Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: отделение / лаборатория
- Отдел физики полупроводников и наноструктур
период Все года
Найдено публикаций: 2623.

Последнее обновление базы: 01.04.2019

  1. CALIBRATION OF A LASER DIODE SPECTROMETER
    MEASUREMENT TECHNIQUES USSR
    ZASAVITSKII, II; KOSICHKIN, YV; KRYUKOV, PV; NADEZHDINSKII, AI; SHOTOV, AP
    1982г. т. 25 номер 10 стр.. 815-816 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1007/BF00824388
    WoS id - WOS:A1982QP63400009

  2. EXCITONIC DIELECTRIC IN EXTERNAL FIELDS
    FIZIKA TVERDOGO TELA
    GORBATSEVICH, AA; KOPAEV, YV; TUGUSHEV, VV
    1982г. т. 24 номер 2 стр.. 406-414 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1982NE05000014

  3. COLLECTIVE EXCITATIONS IN SUPERCONDUCTORS WITH STRUCTURAL TRANSITION
    SOLID STATE COMMUNICATIONS
    GORBATSEVICH, AA; KOPAEV, HV; MOLOTKOV, SN
    1982г. т. 44 номер 2 стр.. 193-196 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0038-1098(82)90428-8
    WoS id - WOS:A1982PN00400022

  4. INFRARED REFLECTION SPECTROSCOPY OF ION-IMPLANTED N-HG0.8CD0.2TE
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH
    VODOPYANOV, LK; KOZYREV, SP
    1982г. т. 72 номер 2 стр.. 737-744 (цит. wos) 12 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1002/pssa.2210720237
    WoS id - WOS:A1982PH46800036

  5. ION-IMPLANTATION OF B-+ IN N-HG0.8CD0.2TE
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH
    VODOPYANOV, LK; KOZYREV, SP
    1982г. т. 72 номер 2 стр.. K133-K136 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1002/pssa.2210720253
    WoS id - WOS:A1982PH46800052

  6. DETERMINATION OF THE ELECTRICAL AND OPTICAL-PROPERTIES OF MAGNESIUM-IMPLANTATION-DOPED HG1-0.2CD0.2TE FROM THE INFRARED REFLECTION SPECTRA
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    VODOPYANOV, LK; KOZYREV, SP
    1982г. т. 16 номер 4 стр.. 436-440 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1982PH78500020

  7. ION-IMPLANTATION OF IMPURITIES IN N-TYPE HG0.8CD0.2TE .1. GROUP-II IONS MG+, ZN+, CD+
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    VODOPYANOV, LK; KOZYREV, SP; SPITSYN, AV
    1982г. т. 16 номер 5 стр.. 502-506 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1982PM64100004

  8. ION-IMPLANTATION OF IMPURITIES IN N-TYPE HG0.8CD0.2TE .2. GROUP-III IONS AL+ AND GA+
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    VODOPYANOV, LK; KOZYREV, SP; SPITSYN, AV
    1982г. т. 16 номер 6 стр.. 626-629 (цит. wos) 10 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1982PR33300004

  9. EFFECT OF A WEAK MAGNETIC-FIELD ON THE ELECTRICAL-CONDUCTIVITY OF POLYACETYLENE FILMS
    JETP LETTERS
    FRANKEVICH, EL; SOKOLIK, IA; KADYROV, DI; KOBRYANSKII, VM
    1982г. т. 36 номер 11 стр.. 486-489 (цит. wos) 10 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1982QV98500009

  10. ELECTROREFLECTION OF GROUND-STATE EXCITONS IN A11EV1 CRYSTALS
    OPTIKA I SPEKTROSKOPIYA
    MASHCHENKO, VE; KHOMICH, AV; ZIBOROV, AI
    1982г. т. 53 номер 2 стр.. 284-287 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1982PC39900019

  11. LOCALIZED CENTERS IN BISMUTH SILICATE CRYSTALS
    SOVIET MICROELECTRONICS
    ERMAKOV, MG; KHOMICH, AV; PEROV, PI; GORN, IA; KUCHA, VV
    1982г. т. 11 номер 5 стр.. 250-254 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1982QM28000006

  12. MAGNETIC PHASE-TRANSITIONS IN SAMARIUM IRON-GARNET AND HYPOTHESIS OF ISING ORDERING
    JETP LETTERS
    BABUSHKIN, GA; BORODIN, VA; DOROSHEV, VD; ZVEZDIN, AK; LIVITIN, RZ; POPOV, AI
    1982г. т. 35 номер 1 стр.. 34-37 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1982PB26600011

  13. DYNAMICS OF THE SEMICONDUCTOR-METAL TRANSITION INDUCED BY INFRARED ILLUMINATION IN PB1-XSNXTE(IN) ALLOYS
    PHYSICS LETTERS A
    AKIMOV, BA; BRANDT, NB; KLIMONSKIY, SO; RYABOVA, LI; KHOKHLOV, DR
    1982г. т. 88 номер 9 стр.. 483-486 (цит. wos) 51 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0375-9601(82)90547-3
    WoS id - WOS:A1982NN06800013

  14. THE ANOMALOUSLY HIGH DIELECTRIC-CONSTANT IN NARROW-GAP SEMICONDUCTOR CD0.17HG0.83TE
    SOLID STATE COMMUNICATIONS
    ARONZON, BA; KOPYLOV, AV; MEILIKHOV, EZ; MIRONOV, OA; RARENKO, IM
    1982г. т. 42 номер 11 стр.. 779-782 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0038-1098(82)90005-9
    WoS id - WOS:A1982NV62800005

  15. INVESTIGATION OF VARIOUS CHANNELS OF ELECTRON-ENERGY RELAXATION IN INSB SUBJECTED TO MAGNETIC-FIELDS UP TO 50 KOE AT LOW-TEMPERATURES
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    ARONZON, BA; EFREMOVA, GD; MEILIKHOV, EZ
    1982г. т. 16 номер 10 стр.. 1118-1123 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1982QH48200003

  16. JAHN-TELLER EFFECT AND MAGNETISM - TRANSITION-METAL COMPOUNDS
    USPEKHI FIZICHESKIKH NAUK
    KUGEL, KI; KHOMSKII, DI
    1982г. т. 136 номер 4 стр.. 621-664 (цит. wos) 245 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3367/UFNr.0136.198204c.0621
    WoS id - WOS:A1982NN23800003

  17. MODEL OF AN IMPURITY FLUCTUATION POTENTIAL - DESCRIPTION OF PHOTOELECTRIC AND GALVANOMAGNETIC EFFECTS IN IN-DOPED PB1-XSNXTE
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    VINOGRADOV, VS; VORONOVA, ID; RAGIMOVA, TS; SHOTOV, AP
    1981г. т. 15 номер 2 стр.. 207-211 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1981MH52400025

  18. REGISTRATION OF PARAMETERS OF PULSED RADIATION BY USING THE SEMICONDUCTOR-METAL PHASE-TRANSITION IN VANADIUM DIOXIDE
    KVANTOVAYA ELEKTRONIKA
    AGEIKINA, LP; GAVRILOV, VN; KAPAEV, VV; MOKEROV, VG; RYABININ, IV; CHASTOV, AA
    1981г. т. 8 номер 6 стр.. 1363-1366 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1981MA73100041

  19. DIFFRACTION METHODS FOR THE DETERMINATION OF THE SPREAD IN THE LINEAR DIMENSIONS OF LSI LAYOUT ELEMENTS
    SOVIET MICROELECTRONICS
    KAPAEV, VV
    1981г. т. 10 номер 6 стр.. 262-267 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1981NZ78400006

  20. OPTICAL-PROPERTIES OF SILICON-CARBIDE IN THE VACUUM ULTRAVIOLET
    SOVIET JOURNAL OF OPTICAL TECHNOLOGY
    GERASIMOVA, NG; GORBACHEVA, NA; SOROKIN, OM; SAGITOV, SI; PUDONIN, FA; GRAN, YM; IONOV, VI
    1981г. т. 48 номер 5 стр.. 259-262 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1981NA63500004

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория
Отдел физики полупроводников и наноструктур
(Выбрать)

Период


С по
Тип



Сортировать по