Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: researcher ID: M-4754-2015 (Ушаков Виктор Валентинович), период Все года
Найдено публикаций: 34.

Последнее обновление базы: 01.04.2019

  1. Intracenter Radiative Transitions at Tantalum Impurity Centers in Cadmium Telluride
    SEMICONDUCTORS
    Ushakov, V. V.; Aminev, D. F.; Krivobok, V. S.
    2018г. т. 52 номер 13 стр.. 1686-1690 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782618130201
    WoS id - WOS:000454274200007

  2. Luminescence of Tungsten Centers in Zinc Selenide
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Ushakov, V. V.; Dravin, V. A.
    2017г. т. 44 номер 4 стр.. 111-113 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335617040054
    WoS id - WOS:000401706400005

  3. Radiative d-d Transitions at Tungsten Centers in II-VI Semiconductors
    SEMICONDUCTORS
    Ushakov, V. V.; Krivobok, V. S.; Pruchkina, A. A.
    2017г. т. 51 номер 3 стр.. 322-325 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782617030253
    WoS id - WOS:000397924100009

  4. Ion implantation of erbium into polycrystalline cadmium telluride
    SEMICONDUCTORS
    Ushakov, V. V.; Klevkov, Yu. V.; Dravin, V. A.
    2015г. т. 49 номер 5 стр.. 630-633 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782615050267
    Scopus id - 2-s2.0-84928911699
    WoS id - WOS:000354103400014
    Science Index - 24028055

  5. Y and Z luminescence of polycrystalline cadmium telluride
    PHYSICS OF THE SOLID STATE
    Ushakov, V. V.; Klevkov, Yu. V.
    2010г. т. 52 номер 11 стр.. 2345-2351 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S106378341011020X
    WoS id - WOS:000284323500020

  6. Formation and Optical Properties of CdSSe Semiconductor Nanocrystals in the Silicate Glass Matrix
    PHYSICS OF THE SOLID STATE
    Ushakov, V. V.; Aronin, A. S.; Karavanskii, V. A.; Gippius, A. A.
    2009г. т. 51 номер 10 стр.. 2161-2165 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S106378340910028X
    WoS id - WOS:000270743500028

  7. Y and Z luminescence of polycrystalline cadmium telluride grown by a nonequilibrium reaction of the direct synthesis of components
    SEMICONDUCTORS
    Ushakov, V. V.; Klevkov, Yu. V.
    2008г. т. 42 номер 5 стр.. 522-527 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782608050060
    WoS id - WOS:000255747900006

  8. Microphotoluminescence of undoped cadmium telluride grown by nonequilibrium direct synthesis from the flow of components' vapors
    SEMICONDUCTORS
    Ushakov, V. V.; Klevkov, Yu. V.
    2007г. т. 41 номер 2 стр.. 136-139 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782607020030
    WoS id - WOS:000244304800003

  9. Microphotoluminescence of undoped single-crystal zinc telluride produced by nonequilibrium vapor-phase growth techniques
    SEMICONDUCTORS
    Ushakov, VV; Klevkov, YV
    2005г. т. 39 номер 9 стр.. 993-997 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.2042585
    WoS id - WOS:000231907900002

  10. Microphotoluminescence spectra of cadmium telluride grown under nonequilibrium conditions
    SEMICONDUCTORS
    Ushakov, VV; Klevkov, YV
    2003г. т. 37 номер 9 стр.. 1042-1046 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1610115
    WoS id - WOS:000185191400005

  11. Effect of grain boundaries on the properties of cadmium telluride grown under nonequilibrium conditions
    SEMICONDUCTORS
    Ushakov, VV; Klevkov, YV
    2003г. т. 37 номер 11 стр.. 1259-1263 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1626204
    WoS id - WOS:000186273400005

  12. Optical activity of Yb in GaAs and low-dimensional GaAs GaAlAs structures
    SEMICONDUCTORS
    Gippius, AA; Konnov, VM; Dravin, VA; Loiko, NN; Kazakov, IP; Ushakov, VV
    1999г. т. 33 номер 6 стр.. 627-629 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1187743
    WoS id - WOS:000080875900011

  13. Ion implantation of porous gallium phosphide
    SEMICONDUCTORS
    Ushakov, VV; Dravin, VA; Mel'nik, NN; Zavaritskaya, TV; Loiko, NN; Karavanskii, VA; Konstantinova, EA все авторы
    1998г. т. 32 номер 8 стр.. 886-890 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1187478
    WoS id - WOS:000076068700017

  14. Efficient Yb luminescent complexes in GaAs
    COMPOUND SEMICONDUCTORS 1996
    Loyko, NN; Konnov, VM; Larikova, TV; Dravin, VA; Ushakov, VV; Gippius, AA
    1997г. т. номер 155 стр.. 569-572 тип: книга в серии

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1997BJ12N00132

  15. Yb luminescence centres in MBE-grown and ion-implanted GaAs
    DEFECTS IN SEMICONDUCTORS - ICDS-19, PTS 1-3
    Gippius, AA; Konnov, VM; Loyko, NN; Ushakov, VV; Larikova, TV; Kazakov, IP; Dravin, VA; Sobolev,
    1997г. т. 258-2 номер стр.. 917-922 (цит. wos) 1 тип: книга в серии

    DOI - 10.4028/www.scientific.net/MSF.258-263.917
    WoS id - WOS:000072749500149

  16. Radiation hardness of porous silicon
    SEMICONDUCTORS
    Ushakov, VV; Dravin, VA; Melnik, NN; Karavanskii, VA; Konstantinova, EA; Timoshenko, VY
    1997г. т. 31 номер 9 стр.. 966-969 (цит. wos) 11 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1187143
    WoS id - WOS:A1997XY07100021

  17. Activation of Yb luminescence in GaAs by group VI elements codoping
    RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II
    Konnov, VM; Larikova, TV; Loyko, NN; Dravin, VA; Ushakov, VV; Gippius, AA
    1996г. т. 422 номер стр.. 187-192 (цит. wos) 3 тип: книга в серии

    DOI - 10.1557/PROC-422-187
    WoS id - WOS:A1996BG61W00028

  18. Luminescent rare-earth complexes in ion-implanted GaAs
    TENTH FEOFILOV SYMPOSIUM ON SPECTROSCOPY OF CRYSTALS ACTIVATED BY RARE-EARTH AND TRANSITIONAL-METAL IONS
    Konnov, VM; Larikova, TV; Loyko, NN; Dravin, VA; Ushakov, VV; Gippius, AA
    1996г. т. 2706 номер стр.. 265-271 тип: книга

    DOI - 10.1117/12.229155
    WoS id - WOS:A1996BF13C00033

  19. YB LUMINESCENCE IN ION-IMPLANTED GAAS
    SOLID STATE COMMUNICATIONS
    KONNOV, VM; LARIKOVA, TV; LOYKO, NN; DRAVIN, VA; USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA
    1995г. т. 96 номер 11 стр.. 839-842 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0038-1098(95)00582-X
    WoS id - WOS:A1995TB45700006

  20. PHOTOINDUCED FORMATION OF SURFACE RECOMBINATION CENTERS IN GALLIUM-ARSENIDE
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    GUKASYAN, AM; USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA; MARKOV, AV
    1992г. т. 26 номер 3 стр.. 296-298 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1992JP30600020

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория

Период


С по
Тип



Сортировать по