Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: researcher ID: M-4754-2015 (Ушаков Виктор Валентинович), период Все года
Найдено публикаций: 34.

Последнее обновление базы: 01.04.2019

  1. 5D TRANSITION AND 4F RARE-EARTH ELEMENTS IN II-VI SEMICONDUCTORS AS LUMINESCENT CENTERS AND PROBES IN DIAGNOSTICS OF IMPLANTED LAYERS
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
    USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA
    1990г. т. 101 номер 1-4 стр.. 458-461 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0022-0248(90)91014-H
    WoS id - WOS:A1990DP34300089

  2. TRANSITION AND RARE-EARTH ELEMENTS USED AS LUMINESCENT PROBES IN STUDYING ION-IMPLANTED III-V-SEMICONDUCTORS AND II-VI-SEMICONDUCTORS
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS
    GIPPIUS, AA; USHAKOV, VV; YAKIMKIN, VN; VAVILOV, VS
    1989г. т. 39 номер 1-4 стр.. 492-495 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0168-583X(89)90833-1
    WoS id - WOS:A1989T863200106

  3. LASER ANNEALING OF IMPLANTED GAAS - ROLE OF IMPLANTATION DEFECTS
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    YAKIMKIN, VN; USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA; VAVILOV, VS; SEDELNIKOV, AE; DRAVIN, VA; CHERNYAEV, VV;
    1988г. т. 22 номер 9 стр.. 989-992 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1988T151400003

  4. LUMINESCENCE OF PR, ND AND YB IONS IMPLANTED IN GAAS AND GAP
    CZECHOSLOVAK JOURNAL OF PHYSICS
    RZAKULIEV, NA; KONNOV, VM; YAKIMKIN, VN; USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA; OSWALD, J; PASTRNAK, J
    1988г. т. 38 номер 11 стр.. 1288-1293 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1007/BF01597299
    WoS id - WOS:A1988R152100015

  5. ENERGY-LEVELS IN GALLIUM-PHOSPHIDE DOPED BY IMPLANTATION OF NIOBIUM IONS
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    CHERNYAEV, VV; PONOMAREV, NY; USHAKOV, VV; DRAVIN, VA; GIPPIUS, AA
    1987г. т. 21 номер 12 стр.. 1359-1361 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1987N341200029

  6. LUMINESCENCE OF TUNGSTEN IMPURITIES IN GALLIUM-ARSENIDE
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA
    1983г. т. 17 номер 8 стр.. 881-884 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1983RY16000004

  7. LUMINESCENCE OF TANTALUM CENTERS IN GAAS AND GAP
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA; DRAVIN, VA
    1983г. т. 17 номер 7 стр.. 743-746 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1983RX76800002

  8. GENERAL TRENDS IN THE LUMINESCENCE PROPERTIES OF TRANSITION-ELEMENTS CENTERS IN III-V SEMICONDUCTING COMPOUNDS
    PHYSICA B & C
    VAVILOV, VS; USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA
    1983г. т. 117 номер MAR стр.. 191-193 (цит. wos) 18 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0378-4363(83)90479-5
    WoS id - WOS:A1983QH92300049

  9. LUMINESCENCE OF TI IMPURITIES IN GAAS AND GAP
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA
    1982г. т. 16 номер 9 стр.. 1042-1044 (цит. wos) 11 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1982QB26200023

  10. LUMINESCENCE OF A RARE-EARTH (ERBIUM) IMPURITY IN GALLIUM-ARSENIDE AND PHOSPHIDE
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA; DRAVIN, VA; SPITSYN, AV
    1982г. т. 16 номер 6 стр.. 723-723 (цит. wos) 21 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1982PR33300045

  11. LUMINESCENCE OF NB CENTERS IN GAAS AND GAP
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA; DRAVIN, VA; KANTSER, SF
    1981г. т. 15 номер 8 стр.. 890-894 (цит. wos) 12 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1981NA35200015

  12. RADIATIVE TRANSITIONS IN W2+ CENTERS IN GAAS
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA
    1980г. т. 14 номер 3 стр.. 333-335 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1980KD24300031

  13. LUMINESCENCE OF GALLIUM-ARSENIDE CONTAINING IMPLANTED VANADIUM
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA
    1980г. т. 14 номер 2 стр.. 197-199 (цит. wos) 14 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1980KA94600020

  14. INTRACENTER RADIATIVE TRANSITION IN CR2+ IONS IN GAAS
    SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR
    USHAKOV, VV; GIPPIUS, AA; KORNILOV, BV
    1978г. т. 12 номер 2 стр.. 207-210 (цит. wos) 10 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1978FR06200022

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория

Период


С по
Тип



Сортировать по