ELECTROCHEMICAL PROPERTIES OF TI-NI ALLOY SYNTHESIZED IN TITANIUM BY ION-IMPLANTATION OF NICKEL
PROTECTION OF METALS
TOMASHOV, ND; KOVNERISTYI, YK; CHERNOVA, GP; KRASNOPEVTSEV, VV; VAVILOVA, VV; ZHILTSOVA, OA; DRAVIN, VA все авторы
1985г. т. 21 номер 4 стр.. 445-448 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1985A603300005

CHANNELED ION-IMPLANTATION OF AS+ IN SILICON AT 300-DEGREES-C
RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS
GALKIN, GN; DRAVIN, VA; EPIFANOV, MS; KHAMDOKHOV, ZM; KULIKAUSKAS, VS
1983г. т. 77 номер 1-2 стр.. 57-66 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1080/00337578308224722
WoS id - WOS:A1983RM22700005

LUMINESCENCE OF TANTALUM CENTERS IN GAAS AND GAP
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA; DRAVIN, VA
1983г. т. 17 номер 7 стр.. 743-746 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1983RX76800002

CHARACTERISTICS OF FORMATION OF DEFECTS, AND OF THE SPATIAL-DISTRIBUTION AND LOCALIZATION OF AS ATOMS IMPLANTED IN SILICON UNDER CHANNELING CONDITIONS AT AN ELEVATED-TEMPERATURE
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
GALKIN, GN; DRAVIN, VA; EPIFANOV, MS; KULIKAUSKAS, VS; KHAMDOKHOV, ZM
1983г. т. 17 номер 12 стр.. 1370-1372 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1983SV28900008

LUMINESCENCE OF A RARE-EARTH (ERBIUM) IMPURITY IN GALLIUM-ARSENIDE AND PHOSPHIDE
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA; DRAVIN, VA; SPITSYN, AV
1982г. т. 16 номер 6 стр.. 723-723 (цит. wos) 21 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1982PR33300045

DOPING OF AMORPHOUS-SILICON BY IMPLANTATION OF MANGANESE IONS
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
DVURECHENSKII, AV; RYAZANTSEV, IA; DRAVIN, VA
1982г. т. 16 номер 11 стр.. 1271-1273 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1982QL17200050

CATHODOLUMINESCENCE OF NATURAL DIAMOND ASSOCIATED WITH IMPLANTED IMPURITIES
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
VAVILOV, VS; GIPPIUS, AA; DRAVIN, VA; ZAITSEV, AM; ZHAKUPBEKOV, BS
1982г. т. 16 номер 11 стр.. 1288-1290 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1982QL17200017

DOPING OF AMORPHOUS-SILICON BY MANGANESE ION-IMPLANTATION
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH
DVURECHENSKII, AV; RYAZANTSEV, IA; DRAVIN, VA
1982г. т. 71 номер 2 стр.. K133-& (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1982NY58100043

LUMINESCENCE OF NB CENTERS IN GAAS AND GAP
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA; DRAVIN, VA; KANTSER, SF
1981г. т. 15 номер 8 стр.. 890-894 (цит. wos) 12 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1981NA35200015