Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: отделение / лаборатория
- Отдел физики полупроводников и наноструктур
период Все года
Найдено публикаций: 2623.

Последнее обновление базы: 01.04.2019

  1. Background-free, highly sensitive surface-enhanced IR absorption of rhodamine 6G molecules deposited onto an array of microholes in thin silver film
    LASER PHYSICS LETTERS
    Danilov, Pavel N.; Gonchukov, Sergey A.; Ionin, Andrey A.; Khmelnitskii, Roman A.; Kudryashov, Sergey I. все авторы
    2016г. т. 13 номер 5 стр.. - (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1088/1612-2011/13/5/055602
    WoS id - WOS:000375179300014

  2. Nonlinear absorption mechanisms during femtosecond laser surface ablation of silica glass
    JETP LETTERS
    Zayarny, D. A.; Ionin, A. A.; Kudryashov, S. I.; Saraeva, I. N.; Startseva, E. D.; Khmeln
    2016г. т. 103 номер 5 стр.. 309-312 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S0021364016050143
    WoS id - WOS:000376597300004

  3. Diffraction microgratings as a novel optical biosensing platform
    LASER PHYSICS LETTERS
    Baikova, Tatiana V.; Danilov, Pavel A.; Gonchukov, Sergey A.; Yermachenko, Valery M.; Ionin, Andrey A. все авторы
    2016г. т. 13 номер 7 стр.. - (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1088/1612-2011/13/7/075602
    WoS id - WOS:000378845600014

  4. Controllable Laser Reduction of Graphene Oxide Films for Photoelectronic Applications
    ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES
    Evlashin, Stanislav; Dyakonov, Pavel; Khmelnitsky, Roman; Dagesyan, Sarkis; Klokov, Andrey; Sharkov, Andrey все авторы
    2016г. т. 8 номер 42 стр.. 28880-28887 (цит. wos) 11 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1021/acsami.6b10145
    WoS id - WOS:000386540300071

  5. Growth of nano-crystalline diamond on single-crystalline diamond by CVD method
    BULLETIN OF THE LEBEDEV PHYSICS INSTITUTE
    Ashkinazi, E. E.; Sedov, V. S.; Khmelnitsky, R. A.; Khomich, A. A.; Khomich, A. V.; Ralchenk
    2016г. т. 43 номер 12 стр.. 378-381 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.3103/S1068335616120101
    WoS id - WOS:000392611700010

  6. Phonon contribution to electrical resistance of acceptor-doped single-wall carbon nanotubes assembled into transparent films
    PHYSICAL REVIEW B
    Tsebro, V. I.; Tonkikh, A. A.; Rybkovskiy, D. V.; Obraztsova, E. A.; Kauppinen, E. I.; Obra
    2016г. т. 94 номер 24 стр.. - (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1103/PhysRevB.94.245438
    WoS id - WOS:000391013200008

  7. Electric-field domain boundary instability in weakly coupled semiconductor superlattices
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    Rasulova, G. K.; Pentin, I. V.; Brunkov, P. N.; Egorov, A. Yu.
    2016г. т. 119 номер 20 стр.. - тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1063/1.4952379
    WoS id - WOS:000377718700020

  8. On the berry phase in quantum oscillations observed in 3D topological insulators
    JETP LETTERS
    Vedeneev, S. I.
    2016г. т. 104 номер 12 стр.. 864-867 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S0021364016240140
    WoS id - WOS:000395060600009

  9. Evolution of the structural and superconducting properties of FeSe crystals upon long-term storage
    CRYSTALLOGRAPHY REPORTS
    Gorina, J. I.; Kaljuzhnaia, G. A.; Golubkov, M. V.; Rodin, V. V.; Romanova, T. A.; Sentjurina, N. N. все авторы
    2016г. т. 61 номер 2 стр.. 315-319 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063774516020085
    WoS id - WOS:000374349300026

  10. Directional Point-Contact Josephson Junctions on Ba0.4K0.6(FeAs)(2) Single Crystals
    JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY AND NOVEL MAGNETISM
    Tortello, M.; Stepanov, V. A.; Ding, X.; Wen, H. -H.; Gonnelli, R. S.; Greene, L. H.
    2016г. т. 29 номер 3 стр.. 679-683 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1007/s10948-015-3323-z
    Scopus id - 2-s2.0-84949754015
    WoS id - WOS:000371089500028

  11. Quantum cascade laser based on GaAs/Al(0.4)5Ga(0.55)As heteropair grown by MOCVD
    QUANTUM ELECTRONICS
    Zasavitskii, I. I.; Zubov, A. N.; Andreev, A. Yu.; Bagaev, T. A.; Gorlachuk, P. V.; Ladugin, M. A. все авторы
    2016г. т. 46 номер 5 стр.. 447-450 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1070/QEL16058
    WoS id - WOS:000378227000009

  12. Quantum cascade laser grown by MOCVD and operating at 9,7 mu m
    2016 INTERNATIONAL CONFERENCE LASER OPTICS (LO)
    Ladugin, M. A.; Andreev, A. Yu.; Bagaev, T. A.; Gorlachuk, P. V.; Lobintsov, A. V.; Marmalyuk, A. A. все авторы
    2016г. т. номер стр.. - тип: книга

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000386975300125

  13. THz lasers based on narrow-gap semiconductors
    2016 21ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROWAVE, RADAR AND WIRELESS COMMUNICATIONS (MIKON)
    Gavrilenko, V. I.; Morozov, S. V.; Rumyantsev, V. V.; Bovkun, L. S.; Kadykov, A. M.; Maremyanin, K. V. все авторы
    2016г. т. номер стр.. - тип: книга

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000390422000077

  14. Terahertz injection lasers based on PbSnSe alloy with an emission wavelength up to 46.5 mu m
    SEMICONDUCTORS
    Maremyanin, K. V.; Rumyantsev, V. V.; Ikonnikov, A. V.; Bovkun, L. S.; Chizhevskii, E. G.; Zasavitskii, I. I. все авторы
    2016г. т. 50 номер 12 стр.. 1669-1672 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782616120125
    WoS id - WOS:000393046100023

  15. The study of the laser characteristics based on solid solution Pb1-xSnxSe (x approximate to 0.07) emitting at spectral range of 16 mu km
    V INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COHERENT OPTICAL RADIATION OF SEMICONDUCTOR COMPOUNDS AND STRUCTURES
    Umbetalieva, K. R.; Marem'yanin, K. V.; Gavrilenko, V. I.; Zasavitskij, I. I.; Bitskiy, R. R. все авторы
    2016г. т. 740 номер стр.. - тип: книга в серии

    DOI - 10.1088/1742-6596/740/1/012005
    WoS id - WOS:000402162400006

  16. Analysis (Simulation) of Ni-63 beta-voltaic cells based on silicon solar cells
    TECHNICAL PHYSICS
    Gorbatsevich, A. A.; Danilin, A. B.; Korneev, V. I.; Magomedbekov, E. P.; Molin, A. A.
    2016г. т. 61 номер 7 стр.. 1053-1059 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063784216070148
    WoS id - WOS:000380356600016

  17. PT-symmetry breaking in resonant tunneling heterostructures
    JETP LETTERS
    Gorbatsevich, A. A.; Shubin, N. M.
    2016г. т. 103 номер 12 стр.. 769-773 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S0021364016120031
    WoS id - WOS:000382283500007

  18. Localized Electrons and Phonons in Branched Polyacetylene Molecules
    NANOTECHNOLOGIES IN RUSSIA
    Gorbatsevich, A. A.; Zhuravlev, M. N.; Kataeva, T. S.; Kobryanskii, V. M.
    2016г. т. 11 номер 11-12 стр.. 820-829 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1995078016060100
    WoS id - WOS:000410427800017

  19. Large anisotropy of electron and hole g factors in infrared-emitting InAs/InAlGaAs self-assembled quantum dots
    PHYSICAL REVIEW B
    Belykh, V. V.; Yakovlev, D. R.; Schindler, J. J.; Zhukov, E. A.; Semina, M. A.; Yacob, M.; Reithmaier, J. P. все авторы
    2016г. т. 93 номер 12 стр.. - (цит. wos) 12 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1103/PhysRevB.93.125302
    WoS id - WOS:000371739500010

  20. Dispersion of the electron g factor anisotropy in InAs/InP self-assembled quantum dots
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
    Belykh, V. V.; Yakovlev, D. R.; Schindler, J. J.; van Bree, J.; Koenraad, P. M.; Averkiev, N. S.; Bayer, M. все авторы
    2016г. т. 120 номер 8 стр.. - (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1063/1.4961201
    WoS id - WOS:000383913400021

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория
Отдел физики полупроводников и наноструктур
(Выбрать)

Период


С по
Тип



Сортировать по