Dependence of Photoluminescence Spectra of Epitaxial Pb1-xEuxTe (0 <= x <= 0.1) Alloy Layers on Conditions of Growth
SEMICONDUCTORS
Pashkeev, DA; Selivanov, YG; Felder, F; Zasavitskiy, II
2010г. т. 44 номер 7 стр.. 861-866 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782610070055
WoS id - WOS:000281055500005

Radiative transitions to localized Eu states in Pb(1-x)Eu(x)Tesolid solutions
JETP LETTERS
Zasavitskii, II; Mazurin, AV; Selivanov, YG; Zogg, H; Yurushkin, AV
2008г. т. 87 номер 9 стр.. 498-501 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0021364008090105
WoS id - WOS:000257591300010

Optical deformation potentials for PbSe and PbTe
PHYSICAL REVIEW B
Zasavitskii, II; Silva, EADE; Abramof, E; McCann, PJ
2004г. т. 70 номер 11 стр.. - (цит. wos) 39 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1103/PhysRevB.70.115302
WoS id - WOS:000224209500052

Absorption and photoluminescence in PbTe/Pb1-xEuxTe quantum wells
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
Abramof, E; Silva, EADE; Zasavitskii, II; Ferreira, SO; Motisuke, P; Rappl, PHO; Ueta, AY
2002г. т. 13 номер 2-4 стр.. 1224-1228 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/S1386-9477(02)00341-7
WoS id - WOS:000176869100264

Energy spectrum of quantum wells in PbTe/PbEuTe-based structures from photoluminescence data
JETP LETTERS
Zasavitskii, II; Bushuev, EV; Andrada-e-Silva, EA; Abramof, E
2002г. т. 75 номер 11 стр.. 559-562 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1500721
WoS id - WOS:000177146300009

In memory of Aleksei Petrovich Shotov (1927-2001)
SEMICONDUCTORS
Alferov, ZI; Bagaev, VS; Volkov, BA; Gippius, AA; Golovashkin, AI; Grishechkina, SP; Demeshina, AI все авторы
2001г. т. 35 номер 11 стр.. 1345-1346 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1418084
WoS id - WOS:000171919000023

Quantum-size shift in PbTe/BaF2 MQW structure photoluminescence spectra
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
Zasavitskii, II; Bushuev, EV; Ferreira, SO; Motisuke, P; Bandeira, IN
1999г. т. 25 номер 3 стр.. 505-508 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1006/spmi.1998.0600
WoS id - WOS:000079265000002

MAGNETIC TRAPPING OF CHARGE-CARRIERS IN THE QUANTUM-WELLS OF AN ASYMMETRIC 2-WELL SEMICONDUCTOR STRUCTURE
JETP LETTERS
SKORIKOV, ML; ZASAVITSKII, II; KAZAKOV, IP; SIBELDIN, NN; TSVETKOV, VA; TSEKHOSH, VI; SADOFEV, YG
1995г. т. 62 номер 6 стр.. 522-527 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1995TH87200010

VIBRATIONAL KINETICS OF CO2 MOLECULES IN GAS-DISCHARGE WITH HIGH SPECIFIC INPUT POWER
OPTICA APPLICATA
ISLAMOV, RS; KERIMKULOV, MA; KONEV, YB; OCHKIN, VN; SAVINOV, SY; SHOTOV, AP; SPIRIDONOV, MV; ZASAVITSKII, II все авторы
1994г. т. 24 номер 1-2 стр.. 107-120 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1994PH04600013

PHOTOCONDUCTIVITY SPECTRUM AND KINETICS OF PB1-XSNXTE/PBTE/BAF2 MULTIQUANTUM WELL STRUCTURES
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
ZASAVITSKY, II; MATSONASHVILI, BN; TROFIMOV, VT
1993г. т. 8 номер 1 стр.. S345-S348 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1088/0268-1242/8/1S/077
WoS id - WOS:A1993KM53500078

ENERGY DIAGRAM OF A PB1-XMNXTE/PBTE HETEROJUNCTION
SEMICONDUCTORS
TROFIMOV, VT; ABBASOV, GZ; SPRINGHOLZ, G; BAUER, G; ZASAVITSKII, II
1993г. т. 27 номер 7 стр.. 638-641 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1993ME61200014

APPLICATION OF TUNABLE DIODE-LASERS FOR HUMAN EXPIRATION DIAGNOSTICS
MONITORING OF GASEOUS POLLUTANTS BY TUNABLE DIODE LASERS /
STEPANOV, EV; ZASAVITSKII, II; MOSKALENKO, KL; NADEZHDINSKII, AI
1992г. т. номер стр.. 353-370 тип: труды

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1992BY01P00049

MIDDLE INFRARED FIBEROPTIC ACCESSORIES FOR MOLECULAR-SPECTROSCOPY AND GAS-ANALYSIS WITH TUNABLE DIODE-LASERS
TENTH ALL-UNION SYMPOSIUM AND SCHOOL ON HIGH-RESOLUTION MOLECULAR SPECTROSCOPY
STEPANOV, EV; DAVARASHVILLI, OI; ZASAVITSKII, II; KUZNETSOV, AI; MOSKALENKO, KL; NADEZHDINS
1992г. т. 1811 номер стр.. 395-407 (цит. wos) 1 тип: труды

DOI - 10.1117/12.131187
WoS id - WOS:A1992BW29Z00061

KINETICS AND SPECTRUM OF THE PHOTOCONDUCTIVITY OF PBTE/PB1-XSNXTE HETEROSTRUCTURES GROWN ON BAF2 SUBSTRATES
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
ZASAVITSKII, II; MATVEENKO, AV; MATSONASHVILI, BN; TROFIMOV, VT
1992г. т. 26 номер 12 стр.. 1143-1147 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1992KQ46500003

QUANTUM-SIZE AND DEFORMATION EFFECTS IN PBTE/PB1-XSNXTE AND PBSE/PB1-XEUXSE STRUCTURES
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES
VALEIKO, MV; ZASAVITSKII, II; MATVEENKO, AV; MATSONASHVILI, BN; RUKHADZE, ZA
1991г. т. 9 номер 2 стр.. 195-201 (цит. wos) 24 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/0749-6036(91)90282-V
WoS id - WOS:A1991FD40200014

DIODE-LASER STUDY OF THE V1-BAND AND V3-BAND OF THE (SNH4)-SN-120 MOLECULE
JOURNAL OF MOLECULAR SPECTROSCOPY
KRIVTSUN, VM; SADOVSKII, DA; SNEGIREV, EP; SHOTOV, AP; ZASAVITSKII, II
1990г. т. 139 номер 1 стр.. 107-125 (цит. wos) 10 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/0022-2852(90)90245-L
WoS id - WOS:A1990CG67200008

SIZE-QUANTIZATION AND DEFORMATION EFFECTS IN PBSE/PB1-XEUXSE STRUCTURES GROWN BY THE MOLECULAR-BEAM EPITAXY METHOD
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
VALEIKO, MV; ZASAVITSKII, II; MATSONASHVILI, BN; RUKHADZE, ZA; SHIRKOV, AV
1990г. т. 24 номер 8 стр.. 900-903 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1990EV64900020

INJECTION LASERS UTILIZING FILAMENTARY PBTE CRYSTALS
KVANTOVAYA ELEKTRONIKA
BANAR, VF; GITSU, DV; ZASAVITSKII, II; FLOSOV, GV
1989г. т. 16 номер 4 стр.. 675-678 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1989U573600008

EXPERIMENTAL-STUDY AND MATHEMATICAL-MODELING OF HIGH-RESOLUTION SPECTRA OF SF6-MOLECULE EXCITED VIBRATION LEVELS
OPTIKA I SPEKTROSKOPIYA
ALIMPIEV, SS; BARONOV, GS; BRONNIKOV, DK; VARFOLOMEEV, AE; ZASAVITSKY, II; NIKIFOROV, SM; SARTAKOV, BG все авторы
1989г. т. 67 номер 5 стр.. 1060-1067 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1989CG45100015

COMPOSITION DEPENDENCES OF THE PARAMETERS OF A DEEP CENTER IN EPITAXIAL PB1-XSNX TE-IN FILMS
SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
ZASAVITSKII, II; MATSONASHVILI, BN; TROFIMOV, VT
1989г. т. 23 номер 11 стр.. 1249-1253 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1989DA94300019