Electric-field domain boundary instability in weakly coupled semiconductor superlattices
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Rasulova, G. K.; Pentin, I. V.; Brunkov, P. N.; Egorov, A. Yu.
2016г. т. 119 номер 20 стр.. - тип: публикация в журнале

DOI - 10.1063/1.4952379
WoS id - WOS:000377718700020

A weakly coupled semiconductor superlattice as a potential for a radio frequency modulated terahertz light emitter
APPLIED PHYSICS LETTERS
Rasulova, G. K.; Brunkov, P. N.; Pentin, I. V.; Egorov, A. Yu.; Knyazev, D. A.; Andrianov, A. V. все авторы
2012г. т. 100 номер 13 стр.. - (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1063/1.3696673
Scopus id - 2-s2.0-84859534378
WoS id - WOS:000302230800004
Science Index - 17982200

Mutual Synchronization of Two Coupled Self-Oscillators Based on GaAs/AlGaAs Superlattices
TECHNICAL PHYSICS
Rasulova, G. K.; Brunkov, P. N.; Pentin, I. V.; Kovalyuk, V. V.; Gorshkov, K. N.; Kazakov, A. Yu. все авторы
2011г. т. 56 номер 6 стр.. 826-830 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063784211060211
Scopus id - 2-s2.0-79959253750
WoS id - WOS:000292843300013
Science Index - 16995952

Self-oscillations in weakly coupled GaAs/AlGaAs superlattices at 77.3 K
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Rasulova, G. K.; Brunkov, P. N.; Egorov, A. Yu.; Zhukov, A. E.
2009г. т. 105 номер 3 стр.. - (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1063/1.3072697
WoS id - WOS:000263409700047

Higher harmonics in the current oscillations in weakly coupled GaAs/AlGaAs superlattices
SEMICONDUCTORS
Rasulova, G. K.; Brunkov, N. P.; Zhukov, A. E.; Ustinov, V. M.
2006г. т. 40 номер 7 стр.. 825-828 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782606070165
WoS id - WOS:000238683600016

Domain boundary instability in weakly coupled GaAs/AlGaAs superlattices
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
Rasulova, GK; Golubkov, MV; Leonov, AV; Brunkov, PN; Zhukov, AE; Ustinov, VM; Usov, SO; Konnikov
2005г. т. 37 номер 2 стр.. 139-150 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/j.spmi.2004.10.001
WoS id - WOS:000227272100007

Carrier density profile in weakly coupled GaAs/AlGaAs superlattices
SEMICONDUCTORS
Brunkov, PN; Usov, SO; Musikhin, YG; Zhukov, AE; Cirlin, GE; Ustinov, VM; Konnikov, SG; Rasulova
2004г. т. 38 номер 4 стр.. 451-454 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1734673
WoS id - WOS:000220832900014

Self-sustained oscillations in weakly coupled GaAs/AlGaAs superlattices
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
Rasulova, GK; Golubkov, MV; Leonov, AV; Brunkov, PN; Zhukov, AE; Ustinov, VM; Usov, SO; Konnikov
2004г. т. 19 номер 4 стр.. S77-S79 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1088/0268-1242/19/4/027
WoS id - WOS:000220860700028

Dynamic characteristics of weakly coupled GaAs/AlGaAs superlattices
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Rasulova, GK
2000г. т. 88 номер 7 стр.. 4170-4174 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1063/1.1290465
WoS id - WOS:000089371600056

Dynamic characteristics of current hysteresis in weakly coupled superlattices GaAs/AlGaAs
ADVANCED LUMINESCENT MATERIALS AND QUANTUM CONFINEMENT
Rasulova, GK
1999г. т. 99 номер 22 стр.. 137-146 тип: книга

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:000083176000013

Generation in a microstrip-resonator-stabilized double-barrier resonant tunneling structure
SEMICONDUCTORS
Beloushkin, AA; Efimov, YA; Ignat'ev, AS; Karuzskii, AL; Murzin, VN; Perestoronin, AV; Rasulova, GK все авторы
1998г. т. 32 номер 1 стр.. 112-115 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1187365
WoS id - WOS:000071932000024

Capacitance-voltage characteristics of weakly coupled superlattices GaAs/AlGaAs
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
Rasulova, GK; Yakimov, MV; Kadushkin, VI
1998г. т. 24 номер 5 стр.. 313-319 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1006/spmi.1998.0596
WoS id - WOS:000077077800001

Current bistability and switching in weakly coupled superlattices GaAs/AlGaAs
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Rasulova, GK; Efimov, YA; Murzin, VN
1997г. т. 82 номер 7 стр.. 3381-3384 (цит. wos) 13 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1063/1.365651
WoS id - WOS:A1997XY05700032

OPTICAL OBSERVATION OF THE FORMATION OF AN ELECTRIC-FIELD DOMAIN IN AN N(+)-I-N(+) GAAS/ALGAAS SUPERLATTICE WITH WIDE QUANTUM-WELLS
JETP LETTERS
STOKLITSKII, SA; MURZIN, VN; RASULOVA, GK; MITYAGIN, YA; PERESTORONIN, AP; MONEMAR, B; HOLZ, PO; SIN
1995г. т. 61 номер 5 стр.. 405-410 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1995QV95800014

HTSC BOUNDED RESISTANCE FOR PHOTOELECTRONICS
PISMA V ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI
ANTONOVA, EA; BRITOV, AD; KURBATOV, LN; NIGMATULIN, AS; ELESIN, VA; PAVLOVA, LM; RASULOVA, GK; SVIRIDOV, AN все авторы
1990г. т. 16 номер 23 стр.. 9-12 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1990FH68400003

ANISOTROPY OF HOLE DRIFT MOBILITY IN GES SINGLE-CRYSTAL
FIZIKA TVERDOGO TELA
AKIMCHENKO, IP; RASULOVA, GK
1983г. т. 25 номер 9 стр.. 2631-2635 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1983RM74400017

ELECTROABSORPTION SPECTRA OF GES SINGLE-CRYSTALS
CZECHOSLOVAK JOURNAL OF PHYSICS
AKIMCHENKO, IP; RASULOVA, GK; ZAVETOVA, M
1981г. т. 31 номер 6 стр.. 687-690 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1007/BF01605316
WoS id - WOS:A1981LV63900018

ELECTROREFLECTANCE SPECTRA OF SINGLE-CRYSTAL GES AND THE IONIC IRRADIATION EFFECT
FIZIKA TVERDOGO TELA
AKIMCHENKO, IP; RASULOVA, GK
1981г. т. 23 номер 10 стр.. 2923-2928 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1981MW42700009

INFLUENCE OF ION-IMPLANTATION ON THE PHOTOCONDUCTIVITY OF GES
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
AKIMCHENKO, IP; ZAVETOVA, M; KRASNOPEVTSEV, VV; RASULOVA, GK; CHERNOOK, SG
1980г. т. 14 номер 7 стр.. 741-743 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1980KT98800002