Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: researcher ID: M-3623-2015 (Казаков Игорь Петрович), период Все года
Найдено публикаций: 59.

Последнее обновление базы: 05.04.2021

  1. Investigation of GaAsBi epitaxial layers for THz emitters pumped by long-wavelength fiber lasers
    OPTICAL MATERIALS
    Savinov, SA; Nagaraja, KK; Mityagin, YA; Danilov, PA; Kudryashov, SI; Ionin, AA; Kazakov, IP; Tsekhosh, VI все авторы
    2020г. т. 101 номер стр.. - тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/j.optmat.2020.109716
    WoS id - WOS:000527936300011

  2. Growth of Si/Si1_xGex/Si (x < 0.1) Quantum Wells by Modulating Ge Molecular Flow. I. Molecular Beam Epitaxy
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Kazakov, IP; Klekovkin, AV; Tsvetkov, VA; Akmaev, MA; Uvarov, OV
    2019г. т. 46 номер 1 стр.. 5-8 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335619010020
    WoS id - WOS:000471162200002

  3. Growth of Si/Si1-xGex/Si (x < 0.1) Quantum Wells by Modulating the Ge Molecular Flow. II. Study of Properties
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Klekovkin, AV; Kazakov, IP; Tsvetkov, VA; Akmaev, MA; Zinov'ev, SA
    2019г. т. 46 номер 3 стр.. 89-92 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335619030047
    WoS id - WOS:000468076200004

  4. Microstructure of QD-like clusters in GaAs/In(As,Bi) heterosystems
    JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
    Likhachev, IA; Trunkin, IN; Tsekhosh, VI; Prutskov, GV; Subbotin, IA; Klekovkin, AV; Pashaev, EM все авторы
    2018г. т. 33 номер 16 стр.. 2342-2349 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1557/jmr.2018.254
    WoS id - WOS:000443025100009

  5. Photoreflectance Spectroscopy Study of LT-GaAs Layers Grown on Si and GaAs Substrates
    SEMICONDUCTORS
    Avakyants, LP; Bokov, PY; Kazakov, IP; Bazalevsky, MA; Deev, PM; Chervyakov, AV
    2018г. т. 52 номер 7 стр.. 849-852 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782618070023
    WoS id - WOS:000434719800006

  6. Orientation-Patterned Templates GaAs/Ge/GaAs for Nonlinear Optical Devices. I. Molecular Beam Epitaxy
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Kazakov, IP; Tsekhosh, VI; Bazalevsky, MA; Klekovkin, AV
    2017г. т. 44 номер 7 стр.. 187-191 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335617070016
    WoS id - WOS:000409092400001

  7. Resonant tunneling GaAs/AlGaAs quantum well structures for p-i-n photovoltaic cells
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Nagaraja, KK; Telenkov, MP; Kazakov, IP; Savinov, SA; Mityagin, YA
    2017г. т. 44 номер 3 стр.. 72-76 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335617030058
    WoS id - WOS:000399811400005

  8. GaAs(1-x)Bix: A Promising Material for Optoelectronics Applications
    CRITICAL REVIEWS IN SOLID STATE AND MATERIALS SCIENCES
    Nagaraja, KK; Mityagin, YA; Telenkov, MP; Kazakov, IP
    2017г. т. 42 номер 3 стр.. 239-265 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1080/10408436.2016.1186007
    WoS id - WOS:000399573000003

  9. Orientation-patterned templates GaAs/Ge/GaAs for nonlinear optical devices. II. Investigation of properties
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Kazakov, IP; Pruchkina, AA; Bazalevsky, MA; Klekovkin, AV; Tsekhosh, VI
    2017г. т. 44 номер 8 стр.. 223-227 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335617080024
    WoS id - WOS:000409096700002

  10. Electrically stimulated high-frequency replicas of a resonant current in GaAs/AlAs resonant-tunneling double-barrier THz nanostructures
    INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICRO- AND NANO-ELECTRONICS 2016
    Aleksanyan, AA; Karuzskii, AL; Kazakov, IP; Mityagin, YA; Murzin, VN; Perestoronin, AV; Shmelev, SS все авторы
    2016г. т. 10224 номер стр.. - тип: книга в серии

    DOI - 10.1117/12.2266863
    WoS id - WOS:000393152900024

  11. Development of GaAs/AlGaAs quantum well structures providing a resonant tunneling regime in an electric field of p-i-n junction
    MATERIALS TODAY-PROCEEDINGS
    Nagaraja, KK; Telenkov, MP; Kazakov, IP; Savinov, SA; Mityagin, YA
    2016г. т. 3 номер 8 стр.. 2744-2747 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/j.matpr.2016.06.021
    WoS id - WOS:000398483700020

  12. Electron microscopy of an aluminum layer grown on the vicinal surface of a gallium arsenide substrate
    SEMICONDUCTORS
    Lovygin, MV; Borgardt, NI; Kazakov, IP; Seibt, M
    2015г. т. 49 номер 3 стр.. 337-344 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782615030136
    Scopus id - 2-s2.0-84924411676
    WoS id - WOS:000350807700011
    Science Index - 24015815

  13. Study of the structure of a thin aluminum layer on the vicinal surface of a gallium arsenide substrate by high-resolution electron microscopy
    SEMICONDUCTORS
    Lovygin, MV; Borgardt, NI; Seibt, M; Kazakov, IP; Tsikunov, AV
    2015г. т. 49 номер 13 стр.. 1714-1717 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782615130102
    Scopus id - 2-s2.0-84949963913
    WoS id - WOS:000366649500008

  14. AlGaAs/GaAs photodetectors for detection of luminescent light from scintillators
    16TH RUSSIAN YOUTH CONFERENCE ON PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND NANOSTRUCTURES, OPTO- AND NANOELECTRONICS
    Bazalevsky, M; Didenko, S; Yurchuk, S; Legotin, S; Rabinovich, O; Hrustaleva, T; Suvorova, T; Kaza
    2015г. т. 586 номер стр.. - (цит. wos) 2 тип: книга в серии

    DOI - 10.1088/1742-6596/586/1/012018
    Scopus id - 2-s2.0-84930192777
    WoS id - WOS:000352352300018

  15. Dynamic characteristics of "low-temperature" gallium arsenide for terahertz-range generators and detectors
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Gorbatsevich, AA; Egorkin, VI; Kazakov, IP; Klimenko, OA; Klokov, AY; Mityagin, YA; Murzin, VN; Savinov, SA все авторы
    2015г. т. 42 номер 5 стр.. 121-126 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335615050012
    Scopus id - 2-s2.0-84930675687
    WoS id - WOS:000355703900001
    Science Index - 24046151

  16. Characterization of the spatial inhomogeneity of heterointerfaces in GaAs/AlGaAs quantum wells by photoreflectance spectroscopy
    SEMICONDUCTORS
    Avakyants, LP; Bokov, PY; Galiev, GB; Kazakov, IP; Chervyakov, A
    2015г. т. 49 номер 9 стр.. 1202-1206 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782615090031
    Scopus id - 2-s2.0-84940884747
    WoS id - WOS:000360762000018
    Science Index - 24945989

  17. Structural studies of Al thin layer on misoriented GaAs(100) substrate by transmission electron microscopy
    PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 12, NO 8
    Lovygin, MV; Borgardt, NI; Kazakov, IP; Seibt, M
    2015г. т. 12 номер 8 стр.. 1148-1151 (цит. wos) 1 тип: книга в серии

    DOI - 10.1002/pssc.201400357
    Scopus id - 2-s2.0-84939653665
    WoS id - WOS:000360155700020

  18. Diagnostics of heterostructures of resonant-tunneling diodes during epitaxial growth. II. Monitoring techniques based on reflection method
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Kazakov, IP; Bazalevskii, MA; Kapaev, VV; Tsekhosh, VI
    2013г. т. 40 номер 3 стр.. 68-73 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335613030032
    Scopus id - 2-s2.0-84876010516
    WoS id - WOS:000317128400003
    Science Index - 20431015

  19. Single-well resonant-tunneling diode heterostructures based on In0.53Ga0.47As/AlAs/InP with the peak-to-valley current ratio of 22:1 at room temperature
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Syzranov, VS; Klimenko, OA; Ermolov, AS; Kazakov, IP; Shmelev, SS; Egorkin, VI; Murzin, VN
    2013г. т. 40 номер 8 стр.. 240-243 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S106833561308006X
    Scopus id - 2-s2.0-84884142122
    WoS id - WOS:000324330800006
    Science Index - 20455324

  20. Comprehensive study of structural and optical properties of LT-GaAs epitaxial structures
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Burbaev, TM; Gorbatsevich, AA; Egorkin, VI; Kazakov, IP; Martovitskii, VP; Mel'nik, NN; Mityagin, YA все авторы
    2013г. т. 40 номер 8 стр.. 219-224 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335613080022
    Scopus id - 2-s2.0-84884154869
    WoS id - WOS:000324330800002
    Science Index - 20455447

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория

Период


С по
Тип



Сортировать по