Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: researcher ID: M-3726-2015 (Дракин Александр Евгеньевич), период Все года
Найдено публикаций: 65.

Последнее обновление базы: 01.04.2019

  1. The negative differential gain in SL InGaAs QW laser diodes.
    PHYSICS AND SIMULATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES III
    ELISEEV, PG; DRAKIN, AE
    1995г. т. 2399 номер стр.. 302-306 (цит. wos) 5 тип: книга

    DOI - 10.1117/12.212506
    WoS id - WOS:A1995BD53Q00028

  2. A STUDY OF LASER-EMISSION WAVELENGTH VARIATIONS IN 1.5-MU-M INGAASP/INP BRS LASER-DIODES - THEORETICAL-MODEL AND EXPERIMENT
    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
    ELISEEV, PG; DRAKIN, AE; PITTROFF, W
    1994г. т. 30 номер 10 стр.. 2271-2276 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1109/3.328600
    WoS id - WOS:A1994PM81300007

  3. STUDY OF STRAINED-LAYER INGAAS/GAAS SQW RW LASERS INCLUDING ANALYSIS OF INTERNAL COUPLING-OF-MODES AND ANTIGUIDING EFFECTS
    PHYSICS AND SIMULATION OF OPTOELECTRONIC DEVICES II
    ELISEEV, PG; BEISTER, G; DRAKIN, AE; ERBERT, G; KONYAEV, VP; MAEGE, J
    1994г. т. 2146 номер стр.. 185-196 (цит. wos) 5 тип: книга

    DOI - 10.1117/12.178509
    WoS id - WOS:A1994BA89K00018

  4. ANALYSIS OF THE MODE INTERNAL COUPLING IN INGAAS/GAAS LASER-DIODES
    LASER PHYSICS
    ELISEEV, PG; DRAKIN, AE
    1994г. т. 4 номер 3 стр.. 485-492 (цит. wos) 18 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1994NT58100005

  5. REFRACTIVE-INDEXES OF WURTZITE AND ZINCBLENDE GAN
    ELECTRONICS LETTERS
    LIN, ME; SVERDLOV, BN; STRITE, S; MORKOC, H; DRAKIN, AE
    1993г. т. 29 номер 20 стр.. 1759-1761 (цит. wos) 43 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1049/el:19931172
    WoS id - WOS:A1993MH21500020

  6. THERMAL RESISTIVITY OF QUATERNARY SOLID-SOLUTIONS INGASBAS AND GAALSBAS LATTICE-MATCHED TO GASB
    ELECTRONICS LETTERS
    BOTH, W; BOCHKAREV, A; DRAKIN, A; SVERDLOV, B
    1990г. т. 26 номер 7 стр.. 418-419 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1049/el:19900272
    WoS id - WOS:A1990CZ05400002

  7. BURIED-TYPE LOW-THRESHOLD INJECTION-LASERS AT 1.3 MU-M WITH A 2-CHANNEL LATERAL LIMITATION PRODUCED ON NORMAL-INP SUBSTRATES
    KVANTOVAYA ELEKTRONIKA
    AKIMOVA, IV; VASILEV, MG; GOLIKOVA, EG; DRAKIN, AE; ELISEEV, PG; ROMANTSEVICH, VI; SVERDLOV, BN; SHVEIKIN, VI все авторы
    1989г. т. 16 номер 3 стр.. 457-462 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1989U169500010

  8. THERMAL RESISTIVITY OF QUATERNARY SOLID-SOLUTIONS INGAASSB AND GAALASSB LATTICE-MATCHED TO GASB
    CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY
    BOTH, W; BOCHKAREV, AE; DRAKIN, AE; SVERDLOV, BN
    1989г. т. 24 номер 9 стр.. K161-K166 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1002/crat.2170240921
    WoS id - WOS:A1989AY26200018

  9. INJECTION-LASERS OF SPECTRAL RANGE OF 2.0-2.4 MU-M OPERATING AT ROOM-TEMPERATURE
    ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI
    AKIMOVA, IV; BOCHKAREV, AE; DOLGINOV, LM; DRAKIN, AE; DRUZHININA, LV; ELISEEV, PG; SVERDLOV, BN;
    1988г. т. 58 номер 4 стр.. 701-707 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1988N254700009

  10. CW STIMULATED-EMISSION AT ROOM-TEMPERATURE FROM INJECTION-LASERS UTILIZING THE INGASBAS/GAALSBAS HETEROSTRUCTURE AND OPERATING IN THE SPECTRAL RANGE FROM 2.2-MU-M TO 2.4-MU-M
    KVANTOVAYA ELEKTRONIKA
    BOCHKAREV, AE; DOLGINOV, LM; DRAKIN, AE; ELISEEV, PG; SVERDLOV, BN
    1988г. т. 15 номер 11 стр.. 2171-2172 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1988R337200003

  11. DEFECTS OF RAPID DEGRADATION ON FACET MIRRORS OF INGAASP-INP LASERS IN THE REGION OF 1.3 MU-M
    KVANTOVAYA ELEKTRONIKA
    AKIMOVA, IV; DRAKIN, AE; DURAEV, VP; ELISEEV, PG; MAKHSUDOV, BI; SVERDLOV, BN
    1987г. т. 14 номер 1 стр.. 204-205 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1987G129200033

  12. INGASBAS INJECTION-LASERS
    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
    DRAKIN, AE; ELISEEV, PG; SVERDLOV, BN; BOCHKAREV, AE; DOLGINOV, LM; DRUZHININA, LV
    1987г. т. 23 номер 6 стр.. 1089-1094 (цит. wos) 51 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1109/JQE.1987.1073467
    WoS id - WOS:A1987J192500064

  13. AN INGASBAS INJECTION-LASER EMITTING AT THE WAVELENGTH OF 2.4 MU-M (300-K)
    KVANTOVAYA ELEKTRONIKA
    BOCHKAREV, AE; DOLGINOV, LM; DRAKIN, AE; DRUZHININA, LV; ELISEEV, PG; SVERDLOV, BN; SKRIPKIN, VA
    1986г. т. 13 номер 10 стр.. 2119-2120 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1986E745300028

  14. CW INGAASP/INP INJECTION-LASERS WITH VERY LOW THRESHOLD CURRENT-DENSITY AT ROOM-TEMPERATURE
    IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
    DOLGINOV, LM; DRAKIN, AE; ELISEEV, PG; SVERDLOV, BN; SHEVCHENKO, EG
    1985г. т. 21 номер 6 стр.. 646-649 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1109/JQE.1985.1072714
    WoS id - WOS:A1985ALQ4200025

  15. ROOM-TEMPERATURE IN GASBAS INJECTION-LASERS AT THE WAVELENGTH OF 1.9-2.3 MU-M
    KVANTOVAYA ELEKTRONIKA
    BOCHKAREV, AE; DOLGINOV, LM; DRAKIN, AE; DRUZHININA, LV; ELISEEV, PG; SVERDLOV, BN
    1985г. т. 12 номер 6 стр.. 1309-1311 (цит. wos) 8 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1985AMZ0700030

  16. A QUALITATIVE-ANALYSIS OF THE THRESHOLD CURRENT IN QUANTUM-SIZE SEMICONDUCTOR-LASERS
    KVANTOVAYA ELEKTRONIKA
    ELISEEV, PG; DRAKIN, AE
    1984г. т. 11 номер 1 стр.. 178-181 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1984SE75400032

  17. INJECTION-LASERS UTILIZING INGAASP/INP WITH A 3-LAYER WAVEGUIDE
    KVANTOVAYA ELEKTRONIKA
    VASILEV, MG; DOLGINOV, LM; DRAKIN, AE; ELISEEV, PG; IVANOV, AV; KONYAEV, VP; SVERDLOV, BN; SKRIPKIN, VA все авторы
    1984г. т. 11 номер 3 стр.. 631-633 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1984SP31200036

  18. INGAASP/INP INJECTION-LASERS WITH THE THRESHOLD CURRENT-DENSITY OF 0.5 KA/CM2 AT 300 K
    KVANTOVAYA ELEKTRONIKA
    DOLGINOV, LM; DRAKIN, AE; ELISEEV, PG; SVERDLOV, BN; SKRIPKIN, VA; SHEVCHENKO, EG
    1984г. т. 11 номер 4 стр.. 645-646 (цит. wos) 13 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1984SS77900001

  19. LOW-THRESHOLD CURRENT-DENSITY INGAASP/INP INJECTION-LASERS WITH 3-LAYER-WAVEGUIDE DOUBLE HETEROSTRUCTURE (JTH-CONGRUENT TO-0-5KA/CM2 AT 300-K)
    ELECTRONICS LETTERS
    DRAKIN, AE; ELISEEV, PG; SVERDLOV, BN; DOLGINOV, LM; SHEVCHENKO, EG
    1984г. т. 20 номер 13 стр.. 559-561 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1049/el:19840388
    WoS id - WOS:A1984SX71100025

  20. LOW-THRESHOLD INJECTION-LASERS BASED ON THICK GAINPAS/INP (1.2-1.6 MKM) HETEROSTRUCTURES
    ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI
    AVDEEVA, VP; BEZOTOSNYI, VV; VASILEV, MG; DOLGINOV, LM; DRAKIN, AE; DURAEV, VP; ELISEEV, PG; MALKOVA, NV все авторы
    1984г. т. 54 номер 3 стр.. 551-557 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1984SL27400017

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория

Период


С по
Тип



Сортировать по