Quantum corrections to the conductivity and anomalous Hall effect in InGaAs quantum wells with a spatially separated Mn impurity
SEMICONDUCTORS
Oveshnikov, LN; Nekhaeva, EI
2017г. т. 51 номер 10 стр.. 1313-1320 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782617100177
WoS id - WOS:000412461400007

Magnetotransport in Thin Epitaxial Bi2Se3 Films
JETP LETTERS
Oveshnikov, LN; Prudkoglyad, VA; Nekhaeva, EI; Kuntsevich, AY; Selivanov, YG; Chizhevskii, EG; Ar
2016г. т. 104 номер 9 стр.. 629-634 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364016210128
WoS id - WOS:000392969500006

Anomalous hall effect in the In1-x Mn (x) Sb dilute magnetic semiconductor with MnSb inclusions
JETP LETTERS
Yakovleva, EI; Oveshnikov, LN; Kochura, AV; Lisunov, KG; Lahderanta, E; Aronzon, BA
2015г. т. 101 номер 2 стр.. 130-135 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364015020149
Scopus id - 2-s2.0-84927674087
WoS id - WOS:000352657100012
Science Index - 24023070