Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: researcher ID: N-1168-2015 (Заварицкая Татьяна Николаевна), период Все года
Найдено публикаций: 35.

Последнее обновление базы: 01.04.2019

  1. Raman and X-ray studies of nanocrystals in porous stain-etched germanium
    THIN SOLID FILMS
    Karavanskii, VA; Lomov, AA; Sutyrin, AG; Bushuev, VA; Loikho, NN; Melnik, NN; Zavaritskaya, TN; Ba
    2003г. т. 437 номер 1-2 стр.. 290-296 (цит. wos) 11 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/S0040-6090(03)00158-5
    WoS id - WOS:000184367600044

  2. An investigation on photoluminescence and Raman spectra of ultra-thin germanium layers on silicon
    IZVESTIYA AKADEMII NAUK SERIYA FIZICHESKAYA
    Burbaev, TM; Zavaritskaya, TN; Kurbatov, VA; Melnik, NN; Tsvetkov, VA; Zburavlev, KS; Markov, VA все авторы
    2002г. т. 66 номер 2 стр.. 154-156 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000174500400002

  3. Optical properties of germanium monolayers on silicon
    SEMICONDUCTORS
    Burbaev, TM; Zavaritskaya, TN; Kurbatov, VA; Mel'nik, NN; Tsvetkov, VA; Zhuravlev, KS; Markov, VA все авторы
    2001г. т. 35 номер 8 стр.. 941-946 (цит. wos) 8 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1393031
    WoS id - WOS:000170171800017

  4. Preparation and study of the optical properties of porous graphite
    JETP LETTERS
    Karavanskii, VA; Mel'nik, NN; Zavaritskaya, TN
    2001г. т. 74 номер 3 стр.. 186-189 (цит. wos) 13 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1410227
    WoS id - WOS:000171052500013

  5. Optical properties of semiconductor nanoparticles
    IZVESTIYA AKADEMII NAUK SERIYA FIZICHESKAYA
    Melnik, NN; Burbayev, TM; Zavaritskaya, TN; Kurbatov, VA; Malahov, KV; Pirshin, IV; Rzaev, MM; Turianskii, AG все авторы
    2000г. т. 64 номер 2 стр.. 281-283 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000086051000017

  6. Investigation of semiconductor nanocrystals by the Raman scattering.
    RAMAN SCATTERING
    Melnik, NN; Zavaritskaya, TN; Rzaev, MM; Karavanski, VA; Alekseev, VA
    2000г. т. 4069 номер стр.. 212-216 (цит. wos) 5 тип: книга в серии

    DOI - 10.1117/12.378126
    WoS id - WOS:000086320900028

  7. Multiphonon relaxation in ZnSe/ZnCdSe superlattice
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    Melnik, NN; Sadofyev, YG; Zavaritskaya, TN
    2000г. т. 214 номер стр.. 651-655 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/S0022-0248(00)00171-8
    WoS id - WOS:000087873200137

  8. Multiphonon relaxation in ZnSe thin films and ZnSe/ZnCdSe MQW structures
    NANOTECHNOLOGY
    Melnik, NN; Sadofyev, YG; Zavaritskaya, TN; Vodop'yanov, LK
    2000г. т. 11 номер 4 стр.. 252-255 (цит. wos) 11 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1088/0957-4484/11/4/312
    WoS id - WOS:000165958500013

  9. Interaction of phonon modes of Si nanocrystals in multilayer Si/Ge structures
    IZVESTIYA AKADEMII NAUK SERIYA FIZICHESKAYA
    Melnik, NN; Zavaritskaya, TN; Rzaev, MM; Karavansky, VA
    1999г. т. 63 номер 2 стр.. 282-286 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000079151700011

  10. The structure of porous gallium phosphide
    SEMICONDUCTORS
    Zavaritskaya, TN; Kvit, AV; Mel'nik, NN; Karavanskii, VA
    1998г. т. 32 номер 2 стр.. 213-217 (цит. wos) 8 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1187548
    WoS id - WOS:000072443000022

  11. Ion implantation of porous gallium phosphide
    SEMICONDUCTORS
    Ushakov, VV; Dravin, VA; Mel'nik, NN; Zavaritskaya, TV; Loiko, NN; Karavanskii, VA; Konstantinova, EA все авторы
    1998г. т. 32 номер 8 стр.. 886-890 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1187478
    WoS id - WOS:000076068700017

  12. The change in the mechanism of the porous silicon formation during anodic polarization
    RUSSIAN JOURNAL OF ELECTROCHEMISTRY
    Gavrilov, SA; Zavaritskaya, TN; Karavanskii, VA; Melnik, NN; Podzorov, VV; Sorokina, IN
    1997г. т. 33 номер 9 стр.. 985-989 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1997XZ03300011

  13. Photoluminescence with moderate excitation and resonant Raman scattering in GaAs/AlGaAs superlattices
    SEMICONDUCTORS
    Aleshchenko, YA; Zavaritskaya, TN; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Melnik, NN
    1996г. т. 30 номер 5 стр.. 436-439 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1996UM65200006

  14. RESONANT RAMAN-SCATTERING AND REDISLOCATION EFFECTS IN GAAS/ALGAAS
    JETP LETTERS
    ALESHCHENKO, YA; ZAVARITSKAYA, TN; KAPAEV, VV; KOPAEV, YV; MELNIK, NN
    1994г. т. 59 номер 4 стр.. 255-259 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1994NF72700007

  15. METAL-INSULATOR-TRANSITION IN INVERSION CHANNELS OF SILICON MOS STRUCTURES
    JETP LETTERS
    ZAVARITSKAYA, TN; ZAVARITSKAYA, EI
    1987г. т. 45 номер 10 стр.. 609-613 (цит. wos) 13 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1987K703100010

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория

Период


С по
Тип



Сортировать по