Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: researcher ID: M-9591-2015 (Цветков Виталий Анатольевич), период Все года
Найдено публикаций: 56.

Последнее обновление базы: 01.12.2021

  1. Acoustic properties of strained SiGe/Si layers in the sub-terahertz frequency range
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    Klokov, AY; Krivobok, VS; Sharkov, AI; Tsvetkov, VA; Martovitskii, VP; Novikov, AV
    2020г. т. 127 номер 15 стр.. - тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1063/1.5129847
    WoS id - WOS:000529955300001

  2. Growth of Si/Si1_xGex/Si (x < 0.1) Quantum Wells by Modulating Ge Molecular Flow. I. Molecular Beam Epitaxy
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Kazakov, IP; Klekovkin, AV; Tsvetkov, VA; Akmaev, MA; Uvarov, OV
    2019г. т. 46 номер 1 стр.. 5-8 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335619010020
    WoS id - WOS:000471162200002

  3. Growth of Si/Si1-xGex/Si (x < 0.1) Quantum Wells by Modulating the Ge Molecular Flow. II. Study of Properties
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Klekovkin, AV; Kazakov, IP; Tsvetkov, VA; Akmaev, MA; Zinov'ev, SA
    2019г. т. 46 номер 3 стр.. 89-92 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335619030047
    WoS id - WOS:000468076200004

  4. Hypersound Waves at the Surface of CdZnTe Crystals: The Role of Surface Orientation and Scattering at Twin Boundaries
    JETP LETTERS
    Klokov, AY; Krivobok, VS; Sharkov, AI; Tsvetkov, VA; Aminev, DF
    2017г. т. 106 номер 8 стр.. 503-508 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S0021364017200097
    WoS id - WOS:000418569400004

  5. Dynamic characteristics of "low-temperature" gallium arsenide for terahertz-range generators and detectors
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Gorbatsevich, AA; Egorkin, VI; Kazakov, IP; Klimenko, OA; Klokov, AY; Mityagin, YA; Murzin, VN; Savinov, SA все авторы
    2015г. т. 42 номер 5 стр.. 121-126 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335615050012
    Scopus id - 2-s2.0-84930675687
    WoS id - WOS:000355703900001
    Science Index - 24046151

  6. Kinetics of accumulation of excess holes under photoexcitation and their relaxation in GaAs/AlGaAs shallow quantum wells
    JETP LETTERS
    Kochiev, MV; Tsvetkov, VA; Sibeldin, NN
    2015г. т. 101 номер 3 стр.. 183-188 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S0021364015030054
    Scopus id - 2-s2.0-84928678732
    WoS id - WOS:000352785500010
    Science Index - 24025909

  7. Graphitized Layer Buried in a Diamond: SAW Generation under Picosecond Optical Excitation
    3RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON LASER ULTRASONICS AND ADVANCED SENSING
    Klokov, A; Tsvetkov, V; Sharkov, A; Aminev, D; Khmelnitskiy, R
    2014г. т. 520 номер стр.. - (цит. wos) 3 тип:

    DOI - 10.1088/1742-6596/520/1/012006
    Scopus id - 2-s2.0-84903592140
    WoS id - WOS:000339494500006
    Science Index - 24063301

  8. Photoluminescence kinetics of multiperiod GaAs/AlGaAs structures with asymmetric barriers promising for making unipolar lasers
    JETP LETTERS
    Aleshchenko, YA; Kapaev, VV; Kochiev, MV; Sadof'ev, YG; Tsvetkov, VA
    2014г. т. 99 номер 4 стр.. 182-186 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S0021364014040043
    Scopus id - 2-s2.0-84899890628
    WoS id - WOS:000335664500002
    Science Index - 21876931

  9. Accumulation of the excess of one type of charge carriers and the formation of trions in GaAs/AlGaAs shallow quantum wells
    JETP LETTERS
    Kochiev, MV; Tsvetkov, VA; Sibeldin, NN
    2012г. т. 95 номер 9 стр.. 481-485 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S0021364012090056
    Scopus id - 2-s2.0-84864089704
    WoS id - WOS:000306427100010
    Science Index - 20477745

  10. Dynamics of the Transition from Strong to Weak Coupling Regime in a System of Exciton Polaritons in Semiconductor Microcavities (vol 109, pg 472, 2009)
    JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS
    Bilykh, VV; Nguyen, MH; Sibeldin, NN; Skorikov, ML; Tsvetkov, VA; Sharkov, AV
    2011г. т. 112 номер 6 стр.. 1077-1077 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063776111120016
    Scopus id - 2-s2.0-80051590893
    WoS id - WOS:000292749700019
    Science Index - 20536869

  11. Nonlinear emission dynamics of a GaAs microcavity with embedded quantum wells
    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
    Belykh, VV; Tsvetkov, VA; Skorikov, ML; Sibeldin, NN
    2011г. т. 23 номер 21 стр.. - (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1088/0953-8984/23/21/215302
    WoS id - WOS:000290476700007

  12. Electron-hole liquid and excitonic molecules in quasi-two-dimensional SiGe layers of Si/SiGe/Si heterostructures
    JETP LETTERS
    Burbaev, TM; Gordeev, MN; Lobanov, DN; Novikov, AV; Rzaev, MM; Sibeldin, NN; Skorikov, ML; Tsvetkov, VA все авторы
    2010г. т. 92 номер 5 стр.. 305-309 (цит. wos) 17 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S002136401017008X
    WoS id - WOS:000284277800008

  13. Dynamics of the transition from strong to weak coupling regime in a system of exciton polaritons in semiconductor microcavities
    JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS
    Bilykh, VV; Nguyen, MH; Sibeldin, NN; Skorikov, ML; Tsvetkov, VA; Sharkov, AV
    2009г. т. 109 номер 3 стр.. 472-479 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063776109090131
    WoS id - WOS:000271105900013

  14. Emission dynamics of a GaAs microcavity with embedded quantum wells under intense nonresonant excitation
    JETP LETTERS
    Bilykh, VV; Nguyen, MH; Sibeldin, NN; Skorikov, ML; Tsvetkov, VA; Sharkov, AV
    2009г. т. 89 номер 11 стр.. 579-582 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S0021364009110113
    WoS id - WOS:000268903100011

  15. Exciton condensation in the compressively strained SiGe layers of Si/SiGe/Si heterostructures
    THIN SOLID FILMS
    Burbaev, TM; Bagaev, VS; Bobrik, EA; Kurbatov, VA; Novikov, AV; Rzaev, MM; Sibeldin, NN; Schaffler, F все авторы
    2008г. т. 517 номер 1 стр.. 55-56 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/j.tsf.2008.08.074
    WoS id - WOS:000261510700016

  16. Nonequilibrium phonons in SiGe quantum-well nanostructures upon excitation by picosecond laser pulses
    PHYSICS OF THE SOLID STATE
    Sharkov, AI; Klokov, AY; Galkina, TI; Tsvetkov, VA
    2008г. т. 50 номер 8 стр.. 1412-1414 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063783408080040
    WoS id - WOS:000258408600004

  17. Electron-hole liquid in strained SiGe layers of silicon heterostructures
    JETP LETTERS
    Burbaev, TM; Bobrik, EA; Kurbatov, VA; Rzaev, MM; Sibel'din, NN; Tsvetkov, VA; Schaffler, F
    2007г. т. 85 номер 7 стр.. 331-334 (цит. wos) 21 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S0021364007070065
    WoS id - WOS:000247414000006

  18. Electron-hole liquid in Si/SiGe heterostructures
    PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B
    Burbaev, TM; Kurbatov, VA; Lichtenberger, H; Rzaev, MM; Sibeldin, NN; Schaeffler, F; Tsvetkov, V
    2007г. т. 893 номер стр.. 441-+ тип:

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000246281800215

  19. Low-temperature molecular beam epitaxy of Ge on Si
    MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
    Leitao, JP; Fonseca, A; Sobolev, NA; Carmo, MC; Franco, N; Sequeira, AD; Burbaev, TM; Kurbatov, VA; Rzaev, MM все авторы
    2005г. т. 8 номер 1-3 стр.. 35-39 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/j.mssp.2004.09.089
    WoS id - WOS:000227056200008

  20. Morphological transformation of a germanium layer grown on a silicon surface by molecular-beam epitaxy at low temperatures
    PHYSICS OF THE SOLID STATE
    Burbaev, TM; Kurbatov, VA; Rzaev, MM; Pogosov, AO; Sibel'din, NN; Tsvetkov, VA; Lichtenberger, H все авторы
    2005г. т. 47 номер 1 стр.. 71-75 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1853448
    WoS id - WOS:000227051100018

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория

Период


С по
Тип



Сортировать по