого взрыва до наших дней». Конференция, посвященная 90-летию выдающегося ученого, академика Н.С. Кардашева

25 и 26 апреля 2022 г. в Астрокосмическом центре Физического института имени П.Н. Лебедева Российской академии наук (АКЦ ФИАН) пройдет конференция «Вселенная: от большого взрыва до наших дней», посвященная 90-летию выдающегося ученого, академика Николая Семеновича Кардашева.

(Опубликовано 25.04.22)

23.05.22
дата события
В понедельник 23 мая 2022г. в 15:00 состоялось заседание Учёного совета
  1. Исследование резонанса когерентного пленения населённостей в полихроматическом лазерном поле
    Сергей Александрович Зибров
  2. Протонная радиография
    Александр Александрович Пряничников
  3. Кадры ФИАН в 2021 году
    Олег Викторович Иванов
  4. Финансы ФИАН в 2021 году
    Андрей Владимирович Колобов
  5. Разное
09.06.22
дата защиты
Проверка эйнштейновского принципа эквивалентности с помощью космического аппарата РадиоАстрон
20.06.22
дата защиты
Фазовая модуляция частично поляризованного света в средах с индуцируемым двулучепреломлением
Релятивистски-нелинейное резонансное поглощение и генерация высших гармоник интенсивного лазерного излучения в неоднородной плазме
30.06.22
дата защиты
Тепловое и мазерное свечение межзвездного газа в темных молекулярных облаках
12.09.22
дата защиты
Генерация плазмы высокой степени ионизации в наносекундном искровом разряде в воздухе
Туннелирование и многофотонный резонанс в модели квантового нелинейного осциллятора
19.09.22
дата защиты
Классические конформные блоки и AdS3/CFT2 соответствие
25.05.22
Ср 14:00
Семинар Отделения Оптики

Излучательные процессы при возбуждении импульсной катодолюминесценции широкозонных конденсированных сред в атмосфере воздуха (по материалам кандидатской диссертации)
Пестовский Николай Валерьевич

Место проведения: Малый зал (цокольный этаж главного здания) ФИАН
25.05.22
Ср 16:40
Аспирантский семинар по оптике

Решение нелинейных лазерных уравнений. Ускорение спонтанного излучения из-за флюктуаций населенностей лазерных уровней активной среды.
к.ф.-м.н. И.Е.Проценко

Место проведения: Физический зал
26.05.22
Чт 15:00
Семинар Теор. Отдела АКЦ ФИАН

Определение параметров метрики пространства-времени в окрестности СМЧД при помощи РСДБ наблюдений вспышек в аккреционном диске и их отражений на фотонных кольцах
А.С. Андрианов

Место проведения: К. 707 в здании ИКИ (ул. Профсоюзная, 84/32)
26.05.22
Чт 16:00
Семинар Отдела оптики низкотемпературной плазмы

Исследование процессов люминесценции в активных твердотельных и химически реагирующих газовых средах (по материалам кандидатской диссертации)
В. Миславский

О переходе пламяного шара в горение в водородно-воздушных смесях
Гутьеррес В.Л.А.

Место проведения: Физический зал ФИАН
27.05.22
Пт 10:00
СЕМИНАР ОТДЕЛЕНИЯ КВАНТОВОЙ РАДИОФИЗИКИ им. Н.Г.БАСОВА

Многофотонная ионизация кислорода и других компонентов воздуха излучением KrCl лазера с длиной волны 222 нм
А.В. Шутов

Место проведения: конференц-зал корпуса 1 (КРФ)

20.05.22
дата события
II Международная молодёжная школа «Инновационные ядерно-физические методы высокотехнологичной медицины»
Москва, с 20 по 22 мая 2022 г. ФИАН
23.11.21
дата события
VIII Международный Симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур (КОИПСС 2021)
Москва, с 23 по 25 ноября 2021 г. ФИАН
16.11.19
дата события
Школа молодых ученых «Быстропротекающие электровзрывные, электронные и электромагнитные процессы в импульсной электронике и оптоэлектронике» (БПИО-2021)
Москва, С 16 по 18 ноября 2021 г., ФИАН
04.10.21
дата события
Международная конференция «V International Conference on Ultrafast Optical Science»
Москва, С 4 октября по 8 октября 2021г. в ФИАН
04.10.21
дата события
Школа молодых учёных «Квантовые технологии лазерного формирования и широкополосной спектральной идентификации оптически-активных комплексов точечных дефектов в природных алмазах для промышленного трейсинга»
Москва, С 4 по 7 октября 2021 г., ФИАН
24.11.20
дата события
Школа молодых ученых «Быстропротекающие электровзрывные, электронные и электромагнитные процессы в импульсной электронике и оптоэлектронике» (БПИО-2020)
Москва, С 24 по 26 ноября 2020 г., ФИАН
18.11.19
дата события
VII Международный Симпозиум по когерентному оптическому излучению полупроводниковых соединений и структур. КОИПСС-2019
Москва, С 18 по 20 ноября 2019г. в ФИАН
18.11.19
дата события
Заседание 62-ой Всероссийской научной конференции МФТИ секции ФФПФ проблем квантовой физики, электрофизики, квантовой радиофизики и проблем физики и астрофизики
Москва, 18 ноября 2019г. в ФИАН
12.11.19
дата события
Школа молодых ученых «Быстропротекающие электровзрывные, электронные и электромагнитные процессы в импульсной электронике и оптоэлектронике» (БПИО-2019)
Москва, С 12 по 14 ноября 2019 , в ФИАН

 

 

 

Басов Николай Геннадиевич
Николай Геннадиевич Басов родился 14 декабря 1922 г.в деревне Усмань (ныне городе Липецкой области). Его родители — Геннадий Фёдорович Басов и Зинаида Андреевна Молчанова. В 1927 году семья переехала из Усмани в Воронеж.

В 1941 году Н.Г.Басов окончил воронежскую школу № 13, после школы прошел подготовку на ассистента врача в Куйбышевской военной медицинской академии. В 1943 году он ушёл на фронт, служил ассистентом врача на украинском фронте.

После войны Н.Г.Басов поступил в МИФИ, защитил диплом в 1950 году. С 1948 года он лаборант ФИАН, где работал после получения диплома под руководством М.А. Леонтовича и А.М. Прохорова. В 1953 году Н.Г.Басов защитил кандидатскую диссертацию, в 1956 году — докторскую диссертацию «Молекулярный генератор».

С 1958 по 1972 год Н.Г. Басов работал заместителем директора ФИАН, а в 1973 году возглавил институт, проработав в должности директора до 1989 года. В 1963 году он организовал Лабораторию квантовой радиофизики, которую возглавлял до своей смерти. В 1962 году Басов был избран членом-корреспондентом АН СССР, а в 1966 году — академиком АН СССР. Избирался в президиум Академии наук — член президиума АН СССР с 1967 по 1990 год, и президиума РАН с 1991 года.

Работы Басова посвящены квантовой электронике и ее применениям. В 1952 году вместе с А.М.Прохоровым он установил принцип усиления и генерации электромагнитного излучения квантовыми системами. В 1955 году им была предложена трехуровневая схема создания инверсной населенности уровней, нашедшая широкое применение в мазерах и лазерах. Эти работы (а также исследования американского физика Ч.Таунса) легли в основу нового направления в физике — квантовой электроники. За фундаментальную работу в области квантовой электроники, которая привела к созданию лазера и мазера, Н.Г.Басов, А.М. Прохоров и Ч.Таунс в 1964 году получили Нобелевскую премию по физике.

Совместно с Ю.М.Поповым и Б.М.Вулом Н.Г.Басов предложил идею создания различных типов полупроводниковых лазеров. В 1962 была выдвинута идея создания инжекционного лазера, затем были созданы лазеры, возбуждаемые электронным пучком, а в 1964 — полупроводниковые лазеры с оптической накачкой. Н.Г.Басов развивал исследования и по мощным газовым и химическим лазерам. Им были созданы фторводородный, йодный лазеры и эксимерный лазер, а также сумматоры — преобразователи лазерного излучения.

Ряд работ Н.Г.Басова посвящен вопросам распространения и взаимодействия мощных лазерных импульсов с веществом. Ему принадлежит идея использования лазеров для управления термоядерным синтезом (1962 г.), им же предложены методы лазерного нагрева плазмы, а также стимулирования химических реакций лазерным излучением.

Н.Г.Басов разработал физические основы создания квантовых стандартов частоты, выдвинул идеи новых применений лазеров в оптоэлектронике, такие как создание оптических логических элементов, выступал инициатором многих исследований по нелинейной оптике.

Н.Г.Басов был главным редактором журналов «Наука», «Квант», «Квантовая электроника», «Природа», «Journal of soviet laser research», «Краткие сообщения по физике», сборника «Труды Физического института им. П.Н.Лебедева». В 1978—1990 годах Н.Г.Басов являлся председателем правления Всесоюзного просветительского общества «Знание». С 1982 по 1989 год был членом Президиума Верховного Совета СССР.

Заслуги Н.Г.Басова перед отечественной и мировой наукой были отмечены многочисленными наградами. Н.Г.Басов являлся Лауреатом Ленинской премии и Государственной премии СССР, был награжден пятью орденами Ленина, орденом «За заслуги перед Отечеством» II степени, Командорским крестом ордена «За заслуги», Золотой медалью им. М.В.Ломоносова. Дважды ему присуждалось высокое звание Героя социалистического труда.

Н.Г.Басов скончался 1 июля 2001 года. Похоронен на Новодевичьем кладбище в Москве.