Radiation damage in diamonds subjected to helium implantation
PHYSICS OF THE SOLID STATE
Khomich, A. V.; Khmelnitskiy, R. A.; Dravin, V. A.; Gippius, A. A.; Zavedeev, E. V.; Vlasov, I.
2007г. т. 49 номер 9 стр.. 1661-1665 (цит. wos) 24 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063783407090107
WoS id - WOS:000249629900010

Bolometric detector embedded in a polycrystalline diamond grown by chemical vapor deposition
PHYSICS OF THE SOLID STATE
Galkina, T. I.; Klokov, A. Yu.; Sharkov, A. I.; Khmelnitskii, R. A.; Gippius, A. A.; Dravin, V. A. все авторы
2007г. т. 49 номер 4 стр.. 654-659 (цит. wos) 12 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063783407040099
WoS id - WOS:000245979000009

Fast bolometric sensor built-in into polycrystalline CVD diamond
12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON PHONON SCATTERING IN CONDENSED MATTER (PHONONS 2007)
Klokov, A. Yu; Sharkov, A. I.; Galkina, T. I.; Khmelnitsky, R. A.; Dravin, V. A.; Ralchenko, V. G. все авторы
2007г. т. 92 номер стр.. - (цит. wos) 2 тип: книга в серии

DOI - 10.1088/1742-6596/92/1/012181
WoS id - WOS:000265677100181

A fiber-optic thermal detector of unconfined alpha particles
INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES
Alekseev, AG; Butvina, LN; Dravin, VA
2006г. т. 49 номер 2 стр.. 234-237 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0020441206020126
WoS id - WOS:000236974300012

p-Type ZnO : N obtained by ion implantation of nitrogen with post-implantation annealing in oxygen radicals
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT
Georgobiani, AN; Gruzintsev, AN; Volkov, VT; Vorobiev, MO; Demin, VI; Dravin, VA
2003г. т. 514 номер 1-3 стр.. 117-121 (цит. wos) 36 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/j.nima.2003.08.092
WoS id - WOS:000186810500017

Proton implantation effects on electrical and recombination properties of undoped ZnO
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
Polyakov, AY; Smirnov, NB; Govorkov, AV; Kozhukhova, EA; Vdovin, VI; Ip, K; Overberg, ME; Heo, YW; Norton, DP все авторы
2003г. т. 94 номер 5 стр.. 2895-2900 (цит. wos) 70 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1063/1.1597944
WoS id - WOS:000184844200015

Diamond-graphite transformation induced by light ions implantation
DIAMOND AND RELATED MATERIALS
Gippius, AA; Khmelnitsky, RA; Dravin, VA; Khomich, AV
2003г. т. 12 номер 3-7 стр.. 538-541 (цит. wos) 21 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0925-9635(02)00291-1
WoS id - WOS:000182872000059

Optical properties of undoped n-AlGaN/GaN superlattices as affected by built-in and external-electric field and by Ar-implantation-induced partial disordering
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
Polyakov, AY; Smirnov, NB; Govorkov, AV; Shlensky, AA; Mil'vidskii, MG; Pearton, SJ; Faleev, NN; Bublik, VT все авторы
2002г. т. 31 номер 5 стр.. 384-390 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1007/s11664-002-0088-5
WoS id - WOS:000175804600012

Propagation of acoustic phonons across the interfaces in CdTe and SI/CVD-diamond and quasi-two-dimensional phonon wind in CdTe/ZnTe quantum wells
PHYSICA B-CONDENSED MATTER
Galkina, TI; Klokov, AY; Sharkov, AI; Bagaev, VS; Onishchenko, EE; Zaitsev, VV; Ralchenko, VG; Dravin, VA все авторы
2002г. т. 316 номер стр.. 243-246 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0921-4526(02)00475-1
WoS id - WOS:000176297400055

High-speed bolometric detector based on a graphitized layer buried into bulk diamond
VACUUM
Sharkov, AI; Galkina, TI; Klokov, AY; Khmelnitskii, RA; Dravin, VA; Gippius, AA
2002г. т. 68 номер 3 стр.. 263-267 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0042-207X(02)00455-4
WoS id - WOS:000179488700008

Structure of porous surface layers of single-crystal GaAs(001) wafers from data of X-ray diffractometry and reflectometry
CRYSTALLOGRAPHY REPORTS
Lomov, AA; Karavanskii, VA; Imamov, RM; Sutyrin, AG; Dravin, VA
2002г. т. 47 номер 6 стр.. 1051-1057 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1523526
WoS id - WOS:000180329000028

Defect-induced graphitisation in diamond implanted with light ions
PHYSICA B-CONDENSED MATTER
Gippius, AA; Khmelnitsky, RA; Dravin, VA; Khomich, AV
2001г. т. 308 номер стр.. 573-576 (цит. wos) 22 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0921-4526(01)00738-4
WoS id - WOS:000173660100144

Characterization of electroluminescent structures based on gallium arsenide ion-implanted with ytterbium and oxygen
SEMICONDUCTORS
Palmer, DW; Dravin, VA; Konnov, VM; Bobrova, EA; Loiko, NN; Chernook, SG; Gippius, AA
2001г. т. 35 номер 3 стр.. 325-330 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1356156
WoS id - WOS:000167247500012

A bolometric detector built into the diamond bulk
TECHNICAL PHYSICS LETTERS
Klokov, AY; Sharkov, AI; Galkina, TI; Khmel'nitskii, RA; Dravin, VA; Gippius, AA
2001г. т. 27 номер 7 стр.. 581-582 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1388950
WoS id - WOS:000169931900019

Non-equilibrium acoustic phonon propagation in CVD diamond films
DIAMOND AND RELATED MATERIALS
Sharkov, AI; Galkina, TI; Klokov, AY; Khmelnitskii, RA; Dravin, VA; Gippius, AA; Ralchenko, VG;
2000г. т. 9 номер 3-6 стр.. 1100-1103 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0925-9635(99)00197-1
WoS id - WOS:000087382400175

Upper critical magnetic field of ion-irradiated YBaCuO and NdCeCuO films
PHYSICA C
Nozdrin, VS; Krasnosvobodtsev, SI; Shabanova, NP; Dravin, VA; Golovashkin, AI
2000г. т. 341 номер стр.. 1909-1910 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0921-4534(00)01356-3
WoS id - WOS:000165855900184

Measurements of the effective electrodynamical parameters of Nb microstrip resonator
PHYSICA C
Dravin, VA; Karuzskii, AL; Krapivka, AE; Osipova, NA; Perestoronin, AV
2000г. т. 341 номер стр.. 2675-2676 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0921-4534(00)01459-3
WoS id - WOS:000165856000245

Polariton-like interaction between microwaves and electronic subsystem of metal oxide superconductor
PHYSICA C
Dravin, VA; Eltsev, YF; Karuzskii, AL; Murzin, VN; Osipova, NA; Perestoronin, AV; Sverbil, PP
2000г. т. 341 номер стр.. 2749-2750 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S0921-4534(00)01495-7
WoS id - WOS:000165856000282

Luminescence of N-doped ZnSe with a p-n junction
INORGANIC MATERIALS
Georgobiani, AN; Aminov, UA; Dravin, VA; Ilyukhina, ZP
2000г. т. 36 номер 2 стр.. 119-122 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1007/BF02758009
WoS id - WOS:000086624200009

Optical activity of Yb in GaAs and low-dimensional GaAs GaAlAs structures
SEMICONDUCTORS
Gippius, AA; Konnov, VM; Dravin, VA; Loiko, NN; Kazakov, IP; Ushakov, VV
1999г. т. 33 номер 6 стр.. 627-629 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1187743
WoS id - WOS:000080875900011