Hopping Conductivity in Poly(p-Xylylene)-Fe Nanocomposites
TECHNICAL PHYSICS LETTERS
Vdovichenko, A. Yu.; Oveshnikov, L. N.; Orekhov, A. S.; Zav'yalov, S. A.; Aronzon, B. A.; Chva
2018г. т. 44 номер 10 стр.. 890-893 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063785018100152
WoS id - WOS:000453229900011

High-temperature magnetism and microstructure of a semiconducting ferromagnetic (GaSb)(1-x)(MnSb)(x) alloy
BEILSTEIN JOURNAL OF NANOTECHNOLOGY
Oveshnikov, Leonid N.; Nekhaeva, Elena, I; Kochura, Alexey, V; Davydov, Alexander B.; Shakhov, Mikhail A. все авторы
2018г. т. 9 номер стр.. 2457-2465 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3762/bjnano.9.230
WoS id - WOS:000444722300001

Magnetism of Bi2Se3 thin films with Eu-rich flat inclusions
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
Oveshnikov, L. N.; Rodionov, Ya, I; Kugel, K., I; Karateev, I. A.; Vasiliev, A. L.; Selivanov, Yu G. все авторы
2018г. т. 30 номер 44 стр.. - (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1088/1361-648X/aae0a3
WoS id - WOS:000447051100001

Magnetic and magnetotransport properties of Bi2Se3 thin films doped by Eu
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS
Aronzon, B. A.; Oveshnikov, L. N.; Prudkoglyad, V. A.; Selivanov, Yu. G.; Chizhevskii, E. G.; Kugel, K. I. все авторы
2018г. т. 459 номер стр.. 331-334 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/j.jmmm.2017.09.058
WoS id - WOS:000432615700067

Study of the "metal-insulator" transition induced by the impurity fluctuation potential using the Shubnikov-de Haas effect
BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
Oveshnikov, L. N.; Davydov, A. B.; Kulbachinskii, V. A.; Aronzon, B. A.
2017г. т. 44 номер 5 стр.. 143-146 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3103/S1068335617050050
WoS id - WOS:000403640500005

Quantum Corrections to the Conductivity and Anisotropy of the Magnetoresistance in Eu-Doped Bi2Se3 Thin Films
JETP LETTERS
Oveshnikov, L. N.; Prudkoglyad, V. A.; Selivanov, Yu. G.; Chizhevskii, E. G.; Aronzon, B. A.
2017г. т. 106 номер 8 стр.. 526-533 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364017200103
WoS id - WOS:000418569400009

Quantum corrections to the conductivity and anomalous Hall effect in InGaAs quantum wells with a spatially separated Mn impurity
SEMICONDUCTORS
Oveshnikov, L. N.; Nekhaeva, E. I.
2017г. т. 51 номер 10 стр.. 1313-1320 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782617100177
WoS id - WOS:000412461400007

Structure and magnetic properties of Ni-poly(p-xylylene) nanocomposites synthesized by vapor deposition polymerization
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS
Ozerin, Sergei A.; Vdovichenko, Artem Yu.; Streltsov, Dmitry R.; Davydov, Alexander B.; Orekhov, Anton S. все авторы
2017г. т. 111 номер стр.. 245-253 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/j.jpcs.2017.08.004
WoS id - WOS:000412609200033

Electron Mobilities and Effective Masses in InGaAs/InAlAs HEMT Structures with High In Content
JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
Yuzeeva, N. A.; Sorokoumova, A. V.; Lunin, R. A.; Oveshnikov, L. N.; Galiev, G. B.; Klimov, E. A. все авторы
2016г. т. 185 номер 5-6 стр.. 701-706 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1007/s10909-016-1589-6
WoS id - WOS:000387226100048

Magnetotransport in Thin Epitaxial Bi2Se3 Films
JETP LETTERS
Oveshnikov, L. N.; Prudkoglyad, V. A.; Nekhaeva, E. I.; Kuntsevich, A. Yu.; Selivanov, Yu. G. все авторы
2016г. т. 104 номер 9 стр.. 629-634 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364016210128
WoS id - WOS:000392969500006

Anomalous hall effect in the In1-x Mn (x) Sb dilute magnetic semiconductor with MnSb inclusions
JETP LETTERS
Yakovleva, E. I.; Oveshnikov, L. N.; Kochura, A. V.; Lisunov, K. G.; Lahderanta, E.; Aronzon,
2015г. т. 101 номер 2 стр.. 130-135 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364015020149
Scopus id - 2-s2.0-84927674087
WoS id - WOS:000352657100012
Science Index - 24023070

Anomalous hall effect in a 2D heterostructure including a GaAs/InGaAs/GaAs quantum well with a remote Mn delta-layer
JETP LETTERS
Oveshnikov, L. N.; Kulbachinskii, V. A.; Davydov, A. B.; Aronzon, B. A.
2015г. т. 100 номер 9 стр.. 570-575 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364014210127
Scopus id - 2-s2.0-84921929271
WoS id - WOS:000348305300007
Science Index - 23970243

Berry phase mechanism of the anomalous Hall effect in a disordered two-dimensional magnetic semiconductor structure
SCIENTIFIC REPORTS
Oveshnikov, L. N.; Kulbachinskii, V. A.; Davydov, A. B.; Aronzon, B. A.; Rozhansky, I. V.; Averkiev, N. S. все авторы
2015г. т. 5 номер стр.. - (цит. wos) 12 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1038/srep17158
Scopus id - 2-s2.0-84948128287
WoS id - WOS:000365198400003
Science Index - 24973965

Influence of buffer-layer construction and substrate orientation on the electron mobilities in metamorphic In0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24As/In0.70Al0.30As structures on GaAs substrates
SEMICONDUCTORS
Kulbachinskii, V. A.; Oveshnikov, L. N.; Lunin, R. A.; Yuzeeva, N. A.; Galiev, G. B.; Klimov, E. A. все авторы
2015г. т. 49 номер 7 стр.. 921-929 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782615070131
WoS id - WOS:000358067600012

Experimental determination of the electron effective masses and mobilities in each dimensionally-quantized subband in an In (x) Ga1-x As quantum well with InAs inserts
SEMICONDUCTORS
Kulbachinskii, V. A.; Oveshnikov, L. N.; Lunin, R. A.; Yuzeeva, N. A.; Galiev, G. B.; Klimov, E. A. все авторы
2015г. т. 49 номер 2 стр.. 199-208 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782615020165
WoS id - WOS:000349445400012

Shubnikov de Haas Effect and Electron Mobilities in the Isomorphic InGaAs Quantum Well With the InAs Insert on the InP Substrate
27TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON LOW TEMPERATURE PHYSICS (LT27), PTS 1-5
Kulbachinskii, V. A.; Oveshnikov, L. N.; Lunin, R. A.; Yuzeeva, N. A.; Galiev, G. B.; Klimov, E
2014г. т. 568 номер стр.. - тип: книга в серии

DOI - 10.1088/1742-6596/568/5/052013
WoS id - WOS:000351433700148

Anomalous Hole Transport and Ferromagnetism in Doped with Mn GaAs/InGaAs/GaAs Quantum Well or GaAs/InAs/GaAs Quantum Dot Layer
NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY LETTERS
Kulbachinskii, V. A.; Gurin, P. V.; Oveshnikov, L. N.
2012г. т. 4 номер 6 стр.. 634-640 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1166/nnl.2012.1359
WoS id - WOS:000307195900011