Microstructure of QD-like clusters in GaAs/In(As,Bi) heterosystems
JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
Likhachev, Igor A.; Trunkin, Igor N.; Tsekhosh, Vladimir, I; Prutskov, Grigory, V; Subbotin, Ilia A. все авторы
2018г. т. 33 номер 16 стр.. 2342-2349 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1557/jmr.2018.254
WoS id - WOS:000443025100009

Prompt increase of ultrashort laser pulse transmission through thin silver films
APPLIED PHYSICS LETTERS
Bezhanov, S. G.; Danilov, P. A.; Klekovkin, A. V.; Kudryashov, S. I.; Rudenko, A. A.; Uryupin,
2018г. т. 112 номер 11 стр.. - тип: публикация в журнале

DOI - 10.1063/1.5020957
WoS id - WOS:000428456800030

Orientation-patterned templates GaAs/Ge/GaAs for nonlinear optical devices. II. Investigation of properties
BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
Kazakov, I. P.; Pruchkina, A. A.; Bazalevsky, M. A.; Klekovkin, A. V.; Tsekhosh, V. I.
2017г. т. 44 номер 8 стр.. 223-227 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3103/S1068335617080024
WoS id - WOS:000409096700002

Orientation-Patterned Templates GaAs/Ge/GaAs for Nonlinear Optical Devices. I. Molecular Beam Epitaxy
BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
Kazakov, I. P.; Tsekhosh, V. I.; Bazalevsky, M. A.; Klekovkin, A. V.
2017г. т. 44 номер 7 стр.. 187-191 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3103/S1068335617070016
WoS id - WOS:000409092400001

Photoluminescence and infrared spectroscopy studies of thin Ge1-xSnx heterostructures
18TH RUSSIAN YOUTH CONFERENCE ON PHYSICS OF SEMICONDUCTORS AND NANOSTRUCTURES, OPTO- AND NANOELECTRONICS
Krivobok, V. S.; Aleshchenko, Yu A.; Martovitsky, V. M.; Klekovkin, A. V.; Bazalevsky, M. A.; M
2017г. т. 816 номер стр.. - тип: книга в серии

DOI - 10.1088/1742-6596/816/1/012021
WoS id - WOS:000426439100021

Investigation of the thermal stability of metastable GeSn epitaxial layers
SEMICONDUCTORS
Martovitsky, V. P.; Sadofyev, Yu. G.; Klekovkin, A. V.; Saraikin, V. V.; Vasil'evskii, I.
2016г. т. 50 номер 11 стр.. 1548-1553 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S106378261611018X
WoS id - WOS:000387363900025

Ge/GeSn heterostructures grown on Si (100) by molecular-beam epitaxy
SEMICONDUCTORS
Sadofyev, Yu G.; Martovitsky, V. P.; Bazalevsky, M. A.; Klekovkin, A. V.; Averyanov, D. V. все авторы
2015г. т. 49 номер 1 стр.. 124-129 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782615010248
Scopus id - 2-s2.0-84920607877
WoS id - WOS:000347698500025
Science Index - 23963497

Sn-Enriched Ge/GeSn Nanostructures Grown by MBE on (001) GaAs and Si Wafers
SEMICONDUCTORS
Sadofyev, Yu. G.; Martovitsky, V. P.; Klekovkin, A. V.; Saraykin, V. V.; Vasil'evskii, I.
2015г. т. 49 номер 12 стр.. 1564-1570 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782615120179
WoS id - WOS:000366649300005