СТРУКТУРА - Лаборатория полупроводниковых лазеров
| Безотосный Виктор Владимирович | Высококвалифицированный ведущий научный сотрудник, канд. физ.-мат. наук | |
| Коромыслов Алексей Леонидович | Высококвалифицированный старший научный сотрудник, канд. физ.-мат. наук | |
| Певцов Валерий Федорович | Высококвалифицированный старший научный сотрудник, канд. физ.-мат. наук | |
| Тупицын Иван Михайлович | Высококвалифицированный младший научный сотрудник | |
| Чешев Евгений Анатольевич | И.о. зав. лабораторией высококвалифицированный ведущий научный сотрудник, кандидат наук, канд. физ.-мат. наук | |
| Лопухин Кирилл Валерьевич | Высококвалифицированный научный сотрудник | |
| Канаев Андрей Юрьевич | Высококвалифицированный старший научный сотрудник | |
| Кумыков Хажмухамед Хажисмелович | Ведущий инженер | |
| Прохорчук Константин Владимирович | Высококвалифицированный младший научный сотрудник | |
| Хафизова Светлана Борисовна | Инженер |
Основные направления работ лаборатории полупроводниковых лазеров:
- Мощные лазерные диоды (ЛД) и монолитные линейки лазерных диодов (ЛЛД) ближнего ИК диапазона (в частности в спектральных диапазонах 808 нм, 970 нм, 1060 нм)
- Твердотельные лазеры с диодной накачкой (ТЛДН)
В лаборатории ведутся исследования направленные на повышение предельной и ресурсной мощности лазерных диодов и линеек лазерных диодов в непрерывном и импульсном режимах работы, повышение их надёжности и ресурса, а также исследования по созданию новых типов ТЛДН с высоким качеством пучка, с модуляцией добротности, двухволновых ТЛДН для генерации ТГц когерентного излучения в нелинейных кристаллах.
