Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: researcher ID: M-5161-2015 (Капаев Владимир Васильевич), период Все года
Найдено публикаций: 86.

Последнее обновление базы: 01.04.2019

  1. Photoluminescence with moderate excitation and resonant Raman scattering in GaAs/AlGaAs superlattices
    SEMICONDUCTORS
    Aleshchenko, YA; Zavaritskaya, TN; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Melnik, NN
    1996г. т. 30 номер 5 стр.. 436-439 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1996UM65200006

  2. Equidistant spectrum of localized states due to fluctuations of the parameters in quantum-well structures
    JETP LETTERS
    Aleshchenko, YA; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Melnik, NN
    1996г. т. 63 номер 4 стр.. 278-284 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.567007
    WoS id - WOS:A1996UG08200009

  3. CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTIC OF AN ASYMMETRIC SYSTEM OF GAAS/ALGAAS QUANTUM-WELLS SEPARATED BY WIDE BARRIERS
    SEMICONDUCTORS
    KADUSHKIN, VI; SHANGINA, EL; KAPAEV, VV; KUCHERENKO, IV; PODLIVAEV, AI; RUDNEV, IA; SINCHENKO,
    1995г. т. 29 номер 4 стр.. 374-376 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1995QZ18800022

  4. CONTROLLED EVOLUTION OF ELECTRON-STATES IN NANOSTRUCTURES
    ZHURNAL EKSPERIMENTALNOI I TEORETICHESKOI FIZIKI
    GORBATSEVICH, AA; KAPAEV, VV; KOPAEV, YV
    1995г. т. 107 номер 4 стр.. 1320-1349 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1995RB27800023

  5. RESONANT RAMAN-SCATTERING AND REDISLOCATION EFFECTS IN GAAS/ALGAAS
    JETP LETTERS
    ALESHCHENKO, YA; ZAVARITSKAYA, TN; KAPAEV, VV; KOPAEV, YV; MELNIK, NN
    1994г. т. 59 номер 4 стр.. 255-259 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1994NF72700007

  6. COULOMB INTERACTION AND ELECTRONIC PHASE-TRANSITIONS IN QUANTUM-WELL SYSTEMS
    JETP LETTERS
    KAPAEV, VV; KOPAEV, YV; KORNYAKOV, NV
    1993г. т. 58 номер 11 стр.. 843-848 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1993NB84100009

  7. ASYMMETRIC NANOSTRUCTURES IN A MAGNETIC-FIELD (VOL 57, PG 580, 1993)
    JETP LETTERS
    GORBATSEVICH, AA; KAPAEV, VV; KOPAEV, YV
    1993г. т. 58 номер 9 стр.. 730-730 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1993MQ27500013

  8. MAGNETIC-FIELD-INDUCED PHOTOVOLTAIC EFFECT IN AN ASYMMETRIC SYSTEM OF QUANTUM-WELLS
    JETP LETTERS
    ALESHCHENKO, YA; VORONOVA, ID; GRISHECHKINA, SP; KAPAEV, VV; KOPAEV, YV; KUCHERENKO, IV; KADUSHKIN, VI все авторы
    1993г. т. 58 номер 5 стр.. 384-388 (цит. wos) 20 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1993MF05700013

  9. ASYMMETRIC NANOSTRUCTURES IN A MAGNETIC-FIELD
    JETP LETTERS
    GORBATSEVICH, AA; KAPAEV, VV; KOPAEV, YV
    1993г. т. 57 номер 9 стр.. 580-585 (цит. wos) 47 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1993LK10100013

  10. LASER-INDUCED FORMATION OF A HETEROPHASE SURFACE PERIODIC STRUCTURE NEAR A SEMICONDUCTOR MELTING THRESHOLD
    IZVESTIYA AKADEMII NAUK SSSR SERIYA FIZICHESKAYA
    KAPAEV, VV
    1991г. т. 55 номер 7 стр.. 1379-1384 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1991GT96900017

  11. SOME FEATURES OF THE ELECTROMAGNETIC-RADIATION DISTRIBUTION IN A CADMIUM-SULFIDE SURFACE-LAYER UNDER COMBINED ELECTRON-LIGHT ANNEALING
    KVANTOVAYA ELEKTRONIKA
    KAPAEV, VV
    1989г. т. 16 номер 11 стр.. 2271-2278 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1989CG47800022

  12. ELECTRON-LIGHT ANNEALING OF CADMIUM-SULFIDE
    PISMA V ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI
    KRYUKOVA, IV; KAPAEV, VV; KOPAEV, YV; KOSTIN, NN
    1988г. т. 14 номер 2 стр.. 137-140 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1988M126100012

  13. AN EVOLUTION OF A PERIODIC STRUCTURE ON THE SEMICONDUCTOR SURFACE UPON EXPOSURE TO THE LASER-RADIATION
    KVANTOVAYA ELEKTRONIKA
    KAPAEV, VV
    1987г. т. 14 номер 3 стр.. 536-566 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1987G876900013

  14. STRUCTURAL TRANSFORMATIONS IN INSB INDUCED BY A STRONG ELECTROMAGNETIC-RADIATION
    JETP LETTERS
    GROMOV, GG; KAPAEV, VV; KOPAEV, YV; RUDENKO, KV
    1987г. т. 46 номер 3 стр.. 148-151 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1987L505100012

  15. DYNAMICS OF PERIODIC STRUCTURE FORMATION ON SEMICONDUCTOR SURFACES DURING INTENSIVE LASER ILLUMINATION
    ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI
    KAPAEV, VV
    1987г. т. 57 номер 5 стр.. 965-968 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1987J190900020

  16. PERIODIC STRUCTURE FORMATION ON THE SEMICONDUCTOR SURFACE UNDER LASER-EMISSION
    ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI
    KAPAEV, VV
    1985г. т. 55 номер 11 стр.. 2244-2247 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1985AVA8000032

  17. FORMATION OF A PERIODIC STRUCTURE ON A SEMICONDUCTOR SURFACE WITH LASER-RADIATION AT OBLIQUE-INCIDENCE
    SOVIET MICROELECTRONICS
    KAPAEV, VV
    1985г. т. 14 номер 3 стр.. 96-103 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1985A074500003

  18. MEASUREMENT OF THE DIMENSIONS OF IC ELEMENTS FROM THE DIFFRACTION PATTERN TAKING ACCOUNT OF THE REAL ETCH PROFILE
    SOVIET MICROELECTRONICS
    VOLKOV, VV; GERASIMOV, LL; KAPAEV, VV; LARIONOV, YV; RAKOV, AV
    1984г. т. 13 номер 1 стр.. 37-44 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1984TL32400006

  19. MEASUREMENT OF THE DIMENSIONS OF INTEGRATED-CIRCUIT ELEMENTS BY MEANS OF DIFFRACTION
    SOVIET MICROELECTRONICS
    VOLKOV, VV; GERASIMOV, LL; KAPAEV, VV; LARIONOV, YV
    1983г. т. 12 номер 2 стр.. 55-59 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1983RV09400002

  20. A NONTHERMAL MECHANISM FOR LASER ANNEALING OF SEMICONDUCTORS AND FORMATION OF SUPERSTRUCTURES
    SOVIET MICROELECTRONICS
    KAPAEV, VV; KOPAEV, YV; MOLOTKOV, SN
    1983г. т. 12 номер 6 стр.. 255-266 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1983SX75400001

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория

Период


С по
Тип



Сортировать по