Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: researcher ID: M-5249-2015 (Алещенко Юрий Анатольевич), период Все года
Найдено публикаций: 44.

Последнее обновление базы: 01.05.2021

  1. STRUCTURES WITH VARIABLE DIMENSIONALITY OF ELECTRONIC STATES FOR UNIPOLAR LASERS
    JOURNAL OF RUSSIAN LASER RESEARCH
    Aleshchenko, YA; Kapaev, VV; Kopaev, YV
    2010г. т. 31 номер 6 стр.. 533-553 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1007/s10946-010-9175-x
    WoS id - WOS:000285099400003

  2. Multiperiodic structure for unipolar fountain laser
    QUANTUM ELECTRONICS
    Aleshchenko, YA; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Sadof'ev, YG; Skorikov, ML
    2010г. т. 40 номер 8 стр.. 685-690 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1070/QE2010v040n08ABEH014346
    WoS id - WOS:000283054500004

  3. Electric-field control of the occupancy of the upper laser subband in quantum-well structures with asymmetric barriers designed for unipolar laser operation
    SEMICONDUCTORS
    Aleshchenko, YA; Zhukov, AE; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Kop'ev, PS; Ustinov, VM
    2008г. т. 42 номер 7 стр.. 838-844 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782608070142
    WoS id - WOS:000257584600014

  4. Behavior of electron states in GaAs/AlGaAs double quantum well structure with strongly asymmetric barriers in an external electric field
    International Journal of Nanoscience, Vol 3, Nos 1 and 2
    Aleshchenko, YA; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Kop'ev, PS; Ustinov, VM; Zhukov, AE
    2004г. т. 3 номер 1-2 стр.. 203-211 (цит. wos) 3 тип: книга

    DOI - 10.1142/S0219581X04001997
    WoS id - WOS:000245881200025

  5. Peculiarities of electron spectrum rearrangement for the double-well heterostructure GaAs/AlGaAs with a variable dimensionality of electronic states in an external electric field
    JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS
    Aleshchenko, YA; Zhukov, AE; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Kop'ev, PS; Ustinov, VM
    2004г. т. 98 номер 4 стр.. 770-779 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1757677
    WoS id - WOS:000221538300017

  6. Unipolar semiconductor lasers on asymmetric quantum wells
    NANOTECHNOLOGY
    Aleshchenko, YA; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Kornyakov, NV
    2000г. т. 11 номер 4 стр.. 206-210 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1088/0957-4484/11/4/302
    WoS id - WOS:000165958500003

  7. Unipolar semiconductor lasers on asymmetric quantum wells
    ALT'99 INTERNATIONAL CONFERENCE ON ADVANCED LASER TECHNOLOGIES
    Aleshchenko, Y; Kapaev, V; Kopaev, Y
    2000г. т. 4070 номер стр.. 132-137 (цит. wos) 2 тип: книга в серии

    DOI - 10.1117/12.378147
    WoS id - WOS:000086321300018

  8. Interference ionization of impurity by electric field in coupled quantum wells
    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
    Aleshchenko, YA; Kazakov, IP; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Kornyakov, NV; Tyurin, AE
    2000г. т. 15 номер 6 стр.. 579-584 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1088/0268-1242/15/6/316
    WoS id - WOS:000087585500017

  9. Interference ionization of an impurity by an electric field in a system of quantum wells
    JETP LETTERS
    Aleshchenko, YA; Kazakov, IP; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Kornyakov, NV; Tyurin, AE
    1999г. т. 69 номер 3 стр.. 207-214 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.568008
    WoS id - WOS:000079412000008

  10. Transformation of the dimensionality of excitonic states in quantum wells with asymmetric barriers in an electric field
    JETP LETTERS
    Aleshchenko, YA; Kazakov, IP; Kapaev, VV; Kopaev, YV
    1998г. т. 67 номер 3 стр.. 222-226 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.567654
    WoS id - WOS:000072586400009

  11. Electric and magnetic field dependent dimensionality of electronic states in quantum-scale semiconducting and superconducting heterostructures
    INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B
    Kopaev, YV; Aleshchenko, YA; Kapaev, VV; Tokatly, IV
    1998г. т. 12 номер 29-31 стр.. 2932-2934 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1142/S0217979298001794
    WoS id - WOS:000079114500009

  12. Geometrical parameter fluctuations and localized electronic states in quantum-scale structures
    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
    Aleshchenko, YA; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Melnik, NN
    1997г. т. 12 номер 12 стр.. 1565-1573 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1088/0268-1242/12/12/004
    WoS id - WOS:A1997YK73900004

  13. Photoluminescence with moderate excitation and resonant Raman scattering in GaAs/AlGaAs superlattices
    SEMICONDUCTORS
    Aleshchenko, YA; Zavaritskaya, TN; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Melnik, NN
    1996г. т. 30 номер 5 стр.. 436-439 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1996UM65200006

  14. Equidistant spectrum of localized states due to fluctuations of the parameters in quantum-well structures
    JETP LETTERS
    Aleshchenko, YA; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Melnik, NN
    1996г. т. 63 номер 4 стр.. 278-284 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.567007
    WoS id - WOS:A1996UG08200009

  15. RESONANT RAMAN-SCATTERING AND REDISLOCATION EFFECTS IN GAAS/ALGAAS
    JETP LETTERS
    ALESHCHENKO, YA; ZAVARITSKAYA, TN; KAPAEV, VV; KOPAEV, YV; MELNIK, NN
    1994г. т. 59 номер 4 стр.. 255-259 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1994NF72700007

  16. LONG-RANGE EFFECT IN ION-IMPLANTED GAAS
    RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS
    ALESHCHENKO, YA; BOBROVA, EA; VAVILOV, VS; VODOPYANOV, LK; GALKIN, GN; CHUKICHEV, MV; RESVANOV, RR все авторы
    1993г. т. 125 номер 4 стр.. 323-331 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1080/10420159308220210
    WoS id - WOS:A1993KX68300004

  17. MAGNETIC-FIELD-INDUCED PHOTOVOLTAIC EFFECT IN AN ASYMMETRIC SYSTEM OF QUANTUM-WELLS
    JETP LETTERS
    ALESHCHENKO, YA; VORONOVA, ID; GRISHECHKINA, SP; KAPAEV, VV; KOPAEV, YV; KUCHERENKO, IV; KADUSHKIN, VI все авторы
    1993г. т. 58 номер 5 стр.. 384-388 (цит. wos) 21 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1993MF05700013

  18. APPEARANCE OF ELASTIC STRESSES BEYOND THE BOUNDARY OF A REGION IN GAAS AMORPHIZED BY ION-IMPLANTATION
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    ALESHCHENKO, YA; VODOPYANOV, LK
    1991г. т. 25 номер 7 стр.. 760-761 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1991GZ55900023

  19. CHARACTERISTICS OF DISORDERING OF GAAS BY IMPLANTATION OF NITROGEN-IONS
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    AKIMCHENKO, IP; ALESHCHENKO, YA; DYMOVA, NN; ZAVETOVA, M; KRASNOPEVTSEV, VV
    1989г. т. 23 номер 6 стр.. 682-683 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1989CB75100030

  20. RAMAN-STUDY OF HYDROGEN-RELATED COMPLEXES IN GAAS
    SOLID STATE COMMUNICATIONS
    ALESHCHENKO, YA; VODOPYANOV, LK; OMELJANOVSKY, EM; PAKHOMOV, AV; POLYAKOV, AY
    1989г. т. 70 номер 2 стр.. 123-125 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0038-1098(89)90958-7
    WoS id - WOS:A1989T914500005

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория

Период


С по
Тип



Сортировать по