Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: researcher ID: M-3623-2015 (Казаков Игорь Петрович), период Все года
Найдено публикаций: 63.

Последнее обновление базы: 01.01.2022

  1. Optical properties of CdSe/ZnSe nanostructures grown by MBE on virtual Si/Ge substrates
    PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 4
    Onishchenko, EE; Kazakov, IP; Rzaev, MM
    2006г. т. 3 номер 4 стр.. 905-+ (цит. wos) 2 тип:

    DOI - 10.1002/pssc.200564734
    WoS id - WOS:000236962100044

  2. Spectroscopic studies of molecular-beam epitaxially grown Cr2+-doped ZnSe thin films
    APPLIED PHYSICS LETTERS
    Gallian, A; Fedorov, VV; Kernal, J; Allman, J; Mirov, SB; Dianov, EM; Zabezhaylov, AO; Kazakov, I
    2005г. т. 86 номер 9 стр.. - (цит. wos) 38 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1063/1.1861952
    WoS id - WOS:000228991600005

  3. Photoluminescence characterization of resonant-tunneling diodes based on the GaAs/AlGaAs long-period superlattices in the process of fabrication
    MICRO- AND NANOELECTRONICS 2003
    Belov, AA; Efimov, YA; Karuzskii, AL; Kazakov, IP; Mityagin, YA; Murzin, VN; Perestoronin, AV; Pishchulin, AA все авторы
    2004г. т. 5401 номер стр.. 579-589 (цит. wos) 1 тип:

    DOI - 10.1117/12.562708
    WoS id - WOS:000222663400075

  4. Growth and characterization of Si-Si1-xGex-GaAs heterostructure with InGaAs quantum dots
    10TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY
    Burbaev, TM; Kazakov, IP; Kurbatov, VA; Rzaev, MM; Vdovin, VI
    2003г. т. 5023 номер стр.. 176-178 тип:

    DOI - 10.1117/12.513625
    WoS id - WOS:000184080700046

  5. Room temperature lambda=1.3 mu m photoluminescence from InGaAs quantum dots on (001) Si substrate
    SEMICONDUCTORS
    Burbaev, TM; Kazakov, IP; Kurbatov, VA; Rzaev, MM; Tsvetkov, VA; Tsekhosh, VI
    2002г. т. 36 номер 5 стр.. 535-538 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1478544
    WoS id - WOS:000175232000010

  6. Structural and optical features of InGaAs quantum dots grown on Si(001) substrates
    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
    Vdovin, VI; Kazakov, IP; Rzaev, MM; Burbaev, TM
    2002г. т. 14 номер 48 стр.. 13351-13355 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1088/0953-8984/14/48/388
    WoS id - WOS:000180091100089

  7. Interference ionization of impurity by electric field in coupled quantum wells
    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
    Aleshchenko, YA; Kazakov, IP; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Kornyakov, NV; Tyurin, AE
    2000г. т. 15 номер 6 стр.. 579-584 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1088/0268-1242/15/6/316
    WoS id - WOS:000087585500017

  8. Interference ionization of an impurity by an electric field in a system of quantum wells
    JETP LETTERS
    Aleshchenko, YA; Kazakov, IP; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Kornyakov, NV; Tyurin, AE
    1999г. т. 69 номер 3 стр.. 207-214 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.568008
    WoS id - WOS:000079412000008

  9. Optical activity of Yb in GaAs and low-dimensional GaAs GaAlAs structures
    SEMICONDUCTORS
    Gippius, AA; Konnov, VM; Dravin, VA; Loiko, NN; Kazakov, IP; Ushakov, VV
    1999г. т. 33 номер 6 стр.. 627-629 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1187743
    WoS id - WOS:000080875900011

  10. Transformation of the dimensionality of excitonic states in quantum wells with asymmetric barriers in an electric field
    JETP LETTERS
    Aleshchenko, YA; Kazakov, IP; Kapaev, VV; Kopaev, YV
    1998г. т. 67 номер 3 стр.. 222-226 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.567654
    WoS id - WOS:000072586400009

  11. Yb luminescence centres in MBE-grown and ion-implanted GaAs
    DEFECTS IN SEMICONDUCTORS - ICDS-19, PTS 1-3
    Gippius, AA; Konnov, VM; Loyko, NN; Ushakov, VV; Larikova, TV; Kazakov, IP; Dravin, VA; Sobolev,
    1997г. т. 258-2 номер стр.. 917-922 (цит. wos) 1 тип: книга в серии

    DOI - 10.4028/www.scientific.net/MSF.258-263.917
    WoS id - WOS:000072749500149

  12. MAGNETIC TRAPPING OF CHARGE-CARRIERS IN THE QUANTUM-WELLS OF AN ASYMMETRIC 2-WELL SEMICONDUCTOR STRUCTURE
    JETP LETTERS
    SKORIKOV, ML; ZASAVITSKII, II; KAZAKOV, IP; SIBELDIN, NN; TSVETKOV, VA; TSEKHOSH, VI; SADOFEV, YG
    1995г. т. 62 номер 6 стр.. 522-527 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1995TH87200010

  13. IN-SITU GROWTH OF SUPERCONDUCTING Y-BA-CU-O THIN-FILMS BY ION-BEAM SPUTTERING METHOD
    MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
    BAGULYA, AV; KAZAKOV, IP; NEGODAEV, MA; TSEKHOSH, VI; VORONOV, VV
    1993г. т. 21 номер 1 стр.. 5-9 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0921-5107(93)90257-N
    WoS id - WOS:A1993LW78800002

  14. TUNNELING INTO THE BISRCUO SUPERCONDUCTOR UP TO THE CRITICAL MAGNETIC-FIELD
    FIZIKA NIZKIKH TEMPERATUR
    SAMUELY, P; VEDENEEV, SI; JANSEN, AGM; KAZAKOV, IP; GONNELLI, R
    1992г. т. 18 номер 6 стр.. 621-623 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1992JF40300026

  15. TUNNELING MEASUREMENTS ON A BISRCUO SINGLE-CRYSTAL UP TO THE CRITICAL MAGNETIC-FIELD
    ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK B-CONDENSED MATTER
    VEDENEEV, SI; SAMUELY, P; JANSEN, AGM; KAZAKOV, IP; GONNELLI, R
    1991г. т. 83 номер 3 стр.. 343-346 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1007/BF01313403
    WoS id - WOS:A1991FR84400007

  16. FAST GROWTH (FG) METHOD FOR LA2-XSRXCUO4 SINGLE-CRYSTALS
    SOLID STATE COMMUNICATIONS
    KAZAKOV, IP; KTITOROV, VI; STEPANOV, VA
    1991г. т. 78 номер 11 стр.. 983-988 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/0038-1098(91)90219-L
    WoS id - WOS:A1991FV44100012

  17. USE OF PHOTOLITHOGRAPHY FOR THE PREPARATION OF Y-BA-CU-O THIN-FILM ELEMENTS
    PISMA V ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI
    BAGULYA, AV; KAZAKOV, IP; MIKERTUMYANTS, AR; NEGODAEV, MA; ROMASHCHIN, VA; TSEKHOSH, VI; YURKOV, A
    1990г. т. 16 номер 16 стр.. 55-58 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1990EA50200015

  18. TUNNELLING STUDIES OF EU1BA2CU3O7 SINGLE-CRYSTALS
    JETP LETTERS
    VEDENEEV, SI; KAZAKOV, IP; KIRYANOV, AP; MAKSIMOVSKII, SN; STEPANOV, VA
    1988г. т. 47 номер 6 стр.. 367-370 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1988Q556900010

  19. JOSEPHSON EFFECT BETWEEN A EU1BA2CU3OY SINGLE-CRYSTAL AND NB
    JETP LETTERS
    VEDENEEV, SI; KAZAKOV, IP; KIRYANOV, AP; MAKSIMOVSKII, SN
    1988г. т. 47 номер 3 стр.. 194-197 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1988Q460200015

  20. TUNNELING STUDIES OF LA2-XSRXCUO4-Y WITH TC=12-DIVIDED-BY-13 K
    FIZIKA TVERDOGO TELA
    VEDENEEV, SI; KAZAKOV, IP; KIRYANOV, AP; MAKSIMOVSKII, SN; STEPANOV, VA
    1988г. т. 30 номер 9 стр.. 2861-2863 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:A1988Q740400056

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория

Период


С по
Тип



Сортировать по