Formation and characterization of graphitized layers in ion-implanted diamond
DIAMOND AND RELATED MATERIALS
Gippius, AA; Khmelnitskiy, RA; Dravin, VA; Tkachenko, SD
1999г. т. 8 номер 8-9 стр.. 1631-1634 (цит. wos) 39 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0925-9635(99)00047-3
WoS id - WOS:000081933800054

Luminescence and electrophysical characteristics of ZnSe implanted with acceptor impurities
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT
Georgobiani, AN; Aminov, UA; Dravin, VA; Lepnev, LS; Mullabaev, ID; Ursaki, VV; Iljukhina, ZP
1999г. т. 426 номер 1 стр.. 164-168 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0168-9002(98)01486-7
WoS id - WOS:000079966600028

Nonequilibrium acoustic phonons in diamond: generation, scattering, reflection
PHYSICA B-CONDENSED MATTER
Galkina, TI; Sharkov, AI; Klokov, AY; Khmelnitskii, RA; Dravin, VA; Gippius, AA
1999г. т. 263 номер стр.. 730-732 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0921-4526(98)01277-0
WoS id - WOS:000079362700199

Electrical and optical properties of light-emitting p-i-n diodes on diamond
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Melnikov, AA; Denisenko, AV; Zaitsev, AM; Shulenkov, A; Varichenko, VS; Filipp, AR; Dravin, VA; Kanda, H все авторы
1998г. т. 84 номер 11 стр.. 6127-6134 (цит. wos) 14 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1063/1.368880
WoS id - WOS:000076930100043

One-dimensional localization in porous a-Si1-cMnc
JETP LETTERS
Yakimov, AI; Dvurechenskii, AV; Dravin, VA; Proskuryakov, YY
1998г. т. 67 номер 4 стр.. 284-288 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.567614
WoS id - WOS:000072928000008

Ion implantation of porous gallium phosphide
SEMICONDUCTORS
Ushakov, VV; Dravin, VA; Mel'nik, NN; Zavaritskaya, TV; Loiko, NN; Karavanskii, VA; Konstantinova, EA все авторы
1998г. т. 32 номер 8 стр.. 886-890 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1187478
WoS id - WOS:000076068700017

Defect engineering in ion-implanted diamond
DEFECT AND IMPURITY ENGINEERED SEMICONDUCTORS II
Gippius, AA; Khmelnitski, RA; Dravin, VA; Tkachenko, SD
1998г. т. 510 номер стр.. 431-436 (цит. wos) 1 тип: книга в серии

DOI - 10.1557/PROC-510-431
WoS id - WOS:000077031700061

Efficient Yb luminescent complexes in GaAs
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1996
Loyko, NN; Konnov, VM; Larikova, TV; Dravin, VA; Ushakov, VV; Gippius, AA
1997г. т. номер 155 стр.. 569-572 тип: книга в серии

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1997BJ12N00132

Microwave dielectric resonance in the YBa2Cu3O7 single crystal
PHYSICA C
Apakina, VN; Dravin, VA; Eltsev, YF; Karuzskii, AL; Murzin, VN; Perestoronin, AV; Zhurkin, BG
1997г. т. 282 номер стр.. 1583-1584 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0921-4534(97)00929-5
WoS id - WOS:A1997XZ90600231

Experimental evidence for spatial dispersion effects and the change of sign of dielectric permittivity in superconductors from microwave measurements
PHYSICA C
Apakina, VN; Dravin, VA; Eltsev, YF; Karuzskii, AL; Murzin, VN; Perestoronin, AV; Volchkov, NA; Z
1997г. т. 282 номер стр.. 1585-1586 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0921-4534(97)00931-3
WoS id - WOS:A1997XZ90600232

Yb luminescence centres in MBE-grown and ion-implanted GaAs
DEFECTS IN SEMICONDUCTORS - ICDS-19, PTS 1-3
Gippius, AA; Konnov, VM; Loyko, NN; Ushakov, VV; Larikova, TV; Kazakov, IP; Dravin, VA; Sobolev,
1997г. т. 258-2 номер стр.. 917-922 (цит. wos) 1 тип: книга в серии

DOI - 10.4028/www.scientific.net/MSF.258-263.917
WoS id - WOS:000072749500149

Optical characterization of graphitized layers in ion-implanted diamond.
LASERS IN SYNTHESIS, CHARACTERIZATION, AND PROCESSING OF DIAMOND
Khmelnitskiy, RA; Dravin, VA; Tkachenko, SD; Gippius, AA
1997г. т. 3484 номер стр.. 204-211 (цит. wos) 3 тип: книга в серии

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:000078905700025

Generation of acoustic phonons in diamond by laser excitation of the buried implanted layer
LASERS IN SYNTHESIS, CHARACTERIZATION, AND PROCESSING OF DIAMOND
Galkina, TI; Klokov, AY; Khmelnitskii, RA; Sharkov, AI; Dravin, VA; Gippius, AA
1997г. т. 3484 номер стр.. 222-229 тип: книга в серии

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:000078905700027

Radiation hardness of porous silicon
SEMICONDUCTORS
Ushakov, VV; Dravin, VA; Melnik, NN; Karavanskii, VA; Konstantinova, EA; Timoshenko, VY
1997г. т. 31 номер 9 стр.. 966-969 (цит. wos) 11 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1187143
WoS id - WOS:A1997XY07100021

The temperature-induced transition from 3d to 1d hopping conduction in porous amorphous Si1-cMnc
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
Yakimov, AI; Dvurechenskii, AV; Stepina, NP; Scherbakova, LA; Adkins, CJ; Chorniy, VZ; Dravin, VA все авторы
1997г. т. 9 номер 4 стр.. 889-899 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1088/0953-8984/9/4/009
WoS id - WOS:A1997WG36100009

The kondo effect in amorphous Si1-cMnc
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
Yakimov, AI; Dvurechenskii, AV; Adkins, CJ; Dravin, VA
1997г. т. 9 номер 2 стр.. 499-506 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1088/0953-8984/9/2/017
WoS id - WOS:A1997WG35700017

Ion-implanted buried layer in diamond as a source of ballistic phonons at liquid-helium temperatures
JETP LETTERS
Galkina, TI; Sharkov, AI; Klokov, AY; BonchOsmolovskii, MM; Khmelnitskii, RA; Dravin, VA; Gippius
1996г. т. 64 номер 4 стр.. 298-300 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.567186
WoS id - WOS:A1996VK83800010

Microstrip stabilized semiconductor quantum well generator for millimeter and submillimeter wavelength range
MILLIMETER AND SUBMILLIMETER WAVES III
Karuzskii, AL; Dravin, VA; Ignatyev, AS; Krapivka, AE; Mityagin, YA; Murzin, VN; Perestoronin, AV все авторы
1996г. т. 2842 номер стр.. 319-327 (цит. wos) 2 тип: книга

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1996BG93T00037

Current-voltage characteristics of porous amorphous Si1-xMnx in the one-dimensional hopping regime
PHILOSOPHICAL MAGAZINE LETTERS
Yakimov, AI; Stepina, NP; Dvurechenskii, AV; Adkins, CJ; Dravin, VA
1996г. т. 73 номер 1 стр.. 17-26 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1080/095008396181064
WoS id - WOS:A1996TU06800004

Activation of Yb luminescence in GaAs by group VI elements codoping
RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II
Konnov, VM; Larikova, TV; Loyko, NN; Dravin, VA; Ushakov, VV; Gippius, AA
1996г. т. 422 номер стр.. 187-192 (цит. wos) 3 тип: книга в серии

DOI - 10.1557/PROC-422-187
WoS id - WOS:A1996BG61W00028