Quantum Oscillations in Strong Magnetic Fields, Berry Phase, and Superconductivity in Three-Dimensional Topological Bi2-xCuxSe3 Insulators
JOURNAL OF EXPERIMENTAL AND THEORETICAL PHYSICS
Vedeneev, SI; Knyazev, DA; Prudkoglyad, VA; Romanova, TA; Sadakov, AV
2015г. т. 121 номер 1 стр.. 65-75 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063776115060217
WoS id - WOS:000360311600007

Superconducting properties of sulfur-doped iron selenide
PHYSICAL REVIEW B
Abdel-Hafiez, M; Zhang, YY; Cao, ZY; Duan, CG; Karapetrov, G; Pudalov, VM; Vlasenko, VA; Sadakov, AV все авторы
2015г. т. 91 номер 16 стр.. - (цит. wos) 70 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1103/PhysRevB.91.165109
Scopus id - 2-s2.0-84929191531
WoS id - WOS:000352189000005

Quantum oscillations in heavily doped bismuth chalcogenides
JETP LETTERS
Golubkov, MV; Gorina, YI; Kalyuzhnaya, GA; Knyazev, DA; Romanova, TA; Rodin, VV; Sadakov, AV; Sentyurina, NN все авторы
2013г. т. 98 номер 8 стр.. 475-479 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364013210066
Scopus id - 2-s2.0-84891315908
WoS id - WOS:000329102000008
Science Index - 21904457

A weakly coupled semiconductor superlattice as a potential for a radio frequency modulated terahertz light emitter
APPLIED PHYSICS LETTERS
Rasulova, GK; Brunkov, PN; Pentin, IV; Egorov, AY; Knyazev, DA; Andrianov, AV; Zakhar'in, AO; Konnikov, SG все авторы
2012г. т. 100 номер 13 стр.. - (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1063/1.3696673
Scopus id - 2-s2.0-84859534378
WoS id - WOS:000302230800004
Science Index - 17982200

Single-electron devices with a mechanical degree of freedom
26TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON LOW TEMPERATURE PHYSICS (LT26), PTS 1-5
Pashkin, YA; Pekola, JP; Knyazev, DA; Li, TF; Kafanov, S; Astafiev, O; Tsai, JS
2012г. т. 400 номер стр.. - тип:

DOI - 10.1088/1742-6596/400/5/052028
Scopus id - 2-s2.0-84873646319
WoS id - WOS:000314977100467
Science Index - 20483523

Detection of mechanical resonance of a single-electron transistor by direct current
APPLIED PHYSICS LETTERS
Pashkin, YA; Li, TF; Pekola, JP; Astafiev, O; Knyazev, DA; Hoehne, F; Im, H; Nakamura, Y; Tsai, JS
2010г. т. 96 номер 26 стр.. - (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1063/1.3455880
WoS id - WOS:000279514400083

Interaction effects in conductivity of a two-valley electron system in high-mobility Si inversion layers
PHYSICAL REVIEW B
Klimov, NN; Knyazev, DA; Omel'yanovskii, OE; Pudalov, VM; Kojima, H; Gershenson, ME
2008г. т. 78 номер 19 стр.. - (цит. wos) 27 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1103/PhysRevB.78.195308
WoS id - WOS:000262607800067

Metal-insulator transition in two dimensions: Experimental test of the two-parameter scaling
PHYSICAL REVIEW LETTERS
Knyazev, DA; Omel'yanovskii, OE; Pudalov, VM; Burmistrov, IS
2008г. т. 100 номер 4 стр.. - (цит. wos) 30 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1103/PhysRevLett.100.046405
WoS id - WOS:000252863400072

Electron-electron interactions in the 2D electron system
SOLID STATE COMMUNICATIONS
Knyazev, DA; Omelyanovskii, OE; Pudalov, VM
2007г. т. 144 номер 12 стр.. 518-520 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/j.ssc.2007.03.059
WoS id - WOS:000251720400004

Critical behavior of transport and magnetotransport in a 2D electron system in Si near the metal-insulator transition
JETP LETTERS
Knyazev, DA; Omel'yanovskii, OE; Pudalov, VM; Burmistrov, IS
2006г. т. 84 номер 12 стр.. 662-666 (цит. wos) 17 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364006240064
WoS id - WOS:000244506900006

Charge transport in a spin-polarized 2D electron system in silicon
JETP LETTERS
Knyazev, DA; Omel'yanovskii, OE; Dormidontov, AS; Pudalov, VM
2006г. т. 83 номер 8 стр.. 332-335 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364006080078
WoS id - WOS:000238843000007

Spin splitting in the quantum Hall effect of disordered GaAs layers with strong overlap of the spin subbands
PHYSICAL REVIEW B
Murzin, SS; Weiss, M; Knyazev, DA; Jansen, AGM; Eberl, K
2005г. т. 71 номер 15 стр.. - (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1103/PhysRevB.71.155328
WoS id - WOS:000228762900089

Nonmonotonic temperature dependence of the Hall resistance of a 2D electron system in silicon
JETP LETTERS
Kuntsevich, AY; Knyazev, DA; Kozub, VI; Pudalov, VM; Brunthaler, G; Bauer, G
2005г. т. 81 номер 8 стр.. 409-412 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1951019
WoS id - WOS:000230279000013