Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: researcher ID: M-7266-2015 (Дравин Валерий Абрамович), период Все года
Найдено публикаций: 89.

Последнее обновление базы: 01.05.2021

  1. ELECTROCHEMICAL PROPERTIES OF TI-NI ALLOY SYNTHESIZED IN TITANIUM BY ION-IMPLANTATION OF NICKEL
    PROTECTION OF METALS
    TOMASHOV, ND; KOVNERISTYI, YK; CHERNOVA, GP; KRASNOPEVTSEV, VV; VAVILOVA, VV; ZHILTSOVA, OA; DRAVIN, VA все авторы
    1985г. т. 21 номер 4 стр.. 445-448 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1985A603300005

  2. CHANNELED ION-IMPLANTATION OF AS+ IN SILICON AT 300-DEGREES-C
    RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS
    GALKIN, GN; DRAVIN, VA; EPIFANOV, MS; KHAMDOKHOV, ZM; KULIKAUSKAS, VS
    1983г. т. 77 номер 1-2 стр.. 57-66 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1080/00337578308224722
    WoS id - WOS:A1983RM22700005

  3. LUMINESCENCE OF TANTALUM CENTERS IN GAAS AND GAP
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA; DRAVIN, VA
    1983г. т. 17 номер 7 стр.. 743-746 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1983RX76800002

  4. CHARACTERISTICS OF FORMATION OF DEFECTS, AND OF THE SPATIAL-DISTRIBUTION AND LOCALIZATION OF AS ATOMS IMPLANTED IN SILICON UNDER CHANNELING CONDITIONS AT AN ELEVATED-TEMPERATURE
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    GALKIN, GN; DRAVIN, VA; EPIFANOV, MS; KULIKAUSKAS, VS; KHAMDOKHOV, ZM
    1983г. т. 17 номер 12 стр.. 1370-1372 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1983SV28900008

  5. DOPING OF AMORPHOUS-SILICON BY MANGANESE ION-IMPLANTATION
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH
    DVURECHENSKII, AV; RYAZANTSEV, IA; DRAVIN, VA
    1982г. т. 71 номер 2 стр.. K133-& (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1982NY58100043

  6. LUMINESCENCE OF A RARE-EARTH (ERBIUM) IMPURITY IN GALLIUM-ARSENIDE AND PHOSPHIDE
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA; DRAVIN, VA; SPITSYN, AV
    1982г. т. 16 номер 6 стр.. 723-723 (цит. wos) 21 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1982PR33300045

  7. DOPING OF AMORPHOUS-SILICON BY IMPLANTATION OF MANGANESE IONS
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    DVURECHENSKII, AV; RYAZANTSEV, IA; DRAVIN, VA
    1982г. т. 16 номер 11 стр.. 1271-1273 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1982QL17200050

  8. CATHODOLUMINESCENCE OF NATURAL DIAMOND ASSOCIATED WITH IMPLANTED IMPURITIES
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    VAVILOV, VS; GIPPIUS, AA; DRAVIN, VA; ZAITSEV, AM; ZHAKUPBEKOV, BS
    1982г. т. 16 номер 11 стр.. 1288-1290 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1982QL17200017

  9. LUMINESCENCE OF NB CENTERS IN GAAS AND GAP
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA; DRAVIN, VA; KANTSER, SF
    1981г. т. 15 номер 8 стр.. 890-894 (цит. wos) 12 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1981NA35200015

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория

Период


С по
Тип



Сортировать по