Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: researcher ID: F-5016-2015 (Овешников Леонид Николаевич), период Все года
Найдено публикаций: 17.

Последнее обновление базы: 01.04.2019

  1. Hopping Conductivity in Poly(p-Xylylene)-Fe Nanocomposites
    TECHNICAL PHYSICS LETTERS
    Vdovichenko, A. Yu.; Oveshnikov, L. N.; Orekhov, A. S.; Zav'yalov, S. A.; Aronzon, B. A.; Chva
    2018г. т. 44 номер 10 стр.. 890-893 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063785018100152
    WoS id - WOS:000453229900011

  2. High-temperature magnetism and microstructure of a semiconducting ferromagnetic (GaSb)(1-x)(MnSb)(x) alloy
    BEILSTEIN JOURNAL OF NANOTECHNOLOGY
    Oveshnikov, Leonid N.; Nekhaeva, Elena, I; Kochura, Alexey, V; Davydov, Alexander B.; Shakhov, Mikhail A. все авторы
    2018г. т. 9 номер стр.. 2457-2465 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3762/bjnano.9.230
    WoS id - WOS:000444722300001

  3. Magnetism of Bi2Se3 thin films with Eu-rich flat inclusions
    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
    Oveshnikov, L. N.; Rodionov, Ya, I; Kugel, K., I; Karateev, I. A.; Vasiliev, A. L.; Selivanov, Yu G. все авторы
    2018г. т. 30 номер 44 стр.. - (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1088/1361-648X/aae0a3
    WoS id - WOS:000447051100001

  4. Magnetic and magnetotransport properties of Bi2Se3 thin films doped by Eu
    JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS
    Aronzon, B. A.; Oveshnikov, L. N.; Prudkoglyad, V. A.; Selivanov, Yu. G.; Chizhevskii, E. G.; Kugel, K. I. все авторы
    2018г. т. 459 номер стр.. 331-334 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/j.jmmm.2017.09.058
    WoS id - WOS:000432615700067

  5. Study of the "metal-insulator" transition induced by the impurity fluctuation potential using the Shubnikov-de Haas effect
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Oveshnikov, L. N.; Davydov, A. B.; Kulbachinskii, V. A.; Aronzon, B. A.
    2017г. т. 44 номер 5 стр.. 143-146 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335617050050
    WoS id - WOS:000403640500005

  6. Quantum Corrections to the Conductivity and Anisotropy of the Magnetoresistance in Eu-Doped Bi2Se3 Thin Films
    JETP LETTERS
    Oveshnikov, L. N.; Prudkoglyad, V. A.; Selivanov, Yu. G.; Chizhevskii, E. G.; Aronzon, B. A.
    2017г. т. 106 номер 8 стр.. 526-533 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S0021364017200103
    WoS id - WOS:000418569400009

  7. Quantum corrections to the conductivity and anomalous Hall effect in InGaAs quantum wells with a spatially separated Mn impurity
    SEMICONDUCTORS
    Oveshnikov, L. N.; Nekhaeva, E. I.
    2017г. т. 51 номер 10 стр.. 1313-1320 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782617100177
    WoS id - WOS:000412461400007

  8. Structure and magnetic properties of Ni-poly(p-xylylene) nanocomposites synthesized by vapor deposition polymerization
    JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS
    Ozerin, Sergei A.; Vdovichenko, Artem Yu.; Streltsov, Dmitry R.; Davydov, Alexander B.; Orekhov, Anton S. все авторы
    2017г. т. 111 номер стр.. 245-253 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/j.jpcs.2017.08.004
    WoS id - WOS:000412609200033

  9. Electron Mobilities and Effective Masses in InGaAs/InAlAs HEMT Structures with High In Content
    JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
    Yuzeeva, N. A.; Sorokoumova, A. V.; Lunin, R. A.; Oveshnikov, L. N.; Galiev, G. B.; Klimov, E. A. все авторы
    2016г. т. 185 номер 5-6 стр.. 701-706 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1007/s10909-016-1589-6
    WoS id - WOS:000387226100048

  10. Magnetotransport in Thin Epitaxial Bi2Se3 Films
    JETP LETTERS
    Oveshnikov, L. N.; Prudkoglyad, V. A.; Nekhaeva, E. I.; Kuntsevich, A. Yu.; Selivanov, Yu. G. все авторы
    2016г. т. 104 номер 9 стр.. 629-634 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S0021364016210128
    WoS id - WOS:000392969500006

  11. Anomalous hall effect in the In1-x Mn (x) Sb dilute magnetic semiconductor with MnSb inclusions
    JETP LETTERS
    Yakovleva, E. I.; Oveshnikov, L. N.; Kochura, A. V.; Lisunov, K. G.; Lahderanta, E.; Aronzon,
    2015г. т. 101 номер 2 стр.. 130-135 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S0021364015020149
    Scopus id - 2-s2.0-84927674087
    WoS id - WOS:000352657100012
    Science Index - 24023070

  12. Anomalous hall effect in a 2D heterostructure including a GaAs/InGaAs/GaAs quantum well with a remote Mn delta-layer
    JETP LETTERS
    Oveshnikov, L. N.; Kulbachinskii, V. A.; Davydov, A. B.; Aronzon, B. A.
    2015г. т. 100 номер 9 стр.. 570-575 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S0021364014210127
    Scopus id - 2-s2.0-84921929271
    WoS id - WOS:000348305300007
    Science Index - 23970243

  13. Berry phase mechanism of the anomalous Hall effect in a disordered two-dimensional magnetic semiconductor structure
    SCIENTIFIC REPORTS
    Oveshnikov, L. N.; Kulbachinskii, V. A.; Davydov, A. B.; Aronzon, B. A.; Rozhansky, I. V.; Averkiev, N. S. все авторы
    2015г. т. 5 номер стр.. - (цит. wos) 12 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1038/srep17158
    Scopus id - 2-s2.0-84948128287
    WoS id - WOS:000365198400003
    Science Index - 24973965

  14. Influence of buffer-layer construction and substrate orientation on the electron mobilities in metamorphic In0.70Al0.30As/In0.76Ga0.24As/In0.70Al0.30As structures on GaAs substrates
    SEMICONDUCTORS
    Kulbachinskii, V. A.; Oveshnikov, L. N.; Lunin, R. A.; Yuzeeva, N. A.; Galiev, G. B.; Klimov, E. A. все авторы
    2015г. т. 49 номер 7 стр.. 921-929 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782615070131
    WoS id - WOS:000358067600012

  15. Experimental determination of the electron effective masses and mobilities in each dimensionally-quantized subband in an In (x) Ga1-x As quantum well with InAs inserts
    SEMICONDUCTORS
    Kulbachinskii, V. A.; Oveshnikov, L. N.; Lunin, R. A.; Yuzeeva, N. A.; Galiev, G. B.; Klimov, E. A. все авторы
    2015г. т. 49 номер 2 стр.. 199-208 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782615020165
    WoS id - WOS:000349445400012

  16. Shubnikov de Haas Effect and Electron Mobilities in the Isomorphic InGaAs Quantum Well With the InAs Insert on the InP Substrate
    27TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON LOW TEMPERATURE PHYSICS (LT27), PTS 1-5
    Kulbachinskii, V. A.; Oveshnikov, L. N.; Lunin, R. A.; Yuzeeva, N. A.; Galiev, G. B.; Klimov, E
    2014г. т. 568 номер стр.. - тип: книга в серии

    DOI - 10.1088/1742-6596/568/5/052013
    WoS id - WOS:000351433700148

  17. Anomalous Hole Transport and Ferromagnetism in Doped with Mn GaAs/InGaAs/GaAs Quantum Well or GaAs/InAs/GaAs Quantum Dot Layer
    NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY LETTERS
    Kulbachinskii, V. A.; Gurin, P. V.; Oveshnikov, L. N.
    2012г. т. 4 номер 6 стр.. 634-640 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1166/nnl.2012.1359
    WoS id - WOS:000307195900011

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория

Период


С по
Тип



Сортировать по