Pecularities of Hall effect in GaAs/delta < Mn >/GaAs/InxGa1-xAs/GaAs (x approximate to 0.2) heterostructures with high Mn content
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B
Pankov, MA; Aronzon, BA; Rylkov, VV; Davydov, AB; Tugushev, VV; Caprara, S; Likhachev, IA; Pashaev, EM все авторы
2012г. т. 85 номер 6 стр.. - (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1140/epjb/e2012-30149-4
WoS id - WOS:000305693400039

Charge inhomogeneities and transport in semiconductor heterostructures with a Mn delta-layer
PHYSICAL REVIEW B
Tripathi, V; Dhochak, K; Aronzon, BA; Rylkov, VV; Davydov, AB; Raquet, B; Goiran, M; Kugel, KI
2011г. т. 84 номер 7 стр.. - (цит. wos) 22 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1103/PhysRevB.84.075305
WoS id - WOS:000293445500005

Ferromagnetic Transition in GaAs/Mn/GaAs/InxGa(1-x)As/GaAs Structures with a Two-Dimensional Hole Gas
JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS
Pankov, MA; Aronzon, BA; Rylkov, VV; Davydov, AB; Meilikhov, EZ; Farzetdinova, RM; Pashaev, EM; Chuev, MA все авторы
2009г. т. 109 номер 2 стр.. 293-301 (цит. wos) 16 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063776109080159
WoS id - WOS:000270506500015

Ferromagnetism of low-dimensional structures based on III-Mn-V semiconductors in the vicinity of the insulator-to-metal transition
JOURNAL OF COMMUNICATIONS TECHNOLOGY AND ELECTRONICS
Pankov, MA; Likhachev, IA; Davydov, AB; Vedeneev, AS; Subbotin, IA; Dorofeev, AA; Ryl'kov, VV
2009г. т. 54 номер 9 стр.. 1042-1051 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1064226909090113
WoS id - WOS:000269927800011

Transport and ferromagnetism in InGaAs quantum well structures delta-doped with Mn
JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS
Gurin, PV; Kul'bachinskii, VA; Danilov, YA; Zvonkov, BN; Aronzon, BA; Davydov, AB; Ryl'kov, VV
2007г. т. 105 номер 1 стр.. 181-184 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063776107070400
WoS id - WOS:000248825500040

Transport, magnetotransport, and ferromagnetism in diluted magnetic semiconductors
LOW TEMPERATURE PHYSICS
Kulbachinskii, VA; Gurin, PV; Tarasov, PM; Davydov, AB; Danilov, YA; Vikhrova, OV
2007г. т. 33 номер 2-3 стр.. 174-186 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1063/1.2409656
WoS id - WOS:000245900300014

Properties of InGaAs/GaAs quantum wells with a delta < Mn >-doped layer in GaAs
PHYSICS OF THE SOLID STATE
Aronzon, BA; Granovsky, AB; Davydov, AB; Danilov, YA; Zvonkov, BN; Ryl'kov, VV; Uskova, EA
2007г. т. 49 номер 1 стр.. 171-177 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063783407010271
WoS id - WOS:000243688400027

Anomalous hall effect in Mn delta-doped GaAs/In0.17Ga0.83As/GaAs quantum wells with high hole mobility
JETP LETTERS
Aronzon, BA; Kul'bachinskii, VA; Gurin, PV; Davydov, AB; Ryl'kov, VV; Granovskii, AB; Vikhrova, OV все авторы
2007г. т. 85 номер 1 стр.. 27-33 (цит. wos) 35 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364007010067
WoS id - WOS:000245246700006

Planar Hall effect and anisotropic magnetoresistance in layered structures Co0.45Fe0.45Zr0.1/a-Si with percolation conduction
JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS
Aronzon, BA; Granovskii, AB; Davydov, AB; Dokukin, ME; Kalinin, YE; Nikolaev, SN; Rylkov, VV; Sitnikov, AV все авторы
2006г. т. 103 номер 1 стр.. 110-118 (цит. wos) 10 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063776106070120
WoS id - WOS:000239721300012

Transport and magnetotransport properties of Mn-doped InxGa1-xAs/GaAs quantum well structures
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS
Kulbachinskii, VA; Lunin, RA; Gurin, PV; Aronzon, BA; Davydov, AB; Rylkov, VV; Danilov, YA; Vikhrova, OV все авторы
2006г. т. 300 номер 1 стр.. E16-E19 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/j.jmmm.2005.10.139
WoS id - WOS:000208212300005

Properties of structures based on laser-plasma Mn-doped GaAs and grown by MOC-hydride epitaxy
SEMICONDUCTORS
Vasil'eva, YV; Danilov, YA; Ershov, AA; Zvonkov, BN; Uskova, EA; Davydov, AB; Aronzon, BA; Gudenko, SV все авторы
2005г. т. 39 номер 1 стр.. 77-81 (цит. wos) 16 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1852650
WoS id - WOS:000227051200020

Slow relaxation of conductance of quasi-two-dimensional highly disordered MIS structures
SEMICONDUCTORS
Davydov, AB; Aronzon, BA
2004г. т. 38 номер 6 стр.. 666-671 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1766369
WoS id - WOS:000221951800008

Interplay between charge localization and magnetic ordering in amorphous GdxSi1-x
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS
Chumakov, NK; Gudenko, SV; Tugushev, VV; Davydov, AB; Ozhogin, VI; Helgren, E; Heilman, F
2004г. т. 272 номер стр.. 1351-1352 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/j.jmmm.2003.12.076
WoS id - WOS:000222236700259

Temperature dependence of conductance of electrostatically disordered quasi-2D semiconductor systems near an insulator-metal percolation transition
SEMICONDUCTORS
Davydov, AB; Aronzon, BA; Bakaushin, DA; Vedeneev, AS
2002г. т. 36 номер 10 стр.. 1163-1168 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1513863
WoS id - WOS:000178316300018

Slow magneto resistance relaxation in Fe/SiO2-nanocomposites
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS
Aronzon, B; Davydov, A; Kovalev, D; Meilikhov, E; Rylkov, V; Sedova, M; Leotin, J
2002г. т. 242 номер стр.. 631-633 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0304-8853(01)01032-0
WoS id - WOS:000176509600159

Long-term relaxation of magnetoresistance in a granular ferromagnet
JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS
Rylkov, VV; Aronzon, BA; Davydov, AB; Kovalev, DY; Meilikhov, EZ
2002г. т. 94 номер 4 стр.. 779-784 (цит. wos) 16 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1477903
WoS id - WOS:000175325200012

Experimental study of saddle point conductance in strongly disordered Si-metal nitride oxide semiconductor structure at high magnetic fields
PHYSICA B
Davydov, A; Chumakov, N; Aronzon, B; Vedeneev, A; Bakaushin, D; Galibert, J; Leotin, J
2001г. т. 298 номер 1-4 стр.. 491-495 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0921-4526(01)00369-6
WoS id - WOS:000168992800100

Conductance of quasi-two-dimensional semiconductor systems with electrostatic disorder in the region of the percolation metal-insulator transition
SEMICONDUCTORS
Aronzon, BA; Bakaushin, DA; Vedeneev, AS; Davydov, AB; Meilikhov, EZ; Chumakov, NK
2001г. т. 35 номер 4 стр.. 436-443 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1365190
WoS id - WOS:000167882700015

The temperature dependence of conductivity of highly disordered quasi-two-dimensional metal-insulator-semiconductor structures under conditions of quantization of conductance
JOURNAL OF COMMUNICATIONS TECHNOLOGY AND ELECTRONICS
Davydov, AB
2000г. т. 45 номер 7 стр.. 764-768 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:000088461800011