Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: отделение / лаборатория
- Центр коллективного пользования Молекулярно-пучковая эпитаксия полупроводниковых гетероструктур
период Все года
Найдено публикаций: 34.

Последнее обновление базы: 01.12.2021

  1. Structural and optical properties of n-type and p-type GaAs(1-x)Bi (x) thin films grown by molecular beam epitaxy on (311)B GaAs substrates
    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
    De Souza, D; Alhassan, S; Alotaibi, S; Alhassni, A; Almunyif, A; Albalawi, H; Kazakov, IP; Klekovkin, AV все авторы
    2021г. т. 36 номер 7 стр.. - тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1088/1361-6641/abf3d1
    WoS id - WOS:000664732600001

  2. Investigation of the effect of substrate orientation on the structural, electrical and optical properties of n-type GaAs1-xBix layers grown by Molecular Beam Epitaxy
    JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
    Alhassan, S; de Souza, D; Alhassni, A; Almunyif, A; Alotaibi, S; Almalki, A; Alhuwayz, M; Kazakov, IP все авторы
    2021г. т. 885 номер стр.. - тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/j.jallcom.2021.161019
    WoS id - WOS:000694721200006

  3. Low temperature luminescence of mechanically exfoliated beta-InSe nanoflakes near fundamental absorption edge
    JOURNAL OF LUMINESCENCE
    Nikolaev, SN; Chernopitssky, MA; Bagaev, VS; Krivobok, VS; Onishchenko, EE; Savin, KA; Klokov, AY все авторы
    2021г. т. 231 номер стр.. - (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/j.jlumin.2020.117812
    WoS id - WOS:000609099000003

  4. Electronic processes in organic-inorganic composite P3HT with silicon nanocrystals
    APPLIED PHYSICS LETTERS
    Savin, K; Forsh, P; Forsh, E; Kazanskii, A
    2021г. т. 118 номер 18 стр.. - тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1063/5.0046917
    WoS id - WOS:000675426700001

  5. Raman Markers of Toxic Nanofraction in Anatase TiO2 Micropowder Used as E171 Food Additive
    JOURNAL OF RUSSIAN LASER RESEARCH
    Krivobok, VS; Kolobov, AV; Dimitrieva, SE; Chentsov, SI; Nikolaev, SN; Ivanov, NV; Chernopitssky, MA все авторы
    2021г. т. 42 номер 4 стр.. 388-398 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1007/s10946-021-09974-1
    WoS id - WOS:000669787900002

  6. Radiative Recombination Mechanisms in GaSe Films Prepared by Mechanical Exfoliation
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Nikolaev, SN; Litvinov, DA; Minaev, II; Chernopitsskii, MA; Chentsov, SI
    2021г. т. 48 номер 6 стр.. 159-164 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335621060051
    WoS id - WOS:000680545100001

  7. EXTENDED DEFECTS IN GaAs/Ge/GaAs HETEROSTRUCTURES WITH TURNING GaAs LAYERS
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Kazakov, IP; Zinov'ev, SA; Klekovkin, AV; Sazonov, VA; Kukin, VN; Borgardt, NI
    2020г. т. 47 номер 12 стр.. 365-370 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S106833562012012X
    WoS id - WOS:000613519800001

  8. Photoelectric Parameters of Photodetectors Based on Thin Microcrystalline Films of CH(3)NH(3)PbI(3)Perovskite
    TECHNICAL PHYSICS LETTERS
    Amasev, DV; Savin, KA; Nikolaev, SN
    2020г. т. 46 номер 7 стр.. 653-656 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063785020070020
    WoS id - WOS:000565203300008

  9. The Influence of Interfacial Effects on the Electron Spectrum of GaAs/AlGaAs Structures Used for the Creation of Mid-IR Photodetectors
    TECHNICAL PHYSICS LETTERS
    Krivobok, VS; Pashkeev, DA; Litvinov, DA; Grigor'eva, LN; Kolosov, SA
    2020г. т. 46 номер 3 стр.. 256-259 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063785020030256
    WoS id - WOS:000529352900015

  10. Study of Single-Electron Spectrum of GaAs/AlGaAs Heterostructure for Mid-IR Photodetectors via Low-Temperature Luminescence
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Litvinov, DA; Pashkeev, DA; Grigoreva, LN; Kolosov, SA; Aminev, DF
    2020г. т. 47 номер 4 стр.. 105-109 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335620040041
    WoS id - WOS:000540138700002

  11. Growth of Si/Si1-xGex/Si (x < 0.1) Quantum Wells by Modulating the Ge Molecular Flow. II. Study of Properties
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Klekovkin, AV; Kazakov, IP; Tsvetkov, VA; Akmaev, MA; Zinov'ev, SA
    2019г. т. 46 номер 3 стр.. 89-92 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335619030047
    WoS id - WOS:000468076200004

  12. Growth of Si/Si1_xGex/Si (x < 0.1) Quantum Wells by Modulating Ge Molecular Flow. I. Molecular Beam Epitaxy
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Kazakov, IP; Klekovkin, AV; Tsvetkov, VA; Akmaev, MA; Uvarov, OV
    2019г. т. 46 номер 1 стр.. 5-8 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335619010020
    WoS id - WOS:000471162200002

  13. Exciton and Electron-Hole Liquid Emission under Conditions of Resonant Near-Field Coupling with Localized Plasmon Polaritons
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Nikolaev, SN; Nikitin, MO; Onishchenko, EE; Savin, KA
    2019г. т. 46 номер 2 стр.. 51-53 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335619020039
    WoS id - WOS:000469859800003

  14. Impedance Spectroscopy of Polyaniline Films Modified by Carbon Particles
    JOURNAL OF RUSSIAN LASER RESEARCH
    Forsh, P; Tameev, A; Mazinov, A; Savin, K; Perchenko, E; Forsh, E; Guseva, E; Shevchenko, A; Gribkova, O все авторы
    2019г. т. 40 номер 3 стр.. 249-254 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1007/s10946-019-09797-1
    WoS id - WOS:000481769400007

  15. Resonance Raman Scattering Spectroscopy of Four-Monolayer Thick MoS2 Films
    JOURNAL OF RUSSIAN LASER RESEARCH
    Bagaev, VS; Krivobok, VS; Nikolaev, SN; Chernopitssky, MA; Savin, KA
    2019г. т. 40 номер 3 стр.. 269-273 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1007/s10946-019-09801-8
    WoS id - WOS:000481769400011

  16. Photoluminescence of a-Si/c-Si Heterojunction Solar Cells with Different Intrinsic Thin Layers
    MOSCOW UNIVERSITY PHYSICS BULLETIN
    Matsukatova, AN; Grigoreva, LN; Savin, KA; Forsh, PA; Pruchkina, AA; Krivobok, VS; Aminev, DF
    2019г. т. 74 номер 4 стр.. 369-373 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S0027134919040131
    WoS id - WOS:000488668100008

  17. Separation of Quantum Emitters Produced by Single Donor-Acceptor Pairs Under Laser Excitation
    JOURNAL OF RUSSIAN LASER RESEARCH
    Bagaev, VS; Krivobok, VS; Chentsov, SI; Onishchenko, EE; Pruchkina, AA; Nikolaev, SN; Chernopitssky, MA все авторы
    2019г. т. 40 номер 3 стр.. 274-279 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1007/s10946-019-09802-7
    WoS id - WOS:000481769400012

  18. Excitonic Effects and Impurity-Defect Emission in GaAs/AlGaAs Structures Used for the Production of Mid-IR Photodetectors
    SEMICONDUCTORS
    Krivobok, VS; Litvinov, DA; Nikolaev, SN; Onishchenko, EE; Pashkeev, DA; Chernopittsky, MA; Gr
    2019г. т. 53 номер 12 стр.. 1608-1616 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782619160139
    WoS id - WOS:000510631800009

  19. Analysis of Misorientation of Single-Crystal Blocks in the Bulk InSb Crystal
    JOURNAL OF COMMUNICATIONS TECHNOLOGY AND ELECTRONICS
    Shabrin, AD; Goncharov, AE; Pashkeev, DA; Lyalikov, AV; Egorov, AV
    2018г. т. 63 номер 3 стр.. 309-313 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S106422691803018X
    WoS id - WOS:000429676000021

  20. Prompt increase of ultrashort laser pulse transmission through thin silver films
    APPLIED PHYSICS LETTERS
    Bezhanov, SG; Danilov, PA; Klekovkin, AV; Kudryashov, SI; Rudenko, AA; Uryupin, SA
    2018г. т. 112 номер 11 стр.. - (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1063/1.5020957
    WoS id - WOS:000428456800030

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория
Центр коллективного пользования Молекулярно-пучковая эпитаксия полупроводниковых гетероструктур
(Выбрать)

Период


С по
Тип



Сортировать по