1960–1963

Н.Г. Басов, Б.М Вул и Ю.М. Попов  в статье «Квантовомеханические полупроводниковые генераторы и усилители электромагнитных колебаний» (ЖЭТФ. 1959. Т. 37. № 2. С. 587-588.) впервые рассмотрели принципиальную возможность использования электронных переходов между зоной проводимости и донорными, или акцепторными, примесными уровнями полупроводника для получения электромагнитного излучения с помощью механизма индуцированного излучения. В статье сформулированы условия сохранения состояний с отрицательной температурой и условия генерации. Эта работа зарегистрирована Комитетом по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР с приоритетом 7 июля 1958 г.

Премия имени А.Ф. Иоффе 2000г. была присуждена Ю.М. Попову (ФИАН) за цикл работ по катодолюминесценции и полупроводниковым лазерам с катоднолучевой накачкой, выполненных в 1959-1963 гг.

В 1959-1962 гг. в ФИАНе Н.Г. Басовым, О.Н. Крохиным и Ю.М. Поповым была выполнена большая серия теоретических и экспериментальных исследований по оптическим свойствам полупроводников инверсной населенности и отрицательной температуры.

В ноябре 1962 г. появилось первое сообщение сотрудников «Дженерал моторс» (Холл и др.) о когерентном излучении на p-n переходе в арсениде галлия GaAs.

В декабре 1962 г. советские авторы В.С. Багаев, Н.Г. Басов, Б.М. Вул и др. создали первый в СССР лазер на p-n переходе.

За фундаментальные исследования, приведшие к созданию полупроводниковых квантовых генераторов, в 1964 году группе советских физиков (Б.М. Вул, О.Н. Крохин, Ю.М. Попов, А.П. Шотов, С.Н. Рывкин, Д.Н. Наследов, А.А. Рогачев, Б.В. Царенков) была присуждена Ленинская премия.

В 1963-м и последующие годы в Ленинградском физикотехническом институте (ЛФТИ) Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Е.Л. Портной и др. разработали арсенидные гетероструктуры типа AlGaAs – GaAs и др., на которых с помощью инжекции электронов в гетеропереход удалось резко повысить эффективность лазеров. Работы были отмечены Нобелевской премией 2000 г.

Д.В. Скобельцын, А.М. Прохоров, Б.М. Вул, Н.Г. Басов. 1969	А.П. Шотов, Ю.М. Попов, О.Н. Крохин лауреаты Ленинской премии 1964 г.	Н.Г. Басов, Ч. Таунс и Ю.М.Попов.

Академик Б.М. Вул обсуждает результаты экспериментов с сотрудниками. Слева направо: д.ф.-м.н. Н.А. Пениным и А.П. Шотовым и к.ф.-м.н. Л.К. Водопьяновым. 10.11.1974	К.ф.-м.н. П.Г. Елисеев и асп. И.Исмаилов – в группе инжекционных лазеров исследуют излучение полупроводникового лазера, работающего при комнатной температуре. 15.12.1967

Научные сотрудники А.С. Семенов; к.ф.-м.н. В.В. Никитин и В.Д. Самойлов за исследованием оптических логических элементов на полупроводниковых лазерах. 01.12.1967

Радиоинженер Ю.П. Захаров – настоящий “Волшебник”. Он делает лучшие образцы полупроводниковых лазеров. 01.12.1967	Промышленные образцы инжекционных лазеров и линеек на их основе

Лазерный экран с кристаллом из сульфита кадмия размером 1 кв.см. 26.06.1973	Полупроводниковый лазер с продольной накачкой электронным пучком. В.П. Папуша, к.т.н. А.С. Насибов, В.И. Козловский. 26.06.1973	Первый инжекционный лазер СССР, созданный в ФИАНе (декабрь 1962 г.) Рабочая температура — жидкий азот. Импульсный режим. Мощность ед. мВт

Перестраиваемый давлением полупроводниковый лазер. Цвет лазерного луча изменяется при изменении давления. М.н.с. А.И. Надеждинский испытывает первую модель нового прибора.17.11.1974	Образцы экспериментальных полупроводниковых лазеров. 01.12.1967	Модуль современного инжекционного лазера (ФИАН) с непрерывной коллимированной мощностью 8,5 Вт при комнатной температуре

Старший лаборант группы инжекционных лазеров М.А.Манько. 29.01.1968

Вверх