Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: отделение / лаборатория
- Лаборатория физического материаловедения полупроводников
период Все года
Найдено публикаций: 607.

Последнее обновление базы: 01.04.2022

  1. ELECTRON LOCALIZATION AND GALVANOMAGNETIC PROPERTIES OF COMPENSATED N-CDXHG1-XTE AND N-INSB CRYSTALS IN A QUANTIZING MAGNETIC-FIELD
    FIZIKA TVERDOGO TELA
    ARONZON, BA; CHUMAKOV, NK
    1989г. т. 31 номер 4 стр.. 10-20 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1989U432600002

  2. LOCAL UNEQUILIBRIUM STATES IN PB1-0.25SN0.25TE(IN)
    SOLID STATE COMMUNICATIONS
    AKIMOV, BA; BRANDT, NB; CHESNOKOV, SN; EGOROV, KN; KHOKHLOV, DR
    1988г. т. 66 номер 8 стр.. 811-813 (цит. wos) 19 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0038-1098(88)90391-2
    WoS id - WOS:A1988N464600008

  3. UHF-SUPPRESSION OF RESIDUAL PHOTOCONDUCTIVITY IN PB1-XSNXTE(IN)
    PISMA V ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI
    AKIMOV, BA; BRANDT, NB; KHOKHLOV, DR; CHESNOKOV, SN
    1988г. т. 14 номер 8 стр.. 731-735 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1988N667900017

  4. NATURE OF A MAGNETIC-FIELD-INDUCED METAL-INSULATOR TRANSITION IN N-TYPE CDXHG1-XTE
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    ARONZON, BA; NIKITIN, MS; SUSOV, EV; CHUMAKOV, NK
    1988г. т. 22 номер 5 стр.. 566-568 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1988Q328100024

  5. BULK NONEQUILIBRIUM STATES IN PB1-XSNX TE-IN
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    AKIMOV, BA; BRANDT, NB; EGOROV, KN; LUTSIV, RV; CHESNOKOV, SN; KHOKHLOV, DR
    1987г. т. 21 номер 8 стр.. 839-840 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1987L417600004

  6. MODIFICATION OF THE ENERGY-SPECTRUM OF PB1-XSNXTE-CD ALLOYS UNDER PRESSURE
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    AKIMOV, BA; GASKOV, AM; RYABOVA, LI; KHOKHLOV, DR
    1987г. т. 21 номер 9 стр.. 963-966 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1987L713600007

  7. NONOHMIC HOPPING CONDUCTIVITY OF N-TYPE INSB
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    ARONZON, BA; EFREMOVA, GD; MEILIKHOV, EZ
    1987г. т. 21 номер 5 стр.. 535-537 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1987K457300018

  8. ELECTRON SPECIFIC-HEAT OF CDXHG1-XTE NEAR A METAL-INSULATOR-TRANSITION IN A MAGNETIC-FIELD
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    ARONZON, BA; KOPYLOV, AV; MEILIKHOV, EZ
    1987г. т. 21 номер 6 стр.. 678-681 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1987K800300028

  9. 2-STAGE RELAXATION OF THE ELECTRON-TEMPERATURE IN A BOUNDED N-TYPE INSB CRYSTAL SUBJECTED TO A QUANTIZING MAGNETIC-FIELD
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    ARONZON, BA; EFREMOVA, GD; MEILIKHOV, EZ
    1987г. т. 21 номер 10 стр.. 1095-1098 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1987M182500013

  10. THERMODYNAMICS OF PHASE-TRANSITIONS IN LIQUID SULFUR AND ITS SOLUTIONS
    HIGH TEMPERATURE
    ANISIMOV, MA; KUGEL, KI; LISOVSKAYA, TY
    1987г. т. 25 номер 2 стр.. 165-173 (цит. wos) 11 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1987K687300006

  11. TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE HOPPING CONDUCTIVITY OF N-TYPE INSB (DEVIATION FROM THE T-1/4 LAW)
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    ARONZON, BA; EFREMOVA, GD; MEILIKHOV, EZ
    1986г. т. 20 номер 1 стр.. 53-55 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1986C348600015

  12. GALVANOMAGNETIC PROPERTIES OF N-TYPE CDXHG1-XTE AFTER A METAL-INSULATOR-TRANSITION
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    ARONZON, BA; KOPYLOV, AV; MEILIKHOV, EZ
    1986г. т. 20 номер 8 стр.. 915-918 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1986F570600016

  13. THE FLUCTUATION FREEZE-OUT OF ELECTRONS IN CDXHG1-XTE
    SOLID STATE COMMUNICATIONS
    ARONZON, BA; KOPYLOV, AV; MEILIKHOV, EZ; GORBATYUK, YN; RARENKO, YM; TALYANSKII, EB
    1985г. т. 53 номер 8 стр.. 641-643 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0038-1098(85)90367-9
    WoS id - WOS:A1985ABQ6800004

  14. MAGNETIC FIELD-INDUCED ELECTRON LOCALIZATION IN THE FLUCTUATION POTENTIAL IN CDXHG1-XTE
    ZHURNAL EKSPERIMENTALNOI I TEORETICHESKOI FIZIKI
    ARONZON, BA; KOPYLOV, AV; MEILIKHOV, EZ; GORBATYOUK, IN; RARENKO, IM; TALYANSKY, EB
    1985г. т. 89 номер 1 стр.. 126-133 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1985APA9000012

  15. MOLYBDENUM ELECTRONIC-STRUCTURE - THEORY AND EXPERIMENT
    FIZIKA NIZKIKH TEMPERATUR
    KAGANOV, MI; KUGEL, KI; LISOVSKAYA, TY
    1985г. т. 11 номер 3 стр.. 227-265 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1985AHX7200001

  16. MAGNETORESISTANCE AND THE HALL-COEFFICIENT OF SAMPLES FROM THE ZRC-C SYSTEM
    INORGANIC MATERIALS
    GAISANYUK, AV; KUGEL, KI
    1985г. т. 21 номер 6 стр.. 812-816 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1985AYC5700015

  17. PHOTOELECTRIC EFFECTS IN PB0.75SN0.25TE ALLOYS WITH DIFFERENT INDIUM CONCENTRATIONS
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    AKIMOV, BA; ALBUL, AV; NIKORICH, AV; RYABOVA, LI; KHOKHLOV, DR
    1984г. т. 18 номер 10 стр.. 1112-1116 (цит. wos) 17 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1984ABZ9400010

  18. PECULIARITIES OF THE PERMITTIVITY IN GAPLESS AND NARROW-GAP CDXHG1-XTE COMPOUNDS
    ZHURNAL EKSPERIMENTALNOI I TEORETICHESKOI FIZIKI
    ARONZON, BA; KOPYLOV, AV; MEILIKHOV, EZ; MIRONOV, OA; RARENKO, IM; TALYANSKY, EB; GORBATYOUK,
    1984г. т. 87 номер 6 стр.. 2075-2084 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1984TY76400018

  19. GALLIUM IMPURITY STATES AND PHOTOELECTRIC PHENOMENA IN PBTE-GA ALLOYS
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    AKIMOV, BA; BRANDT, NB; GASKOV, AM; ZLOMANOV, VP; RYABOVA, LI; KHOKHLOV, DR
    1983г. т. 17 номер 1 стр.. 53-57 (цит. wos) 28 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1983QU05000018

  20. PHOTOELECTRIC EFFECTS IN INDIUM-DOPED PBTE
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    AKIMOV, BA; BRANDT, NB; KURBANOV, KR; RYABOVA, LI; KHASANOV, AT; KHOKHLOV, DR
    1983г. т. 17 номер 9 стр.. 1021-1024 (цит. wos) 16 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1983SH51300014

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория
Лаборатория физического материаловедения полупроводников
(Выбрать)

Период


С по
Тип



Сортировать по