Поиск по публикациям
Результат поиска:
Вы искали:
отделение / лаборатория
- Лаборатория физического материаловедения полупроводников
период Все года
Найдено публикаций: 607.
Последнее обновление базы: 01.04.2022
-
Fermi level pinning and negative magnetoresistance in PbTe :(Mn, Cr)
SEMICONDUCTORS
Morozov, AV; Kozhanov, AE; Artamkin, AI; Slyn'ko, EI; Slyn'ko, VE; Dobrovolski, WD; Story, T; Kh
2004г. т. 38 номер 1 стр.. 27-30 (цит. wos) 10 тип: публикация в журнале
DOI - 10.1134/1.1641128
WoS id - WOS:000187965000003 -
Impedance of solid solutions based on gallium-doped lead telluride
SEMICONDUCTORS
Akimov, BA; Pryadun, VV; Ryabova, LI; Khokhlov, DR
2004г. т. 38 номер 3 стр.. 281-283 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале
DOI - 10.1134/1.1682327
WoS id - WOS:000189356500008 -
Problem of impurity states in narrow-gap lead telluride-based semiconductors
JETP LETTERS
Ryabova, LI; Khokhlov, DR
2004г. т. 80 номер 2 стр.. 133-139 (цит. wos) 30 тип: публикация в журнале
DOI - 10.1134/1.1804224
WoS id - WOS:000224131100014 -
Transport and magnetic properties of Pb1-x,MnxTe doped with Cr and Mo
ACTA PHYSICA POLONICA A
Artamkin, AI; Kozhanov, AE; Arciszewska, M; Dobrowolski, WD; Story, T; Slynko, EI; Slynko, VE; K
2004г. т. 106 номер 2 стр.. 223-231 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале
DOI - 10.12693/APhysPolA.106.223
WoS id - WOS:000224159600011 -
Doped lead telluride-based semiconductors: New possibilities for detection of Teraherz radiation
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B
Khokhlov, D
2004г. т. 18 номер 16 стр.. 2223-2245 (цит. wos) 12 тип: публикация в журнале
DOI - 10.1142/S0217979204026111
WoS id - WOS:000224316100001 -
Nonequilibrium processes and ferroelectric phase transition in PbGeTe(Ga) crystals
LOW TEMPERATURE PHYSICS
Akimov, BA; Pryadun, VV; Khokhlov, DR; Ryabova, LI; Shtanov, VI; Slynko, EI
2004г. т. 30 номер 11 стр.. 908-911 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале
DOI - 10.1063/1.1820022
WoS id - WOS:000225481500015 -
Submillimeter radiation - induced persistent photoconductivity in Pb1-xSnxTe(In)
INFRARED SPACEBORNE REMOTE SENSING XII
Kozhanov, A; Dolzhenko, DD; Ivanchik, I; Watson, D; Khokhlov, D
2004г. т. 5543 номер стр.. 258-261 тип: труды
DOI - 10.1117/12.562798
WoS id - WOS:000225669300027 -
Slow relaxation of conductance of quasi-two-dimensional highly disordered MIS structures
SEMICONDUCTORS
Davydov, AB; Aronzon, BA
2004г. т. 38 номер 6 стр.. 666-671 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале
DOI - 10.1134/1.1766369
WoS id - WOS:000221951800008 -
Interplay between charge localization and magnetic ordering in amorphous GdxSi1-x
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS
Chumakov, NK; Gudenko, SV; Tugushev, VV; Davydov, AB; Ozhogin, VI; Helgren, E; Heilman, F
2004г. т. 272 номер стр.. 1351-1352 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале
DOI - 10.1016/j.jmmm.2003.12.076
WoS id - WOS:000222236700259 -
Specific features of the hall effect in Cr/Co bilayer films
PHYSICS OF THE SOLID STATE
Aronzon, BA; Granovskii, AB; Nikolaev, SN; Kovalev, DY; Perov, NS; Ryl'kov, VV
2004г. т. 46 номер 8 стр.. 1482-1486 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале
DOI - 10.1134/1.1788782
WoS id - WOS:000223273700017 -
Potential barrier formation at a metal-semiconductor contact using selective removal of atoms
SEMICONDUCTORS
Gurovich, BA; Aronzon, BA; Ryl'kov, VV; Ol'shanskii, ED; Kuleshova, EA; Dolgii, DI; Kovalev, DY;
2004г. т. 38 номер 9 стр.. 1036-1040 (цит. wos) 8 тип: публикация в журнале
DOI - 10.1134/1.1797481
WoS id - WOS:000223622300011 -
Application of genetic algorithms to processing of reflectance spectra of semiconductor compounds
APPLICATIONS OF DIGITAL IMAGE PROCESSING XXVII, PTS 1AND 2
Zaharov, IS; Kochura, AV; Kurkin, AY; Belogorohov, AI
2004г. т. 5558 номер стр.. 21-28 тип: труды
DOI - 10.1117/12.559073
WoS id - WOS:000225713700003 -
Characteristics of the phase-separated state in manganites: Relationship with transport and magnetic properties
JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS
Kugel, KI; Rakhmanov, AL; Sboychakov, AO; Kagan, MY; Brodsky, IV; Klaptsov, AV
2004г. т. 98 номер 3 стр.. 572-581 (цит. wos) 33 тип: публикация в журнале
DOI - 10.1134/1.1705710
WoS id - WOS:000220832200020 -
Strong isotope effect in Sm1-xSrxMnO3 manganites near x=0.5
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS
Babushkina, NA; Chistotina, EA; Gorbenko, OY; Kaul, AR; Khomskii, DI; Kugel, KI
2004г. т. 272 номер стр.. 407-409 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале
DOI - 10.1016/j.jmmm.2003.11.121
WoS id - WOS:000222236500180 -
Inhomogeneous ferromagnetic insulating state and isotope effect in Pr1-xCaxMnO3
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS
Fisher, LM; Kalinov, AV; Voloshin, IF; Babushkina, NA; Kugel, KI; Khomskii, DI
2004г. т. 272 номер стр.. 1802-1804 тип: публикация в журнале
DOI - 10.1016/j.jmmm.2003.12.421
WoS id - WOS:000222236800070 -
Magnetic polarons in a doped one-dimensional antiferromagnetic chain
PHYSICAL REVIEW B
Gonzalez, I; Castro, J; Baldomir, D; Sboychakov, AO; Rakhmanov, AL; Kugel, KI
2004г. т. 69 номер 22 стр.. - (цит. wos) 12 тип: публикация в журнале
DOI - 10.1103/PhysRevB.69.224409
WoS id - WOS:000222530900052 -
Phase separation induced by oxygen isotope substitution in manganites of the Sm1-xSrxMnO3 system
PHYSICS OF THE SOLID STATE
Babushkina, NA; Chistotina, EA; Gorbenko, OY; Kaul, AR; Kugel, KI; Kurbakov, AI; Trunov, VA; Andre,
2004г. т. 46 номер 10 стр.. 1884-1890 (цит. wos) 14 тип: публикация в журнале
DOI - 10.1134/1.1809425
WoS id - WOS:000224424700020 -
H-T phase diagram of high-T-c Ba-K-Bi-O
PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS
Zherikhina, LN; Golovashkin, AI; Gudenko, AV; Kuleshova, GV; Tskhovrebov, AM; Norton, ML
2003г. т. 388 номер стр.. 451-452 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале
DOI - 10.1016/S0921-4534(02)02573-X
WoS id - WOS:000183340300219 -
Multiphonon emission process on DX-like centers in indium doped Pb0.75Sn0.25Te
10TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SHALLOW LEVEL CENTERS IN SEMICONDUCTORS (SLCS-10), PROCEEDINGS
Romcevic, N; Khokhlov, DR; Stojanovic, D; Romcevic, M; Nikorich, AV
2003г. т. номер стр.. 776-779 тип: труды
DOI - 10.1002/pssc.200306211
WoS id - WOS:000189434700041 -
Selective removal of atoms as a new method for fabrication of nanoscale patterned media
MICROELECTRONIC ENGINEERING
Gurovich, BA; Dolgy, DI; Kuleshova, EA; Meilikhov, EZ; Domantovsky, AG; Prikhodko, KE; Maslakov, KI все авторы
2003г. т. 69 номер 2-4 стр.. 358-364 (цит. wos) 10 тип: публикация в журнале
DOI - 10.1016/S0167-9317(03)00322-8
WoS id - WOS:000185725300037