Phonon-driven ultrafast symmetry lowering in a Bi2Se3 crystal
PHYSICAL REVIEW B
Melnikov, AA; Selivanov, YG; Chekalin, SV
2020г. т. 102 номер 22 стр.. - (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1103/PhysRevB.102.224301
WoS id - WOS:000594989600003

Vicinal Growth as a Possible Structural Source of the Nematic Superconductivity in SrxBi2Se3
BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
Martovitskii, VP; Selivanov, YG; Kuntsevich, AY
2020г. т. 47 номер 4 стр.. 119-122 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3103/S1068335620040065
WoS id - WOS:000540138700005

Infrared Optical Conductivity of Bulk Bi2Te2Se
CRYSTALS
Zhukova, ES; Zhang, HB; Martovitskiy, VP; Selivanov, YG; Gorshunov, BP; Dressel, M
2020г. т. 10 номер 7 стр.. - тип: публикация в журнале

DOI - 10.3390/cryst10070553
WoS id - WOS:000558229300001

Bulk Cyclotron Resonance in the Topological Insulator Bi2Te3
CRYSTALS
Kamenskyi, DL; Pronin, AV; Benia, HM; Martovitskii, VP; Pervakov, KS; Selivanov, YG
2020г. т. 10 номер 9 стр.. - тип: публикация в журнале

DOI - 10.3390/cryst10090722
WoS id - WOS:000581213100001

Effect of Barium Codoping on Superconductivity in SrxBi2Se3
JETP LETTERS
Kuntsevich, AY; Rybal'ehenko, GV; Martovitskii, VP; Bannikov, MI; Selivanov, YG; Gavrilkin, SY; Tsvetkov, AY все авторы
2020г. т. 111 номер 3 стр.. 151-156 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S002136402003008X
WoS id - WOS:000526455500005

Strain-driven nematicity of odd-parity superconductivity in SrxBi2Se3
PHYSICAL REVIEW B
Kuntsevich, AY; Bryzgalov, MA; Akzyanov, RS; Martovitskii, VP; Rakhmanov, AL; Selivanov, YG
2019г. т. 100 номер 22 стр.. - (цит. wos) 8 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1103/PhysRevB.100.224509
WoS id - WOS:000502109100004

Superconductivity in Cu Co-Doped SrxBi2Se3 Single Crystals
MATERIALS
Kuntsevich, AY; Martovitskii, VP; Rybalchenko, GV; Selivanov, YG; Bannikov, MI; Sobolevskiy, OA все авторы
2019г. т. 12 номер 23 стр.. - (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3390/ma12233899
WoS id - WOS:000510178700095

Effect of Sr doping on structure, morphology, and transport properties of Bi2Se3 epitaxial thin films
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Volosheniuk, SO; Selivanov, YG; Bryzgalov, MA; Martovitskii, VP; Kuntsevich, AY
2019г. т. 125 номер 9 стр.. - (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1063/1.5080692
WoS id - WOS:000460784900026

Coherent phonons in a Bi2Se3 film generated by an intense single-cycle THz pulse
PHYSICAL REVIEW B
Melnikov, AA; Boldyrev, KN; Selivanov, YG; Martovitskii, VP; Chekalin, SV; Ryabov, EA
2018г. т. 97 номер 21 стр.. - (цит. wos) 11 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1103/PhysRevB.97.214304
WoS id - WOS:000435332300001

Magnetism of Bi2Se3 thin films with Eu-rich flat inclusions
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
Oveshnikov, LN; Rodionov, YI; Kugel, KI; Karateev, IA; Vasiliev, AL; Selivanov, YG; Chizhevskii, EG все авторы
2018г. т. 30 номер 44 стр.. - (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1088/1361-648X/aae0a3
WoS id - WOS:000447051100001

Magnetic and magnetotransport properties of Bi2Se3 thin films doped by Eu
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS
Aronzon, BA; Oveshnikov, LN; Prudkoglyad, VA; Selivanov, YG; Chizhevskii, EG; Kugel, KI; Karateev, IA все авторы
2018г. т. 459 номер стр.. 331-334 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/j.jmmm.2017.09.058
WoS id - WOS:000432615700067

Structural distortion behind the nematic superconductivity in SrxBi(2)Se(3)
NEW JOURNAL OF PHYSICS
Kuntsevich, AY; Bryzgalov, MA; Prudkoglyad, VA; Martovitskii, VP; Selivanov, YG; Chizhevskii,
2018г. т. 20 номер стр.. - (цит. wos) 26 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1088/1367-2630/aae595
WoS id - WOS:000447590200003

Quantum Corrections to the Conductivity and Anisotropy of the Magnetoresistance in Eu-Doped Bi2Se3 Thin Films
JETP LETTERS
Oveshnikov, LN; Prudkoglyad, VA; Selivanov, YG; Chizhevskii, EG; Aronzon, BA
2017г. т. 106 номер 8 стр.. 526-533 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364017200103
WoS id - WOS:000418569400009

Coherent phonons in Bi2Se3 induced by a powerful THz pulse
XI INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON PHOTON ECHO AND COHERENT SPECTROSCOPY (PECS-2017)
Melnikov, A; Boldyrev, K; Selivanov, Y; Martovitskii, V; Chekalin, S; Ryabov, E
2017г. т. 161 номер стр.. - тип: книга в серии

DOI - 10.1051/epjconf/201716101009
WoS id - WOS:000426667500009

Magnetotransport in Thin Epitaxial Bi2Se3 Films
JETP LETTERS
Oveshnikov, LN; Prudkoglyad, VA; Nekhaeva, EI; Kuntsevich, AY; Selivanov, YG; Chizhevskii, EG; Ar
2016г. т. 104 номер 9 стр.. 629-634 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364016210128
WoS id - WOS:000392969500006

Pb1-xEuxTe Alloys (0 <= x <= 1) as Materials for Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers in the Mid-Infrared Spectral Range of 4-5 mu m
SEMICONDUCTORS
Pashkeev, DA; Selivanov, YG; Chizhevskii, EG; Zasavitskiy, II
2016г. т. 50 номер 2 стр.. 228-234 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782616020172
WoS id - WOS:000374410200017

Low-temperature Hall effect in bismuth chalcogenides thin films
PHYSICAL REVIEW B
Kuntsevich, AY; Gabdullin, AA; Prudkogliad, VA; Selivanov, YG; Chizhevskii, EG; Pudalov, VM
2016г. т. 94 номер 23 стр.. - (цит. wos) 11 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1103/PhysRevB.94.235401
WoS id - WOS:000389024600003

Infrared spectroscopy of Bi2Te2Se
JETP LETTERS
Aleshchenko, YA; Muratov, AV; Pavlova, VV; Selivanov, YG; Chizhevskii, EG
2014г. т. 99 номер 4 стр.. 187-190 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364014040031
Scopus id - 2-s2.0-84899790694
WoS id - WOS:000335664500003
Science Index - 21876506

Transmission Spectra of Epitaxial Layers of Pb1-xEuxTe (0 <= x <= 0.37) Solid Solutions in the Frequency Range 7-4000 cm(-1)
PHYSICS OF THE SOLID STATE
Zhukova, ES; Aksenov, NP; Gorshunov, BP; Selivanov, YG; Zasavitskii, II; Wu, D; Dressel, M
2011г. т. 53 номер 4 стр.. 810-814 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063783411040342
Scopus id - 2-s2.0-79955089947
WoS id - WOS:000290439400020
Science Index - 16987502

Dispersion of the refractive index of epitaxial Pb1-xEuxTe (0 <= x <= 1) alloy layers below the absorption edge
SEMICONDUCTORS
Pashkeev, DA; Selivanov, YG; Chizhevskii, EG; Stavrovskii, DB; Zasavitskiy, II
2011г. т. 45 номер 8 стр.. 980-987 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782611080148
Scopus id - 2-s2.0-84860394122
WoS id - WOS:000294025300002
Science Index - 18057085