Growth of Si/Si1_xGex/Si (x < 0.1) Quantum Wells by Modulating Ge Molecular Flow. I. Molecular Beam Epitaxy
BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
Kazakov, IP; Klekovkin, AV; Tsvetkov, VA; Akmaev, MA; Uvarov, OV
2019г. т. 46 номер 1 стр.. 5-8 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3103/S1068335619010020
WoS id - WOS:000471162200002

Growth of Si/Si1-xGex/Si (x < 0.1) Quantum Wells by Modulating the Ge Molecular Flow. II. Study of Properties
BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
Klekovkin, AV; Kazakov, IP; Tsvetkov, VA; Akmaev, MA; Zinov'ev, SA
2019г. т. 46 номер 3 стр.. 89-92 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3103/S1068335619030047
WoS id - WOS:000468076200004

Microstructure of QD-like clusters in GaAs/In(As,Bi) heterosystems
JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
Likhachev, IA; Trunkin, IN; Tsekhosh, VI; Prutskov, GV; Subbotin, IA; Klekovkin, AV; Pashaev, EM все авторы
2018г. т. 33 номер 16 стр.. 2342-2349 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1557/jmr.2018.254
WoS id - WOS:000443025100009

Prompt increase of ultrashort laser pulse transmission through thin silver films
APPLIED PHYSICS LETTERS
Bezhanov, SG; Danilov, PA; Klekovkin, AV; Kudryashov, SI; Rudenko, AA; Uryupin, SA
2018г. т. 112 номер 11 стр.. - (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1063/1.5020957
WoS id - WOS:000428456800030

Orientation-Patterned Templates GaAs/Ge/GaAs for Nonlinear Optical Devices. I. Molecular Beam Epitaxy
BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
Kazakov, IP; Tsekhosh, VI; Bazalevsky, MA; Klekovkin, AV
2017г. т. 44 номер 7 стр.. 187-191 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3103/S1068335617070016
WoS id - WOS:000409092400001

Photoluminescence and infrared spectroscopy studies of thin Ge1-xSnx heterostructures
18TH RUSSIAN YOUTH CONFERENCE ON PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND NANOSTRUCTURES, OPTO- AND NANOELECTRONICS
Krivobok, VS; Aleshchenko, YA; Martovitsky, VM; Klekovkin, AV; Bazalevsky, MA; Mehiya, AB
2017г. т. 816 номер стр.. - тип: книга в серии

DOI - 10.1088/1742-6596/816/1/012021
WoS id - WOS:000426439100021

Orientation-patterned templates GaAs/Ge/GaAs for nonlinear optical devices. II. Investigation of properties
BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
Kazakov, IP; Pruchkina, AA; Bazalevsky, MA; Klekovkin, AV; Tsekhosh, VI
2017г. т. 44 номер 8 стр.. 223-227 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3103/S1068335617080024
WoS id - WOS:000409096700002

Alloyed Si/Al-based ohmic contacts to AlGaN/GaN nitride heterostructures
SEMICONDUCTORS
Slapovskiy, DN; Pavlov, AY; Pavlov, VY; Klekovkin, AV
2017г. т. 51 номер 4 стр.. 438-443 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782617040194
WoS id - WOS:000400006100006

Investigation of the thermal stability of metastable GeSn epitaxial layers
SEMICONDUCTORS
Martovitsky, VP; Sadofyev, YG; Klekovkin, AV; Saraikin, VV; Vasil'evskii, IS
2016г. т. 50 номер 11 стр.. 1548-1553 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S106378261611018X
WoS id - WOS:000387363900025

Sn-Enriched Ge/GeSn Nanostructures Grown by MBE on (001) GaAs and Si Wafers
SEMICONDUCTORS
Sadofyev, YG; Martovitsky, VP; Klekovkin, AV; Saraykin, VV; Vasil'evskii, IS
2015г. т. 49 номер 12 стр.. 1564-1570 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782615120179
WoS id - WOS:000366649300005

Ge/GeSn heterostructures grown on Si (100) by molecular-beam epitaxy
SEMICONDUCTORS
Sadofyev, YG; Martovitsky, VP; Bazalevsky, MA; Klekovkin, AV; Averyanov, DV; Vasil'evskii, I
2015г. т. 49 номер 1 стр.. 124-129 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782615010248
Scopus id - 2-s2.0-84920607877
WoS id - WOS:000347698500025
Science Index - 23963497