Acoustic properties of strained SiGe/Si layers in the sub-terahertz frequency range
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Klokov, AY; Krivobok, VS; Sharkov, AI; Tsvetkov, VA; Martovitskii, VP; Novikov, AV
2020г. т. 127 номер 15 стр.. - тип: публикация в журнале

DOI - 10.1063/1.5129847
WoS id - WOS:000529955300001

Growth of Si/Si1_xGex/Si (x < 0.1) Quantum Wells by Modulating Ge Molecular Flow. I. Molecular Beam Epitaxy
BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
Kazakov, IP; Klekovkin, AV; Tsvetkov, VA; Akmaev, MA; Uvarov, OV
2019г. т. 46 номер 1 стр.. 5-8 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3103/S1068335619010020
WoS id - WOS:000471162200002

Growth of Si/Si1-xGex/Si (x < 0.1) Quantum Wells by Modulating the Ge Molecular Flow. II. Study of Properties
BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
Klekovkin, AV; Kazakov, IP; Tsvetkov, VA; Akmaev, MA; Zinov'ev, SA
2019г. т. 46 номер 3 стр.. 89-92 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3103/S1068335619030047
WoS id - WOS:000468076200004

Hypersound Waves at the Surface of CdZnTe Crystals: The Role of Surface Orientation and Scattering at Twin Boundaries
JETP LETTERS
Klokov, AY; Krivobok, VS; Sharkov, AI; Tsvetkov, VA; Aminev, DF
2017г. т. 106 номер 8 стр.. 503-508 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364017200097
WoS id - WOS:000418569400004

Dynamic characteristics of "low-temperature" gallium arsenide for terahertz-range generators and detectors
BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
Gorbatsevich, AA; Egorkin, VI; Kazakov, IP; Klimenko, OA; Klokov, AY; Mityagin, YA; Murzin, VN; Savinov, SA все авторы
2015г. т. 42 номер 5 стр.. 121-126 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3103/S1068335615050012
Scopus id - 2-s2.0-84930675687
WoS id - WOS:000355703900001
Science Index - 24046151

Kinetics of accumulation of excess holes under photoexcitation and their relaxation in GaAs/AlGaAs shallow quantum wells
JETP LETTERS
Kochiev, MV; Tsvetkov, VA; Sibeldin, NN
2015г. т. 101 номер 3 стр.. 183-188 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364015030054
Scopus id - 2-s2.0-84928678732
WoS id - WOS:000352785500010
Science Index - 24025909

Photoluminescence kinetics of multiperiod GaAs/AlGaAs structures with asymmetric barriers promising for making unipolar lasers
JETP LETTERS
Aleshchenko, YA; Kapaev, VV; Kochiev, MV; Sadof'ev, YG; Tsvetkov, VA
2014г. т. 99 номер 4 стр.. 182-186 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364014040043
Scopus id - 2-s2.0-84899890628
WoS id - WOS:000335664500002
Science Index - 21876931

Graphitized Layer Buried in a Diamond: SAW Generation under Picosecond Optical Excitation
3RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON LASER ULTRASONICS AND ADVANCED SENSING
Klokov, A; Tsvetkov, V; Sharkov, A; Aminev, D; Khmelnitskiy, R
2014г. т. 520 номер стр.. - (цит. wos) 2 тип: книга в серии

DOI - 10.1088/1742-6596/520/1/012006
Scopus id - 2-s2.0-84903592140
WoS id - WOS:000339494500006
Science Index - 24063301

Accumulation of the excess of one type of charge carriers and the formation of trions in GaAs/AlGaAs shallow quantum wells
JETP LETTERS
Kochiev, MV; Tsvetkov, VA; Sibeldin, NN
2012г. т. 95 номер 9 стр.. 481-485 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364012090056
Scopus id - 2-s2.0-84864089704
WoS id - WOS:000306427100010
Science Index - 20477745

Dynamics of the Transition from Strong to Weak Coupling Regime in a System of Exciton Polaritons in Semiconductor Microcavities (vol 109, pg 472, 2009)
JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS
Bilykh, VV; Nguyen, MH; Sibeldin, NN; Skorikov, ML; Tsvetkov, VA; Sharkov, AV
2011г. т. 112 номер 6 стр.. 1077-1077 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063776111120016
Scopus id - 2-s2.0-80051590893
WoS id - WOS:000292749700019
Science Index - 20536869

Nonlinear emission dynamics of a GaAs microcavity with embedded quantum wells
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
Belykh, VV; Tsvetkov, VA; Skorikov, ML; Sibeldin, NN
2011г. т. 23 номер 21 стр.. - (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1088/0953-8984/23/21/215302
WoS id - WOS:000290476700007

Electron-hole liquid and excitonic molecules in quasi-two-dimensional SiGe layers of Si/SiGe/Si heterostructures
JETP LETTERS
Burbaev, TM; Gordeev, MN; Lobanov, DN; Novikov, AV; Rzaev, MM; Sibeldin, NN; Skorikov, ML; Tsvetkov, VA все авторы
2010г. т. 92 номер 5 стр.. 305-309 (цит. wos) 16 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S002136401017008X
WoS id - WOS:000284277800008

Dynamics of the transition from strong to weak coupling regime in a system of exciton polaritons in semiconductor microcavities
JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS
Bilykh, VV; Nguyen, MH; Sibeldin, NN; Skorikov, ML; Tsvetkov, VA; Sharkov, AV
2009г. т. 109 номер 3 стр.. 472-479 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063776109090131
WoS id - WOS:000271105900013

Emission dynamics of a GaAs microcavity with embedded quantum wells under intense nonresonant excitation
JETP LETTERS
Bilykh, VV; Nguyen, MH; Sibeldin, NN; Skorikov, ML; Tsvetkov, VA; Sharkov, AV
2009г. т. 89 номер 11 стр.. 579-582 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364009110113
WoS id - WOS:000268903100011

Nonequilibrium phonons in SiGe quantum-well nanostructures upon excitation by picosecond laser pulses
PHYSICS OF THE SOLID STATE
Sharkov, AI; Klokov, AY; Galkina, TI; Tsvetkov, VA
2008г. т. 50 номер 8 стр.. 1412-1414 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063783408080040
WoS id - WOS:000258408600004

Exciton condensation in the compressively strained SiGe layers of Si/SiGe/Si heterostructures
THIN SOLID FILMS
Burbaev, TM; Bagaev, VS; Bobrik, EA; Kurbatov, VA; Novikov, AV; Rzaev, MM; Sibeldin, NN; Schaffler, F все авторы
2008г. т. 517 номер 1 стр.. 55-56 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/j.tsf.2008.08.074
WoS id - WOS:000261510700016

Electron-hole liquid in Si/SiGe heterostructures
PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B
Burbaev, TM; Kurbatov, VA; Lichtenberger, H; Rzaev, MM; Sibeldin, NN; Schaeffler, F; Tsvetkov, V
2007г. т. 893 номер стр.. 441-+ тип: книга в серии

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:000246281800215

Electron-hole liquid in strained SiGe layers of silicon heterostructures
JETP LETTERS
Burbaev, TM; Bobrik, EA; Kurbatov, VA; Rzaev, MM; Sibel'din, NN; Tsvetkov, VA; Schaffler, F
2007г. т. 85 номер 7 стр.. 331-334 (цит. wos) 21 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364007070065
WoS id - WOS:000247414000006

Low-temperature molecular beam epitaxy of Ge on Si
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
Leitao, JP; Fonseca, A; Sobolev, NA; Carmo, MC; Franco, N; Sequeira, AD; Burbaev, TM; Kurbatov, VA; Rzaev, MM все авторы
2005г. т. 8 номер 1-3 стр.. 35-39 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/j.mssp.2004.09.089
WoS id - WOS:000227056200008

Morphological transformation of a germanium layer grown on a silicon surface by molecular-beam epitaxy at low temperatures
PHYSICS OF THE SOLID STATE
Burbaev, TM; Kurbatov, VA; Rzaev, MM; Pogosov, AO; Sibel'din, NN; Tsvetkov, VA; Lichtenberger, H все авторы
2005г. т. 47 номер 1 стр.. 71-75 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1853448
WoS id - WOS:000227051100018