Advanced AlGaAs/GaAs Heterostructures Grown by MOVPE
CRYSTALS
Ladugin, MA; Yarotskaya, IV; Bagaev, TA; Telegin, KY; Andreev, AY; Zasavitskii, II; Padalitsa, AA все авторы
2019г. т. 9 номер 6 стр.. - (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

DOI - 10.3390/cryst9060305
WoS id - WOS:000473807200030

A GaInAs/AlInAs quantum cascade laser with an emission wavelength of 5.6 mu m
QUANTUM ELECTRONICS
Zasavitskii, II; Kovbasa, NY; Raspopov, NA; Lobintsov, AV; Kurnyavko, YV; Gorlachuk, PV; Krysa, AB;
2018г. т. 48 номер 5 стр.. 472-475 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1070/QEL16592
WoS id - WOS:000437821900016

Terahertz Injection Lasers Based on a PbSnSe Solid Solution with an Emission Wavelength up to 50 m and Their Application in the Magnetospectroscopy of Semiconductors
SEMICONDUCTORS
Maremyanin, KV; Ikonnikov, AV; Bovkun, LS; Rumyantsev, VV; Chizhevskii, EG; Zasavitskii, II; G
2018г. т. 52 номер 12 стр.. 1590-1594 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782618120163
WoS id - WOS:000449544500016

Metalorganic Vapour Phase Epitaxy of GaAs/AlGaAs Nanoheterostructures for a Quantum Cascade Laser
INORGANIC MATERIALS
Marmalyuk, AA; Padalitsa, AA; Ladugin, MA; Gorlachuk, PV; Yarotskaya, IV; Andreev, AY; Bagaev, TA все авторы
2017г. т. 53 номер 9 стр.. 891-895 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0020168517090138
WoS id - WOS:000407964000001

THz lasers based on narrow-gap semiconductors
2016 21ST INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROWAVE, RADAR AND WIRELESS COMMUNICATIONS (MIKON)
Gavrilenko, VI; Morozov, SV; Rumyantsev, VV; Bovkun, LS; Kadykov, AM; Maremyanin, KV; Umbetalieva, KR все авторы
2016г. т. номер стр.. - тип: труды

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:000390422000077

Quantum cascade laser grown by MOCVD and operating at 9,7 mu m
2016 INTERNATIONAL CONFERENCE LASER OPTICS (LO)
Ladugin, MA; Andreev, AY; Bagaev, TA; Gorlachuk, PV; Lobintsov, AV; Marmalyuk, AA; Padalitsa, AA все авторы
2016г. т. номер стр.. - тип: труды

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:000386975300125

Quantum cascade laser based on GaAs/Al(0.4)5Ga(0.55)As heteropair grown by MOCVD
QUANTUM ELECTRONICS
Zasavitskii, II; Zubov, AN; Andreev, AY; Bagaev, TA; Gorlachuk, PV; Ladugin, MA; Padalitsa, AA; Lobintsov, AV все авторы
2016г. т. 46 номер 5 стр.. 447-450 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1070/QEL16058
WoS id - WOS:000378227000009

Pb1-xEuxTe Alloys (0 <= x <= 1) as Materials for Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers in the Mid-Infrared Spectral Range of 4-5 mu m
SEMICONDUCTORS
Pashkeev, DA; Selivanov, YG; Chizhevskii, EG; Zasavitskiy, II
2016г. т. 50 номер 2 стр.. 228-234 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782616020172
WoS id - WOS:000374410200017

Terahertz injection lasers based on PbSnSe alloy with an emission wavelength up to 46.5 mu m
SEMICONDUCTORS
Maremyanin, KV; Rumyantsev, VV; Ikonnikov, AV; Bovkun, LS; Chizhevskii, EG; Zasavitskii, II; G
2016г. т. 50 номер 12 стр.. 1669-1672 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782616120125
WoS id - WOS:000393046100023

The study of the laser characteristics based on solid solution Pb1-xSnxSe (x approximate to 0.07) emitting at spectral range of 16 mu km
V INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COHERENT OPTICAL RADIATION OF SEMICONDUCTOR COMPOUNDS AND STRUCTURES
Umbetalieva, KR; Marem'yanin, KV; Gavrilenko, VI; Zasavitskij, II; Bitskiy, RR; Komochkina, EA
2016г. т. 740 номер стр.. - тип: труды

DOI - 10.1088/1742-6596/740/1/012005
WoS id - WOS:000402162400006

Long-Wavelength Injection Lasers Based on Pb1-xSnxSe Alloys and Their Use in Solid-State Spectroscopy
SEMICONDUCTORS
Maremyanin, KV; Ikonnikov, AV; Antonov, AV; Rumyantsev, VV; Morozov, SV; Bovkun, LS; Umbetalieva, KR все авторы
2015г. т. 49 номер 12 стр.. 1623-1626 (цит. wos) 14 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782615120118
WoS id - WOS:000366649300016

Role of intervalley scattering in the radiative recombination in Pb1-x Eu (x) Te alloys (0 a parts per thousand currency sign x a parts per thousand currency sign 1)
SEMICONDUCTORS
Pashkeev, DA; Zasavitskiy, II
2013г. т. 47 номер 6 стр.. 755-760 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782613060201
Scopus id - 2-s2.0-84878771411
WoS id - WOS:000320365700006
Science Index - 20440394

Broadening and splitting of emission spectra of a GaInAs/AlInAs quantum cascade laser in a quantising magnetic field
QUANTUM ELECTRONICS
Zasavitskii, II; Pashkeev, DA; Bushuev, EV; Mikaelyan, GT
2013г. т. 43 номер 2 стр.. 144-146 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1070/QE2013v043n02ABEH015077
Scopus id - 2-s2.0-84875159294
WoS id - WOS:000316001500011
Science Index - 20438368

Active-region designs in quantum cascade lasers
QUANTUM ELECTRONICS
Zasavitskii, II
2012г. т. 42 номер 10 стр.. 863-873 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1070/QE2012v042n10ABEH014910
Scopus id - 2-s2.0-84868625515
WoS id - WOS:000310584700001
Science Index - 20489847

Dispersion of the refractive index of epitaxial Pb1-xEuxTe (0 <= x <= 1) alloy layers below the absorption edge
SEMICONDUCTORS
Pashkeev, DA; Selivanov, YG; Chizhevskii, EG; Stavrovskii, DB; Zasavitskiy, II
2011г. т. 45 номер 8 стр.. 980-987 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063782611080148
Scopus id - 2-s2.0-84860394122
WoS id - WOS:000294025300002
Science Index - 18057085

Transmission Spectra of Epitaxial Layers of Pb1-xEuxTe (0 <= x <= 0.37) Solid Solutions in the Frequency Range 7-4000 cm(-1)
PHYSICS OF THE SOLID STATE
Zhukova, ES; Aksenov, NP; Gorshunov, BP; Selivanov, YG; Zasavitskii, II; Wu, D; Dressel, M
2011г. т. 53 номер 4 стр.. 810-814 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S1063783411040342
Scopus id - 2-s2.0-79955089947
WoS id - WOS:000290439400020
Science Index - 16987502

Molecular Beam Epitaxy of Pb1-xEux Te and Pb1-xSnx Te Layers and Related Periodic Structures
INORGANIC MATERIALS
Selivanov, YG; Chizhevskii, EG; Martovitskiy, VP; Knotko, AV; Zasavitskii, II
2010г. т. 46 номер 10 стр.. 1065-1071 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0020168510100079
WoS id - WOS:000283372100007

Low-temperature persistent afterglow in opal photonic crystals under pulsed UV excitation
INORGANIC MATERIALS
Gorelik, VS; Esakov, AA; Zasavitskii, II
2010г. т. 46 номер 6 стр.. 639-643 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/S0020168510060142
WoS id - WOS:000278404000014

An 8-mu m quantum cascade laser produced by the metalorganic vapour phase epitaxy method
QUANTUM ELECTRONICS
Zasavitskii, II; Pashkeev, DA; Marmalyuk, AA; Ryaboshtan, YL; Mikaelyan, GT
2010г. т. 40 номер 2 стр.. 95-97 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1070/QE2010v040n02ABEH014282
WoS id - WOS:000277833300001

Far infrared spectroscopy of Pb1-xEuxTe epitaxial layers
PHYSICAL REVIEW B
Zhukova, ES; Aksenov, NP; Gorshunov, BP; Selivanov, YG; Zasavitskiy, II; Wu, D; Dressel, M
2010г. т. 82 номер 20 стр.. - (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1103/PhysRevB.82.205202
WoS id - WOS:000283709200002