Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: researcher ID: M-7266-2015 (Дравин Валерий Абрамович), период Все года
Найдено публикаций: 88.

Последнее обновление базы: 01.04.2019

  1. Luminescent rare-earth complexes in ion-implanted GaAs
    TENTH FEOFILOV SYMPOSIUM ON SPECTROSCOPY OF CRYSTALS ACTIVATED BY RARE-EARTH AND TRANSITIONAL-METAL IONS
    Konnov, VM; Larikova, TV; Loyko, NN; Dravin, VA; Ushakov, VV; Gippius, AA
    1996г. т. 2706 номер стр.. 265-271 тип: книга

    DOI - 10.1117/12.229155
    WoS id - WOS:A1996BF13C00033

  2. Electromagnetic field induced dielectric resonance in the YBa2Cu3O7 single crystal
    CZECHOSLOVAK JOURNAL OF PHYSICS
    Apakina, VN; Dravin, VA; Eltsev, YF; Karuzskii, AL; Murzin, VN; Perestoronin, AV; Zhurkin, BG
    1996г. т. 46 номер стр.. 1125-1126 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1007/BF02583870
    WoS id - WOS:A1996VL43900286

  3. YB LUMINESCENCE IN ION-IMPLANTED GAAS
    SOLID STATE COMMUNICATIONS
    KONNOV, VM; LARIKOVA, TV; LOYKO, NN; DRAVIN, VA; USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA
    1995г. т. 96 номер 11 стр.. 839-842 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0038-1098(95)00582-X
    WoS id - WOS:A1995TB45700006

  4. MICROWAVE ELECTROMAGNETIC-FIELD INDUCED DIELECTRIC RESONANCE IN YBA2CU3O7-X SAMPLES
    PHYSICA C
    DRAVIN, VA; KARUZSKII, AL; MURZIN, VN; PERESTORONIN, AV; VOLCHKOV, NA; ZHURKIN, BG
    1994г. т. 235 номер стр.. 2072-2073 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0921-4534(94)92257-8
    WoS id - WOS:A1994QC69500265

  5. RADIATION DEFECTS AND ELECTRICAL-PROPERTIES OF SILICON LAYERS CONTAINING SB AND AS IMPLANTED WITH SI+ IONS
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
    ARAIKA, OJ; CHELYADINSKII, AR; DRAVIN, VA; SUPRUNBELEVICH, YR; TOLSTIKH, VP
    1993г. т. 73 номер 4 стр.. 503-506 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0168-583X(93)95832-P
    WoS id - WOS:A1993KV55000008

  6. COIMPLANTATION OF ELECTRICAL ACTIVE AND ISOVALENT IMPURITIES INTO GAAS
    ION IMPLANTATION AND ION BEAM EQUIPMENT
    DYMOVA, NN; ACIMCHENKO, IP; DRAVIN, VA; CHALDYSHEV, VV; DOUBRAVA, P; SOMOGYI, K
    1991г. т. номер стр.. 106-113 тип: книга

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1991BU68D00015

  7. SIMULTANEOUS IMPLANTATION OF ELECTRICALLY ACTIVE AND ISOVALENT IMPURITIES IN SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    ABRAMOV, VS; AKIMCHENKO, IP; DRAVIN, VA; DYMOVA, NN; KRASNOPEVTSEV, VV; CHALDYSHEV, VV; SHMARTS
    1991г. т. 25 номер 8 стр.. 818-821 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1991HC85500010

  8. CONVERSION ELECTRON MOSSBAUER SPECTROSCOPIC STUDY OF FE-IMPLANTED AGASS2 GLASS
    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS
    BYCHKOV, EA; VLASOV, YG; DRAVIN, VA; SEMENOV, VG
    1989г. т. 113 номер 2-3 стр.. 203-209 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0022-3093(89)90012-4
    WoS id - WOS:A1989CN82600012

  9. ELECTRICAL-PROPERTIES OF ION-DOPED AMORPHOUS-SILICON
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH
    DVURECHENSKII, AV; DRAVIN, VA; YAKIMOV, AI
    1989г. т. 113 номер 2 стр.. 519-527 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1002/pssa.2211130233
    WoS id - WOS:A1989AH53800032

  10. HOPPING CONDUCTION IN INTERMEDIATELY DOPED SEMICONDUCTORS
    FIZIKA TVERDOGO TELA
    DVURECHENSKII, AV; DRAVIN, VA; YAKIMOV, AI
    1988г. т. 30 номер 2 стр.. 401-406 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1988M520200015

  11. LASER ANNEALING OF IMPLANTED GAAS - ROLE OF IMPLANTATION DEFECTS
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    YAKIMKIN, VN; USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA; VAVILOV, VS; SEDELNIKOV, AE; DRAVIN, VA; CHERNYAEV, VV;
    1988г. т. 22 номер 9 стр.. 989-992 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1988T151400003

  12. ACTIVATIONLESS HOPPING CONDUCTIVITY ALONG THE STATES OF THE COULOMB GAP IN A-SI(MN)
    JETP LETTERS
    DVURECHENSKII, AV; DRAVIN, VA; YAKIMOV, AI
    1988г. т. 48 номер 3 стр.. 155-159 (цит. wos) 10 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1988R608200011

  13. PRECISION TRIAXIAL VACUUM GONIOMETER WITH REMOTE-CONTROL
    INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES
    KOPANEV, VD; DRAVIN, VA; SEDELNIKOV, AE; SPITSYN, AV
    1987г. т. 30 номер 4 стр.. 987-990 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1987M954800037

  14. WIDE COULOMB GAP IN LOCALIZED STATES OF 3D-METALS IN AMORPHOUS-SILICON
    JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS
    DVURECHENSKII, AV; RYAZANTSEV, IA; YAKIMOV, AI; DRAVIN, VA
    1987г. т. 90 номер 1-3 стр.. 111-114 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/S0022-3093(87)80393-9
    WoS id - WOS:A1987G401400023

  15. MOSSBAUER STUDY OF THE LOCAL ENVIRONMENT OF THE IRON IMPLANTED IN GLASSY AGASS2
    FIZIKA TVERDOGO TELA
    BYCHKOV, EA; VLASOV, YG; DRAVIN, VA; SEMENOV, VG
    1987г. т. 29 номер 11 стр.. 3241-3246 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1987M014800006

  16. ENERGY-LEVELS IN GALLIUM-PHOSPHIDE DOPED BY IMPLANTATION OF NIOBIUM IONS
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    CHERNYAEV, VV; PONOMAREV, NY; USHAKOV, VV; DRAVIN, VA; GIPPIUS, AA
    1987г. т. 21 номер 12 стр.. 1359-1361 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1987N341200029

  17. CONTINUATION OF DISCUSSION ON METROLOGY OF ANALYTICAL INSPECTION ION-DOPED STANDARD SPECIMENS FOR LAYER-BY-LAYER ANALYSIS
    INDUSTRIAL LABORATORY
    BORODINA, OM; GIMELFARB, FA; ORLOV, PB; ARAKELYAN, NA; SPITSYN, AV; DRAVIN, VA
    1987г. т. 53 номер 11 стр.. 1016-1023 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1987N898700004

  18. TRANSPORT PHENOMENA IN AMORPHOUS-SILICON DOPED BY ION-IMPLANTATION OF 3D METALS
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH
    DVURECHENSKII, AV; DRAVIN, VA; RYAZANTSEV, IA; ANTONENKO, AK; LANDOCHKIN, IG
    1986г. т. 95 номер 2 стр.. 635-640 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1002/pssa.2210950233
    WoS id - WOS:A1986D732600032

  19. LARGE COULOMB GAP IN THE SPECTRUM OF LOCALIZED STATES OF MN IN AMORPHOUS SI
    JETP LETTERS
    DVURECHENSKII, AV; RYAZANTSEV, IA; DRAVIN, VA; YAKIMOV, AI
    1986г. т. 43 номер 1 стр.. 59-62 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1986C450600017

  20. ELECTROCHEMICAL PROPERTIES OF TI-NI ALLOY SYNTHESIZED IN TITANIUM BY ION-IMPLANTATION OF NICKEL
    PROTECTION OF METALS
    TOMASHOV, ND; KOVNERISTYI, YK; CHERNOVA, GP; KRASNOPEVTSEV, VV; VAVILOVA, VV; ZHILTSOVA, OA; DRAVIN, VA все авторы
    1985г. т. 21 номер 4 стр.. 445-448 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1985A603300005

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория

Период


С по
Тип



Сортировать по