Optical properties of CdSe/ZnSe nanostructures grown by MBE on virtual Si/Ge substrates
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3, NO 4
Onishchenko, EE; Kazakov, IP; Rzaev, MM
2006г. т. 3 номер 4 стр.. 905-+ (цит. wos) 2 тип: труды

DOI - 10.1002/pssc.200564734
WoS id - WOS:000236962100044

Spectroscopic studies of molecular-beam epitaxially grown Cr2+-doped ZnSe thin films
APPLIED PHYSICS LETTERS
Gallian, A; Fedorov, VV; Kernal, J; Allman, J; Mirov, SB; Dianov, EM; Zabezhaylov, AO; Kazakov, I
2005г. т. 86 номер 9 стр.. - (цит. wos) 39 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1063/1.1861952
WoS id - WOS:000228991600005

Photoluminescence characterization of resonant-tunneling diodes based on the GaAs/AlGaAs long-period superlattices in the process of fabrication
MICRO- AND NANOELECTRONICS 2003
Belov, AA; Efimov, YA; Karuzskii, AL; Kazakov, IP; Mityagin, YA; Murzin, VN; Perestoronin, AV; Pishchulin, AA все авторы
2004г. т. 5401 номер стр.. 579-589 (цит. wos) 1 тип: труды

DOI - 10.1117/12.562708
WoS id - WOS:000222663400075

Growth and characterization of Si-Si1-xGex-GaAs heterostructure with InGaAs quantum dots
10TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON NANOSTRUCTURES: PHYSICS AND TECHNOLOGY
Burbaev, TM; Kazakov, IP; Kurbatov, VA; Rzaev, MM; Vdovin, VI
2003г. т. 5023 номер стр.. 176-178 тип: труды

DOI - 10.1117/12.513625
WoS id - WOS:000184080700046

Room temperature lambda=1.3 mu m photoluminescence from InGaAs quantum dots on (001) Si substrate
SEMICONDUCTORS
Burbaev, TM; Kazakov, IP; Kurbatov, VA; Rzaev, MM; Tsvetkov, VA; Tsekhosh, VI
2002г. т. 36 номер 5 стр.. 535-538 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1478544
WoS id - WOS:000175232000010

Structural and optical features of InGaAs quantum dots grown on Si(001) substrates
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
Vdovin, VI; Kazakov, IP; Rzaev, MM; Burbaev, TM
2002г. т. 14 номер 48 стр.. 13351-13355 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1088/0953-8984/14/48/388
WoS id - WOS:000180091100089

Interference ionization of impurity by electric field in coupled quantum wells
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
Aleshchenko, YA; Kazakov, IP; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Kornyakov, NV; Tyurin, AE
2000г. т. 15 номер 6 стр.. 579-584 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1088/0268-1242/15/6/316
WoS id - WOS:000087585500017

Interference ionization of an impurity by an electric field in a system of quantum wells
JETP LETTERS
Aleshchenko, YA; Kazakov, IP; Kapaev, VV; Kopaev, YV; Kornyakov, NV; Tyurin, AE
1999г. т. 69 номер 3 стр.. 207-214 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.568008
WoS id - WOS:000079412000008

Optical activity of Yb in GaAs and low-dimensional GaAs GaAlAs structures
SEMICONDUCTORS
Gippius, AA; Konnov, VM; Dravin, VA; Loiko, NN; Kazakov, IP; Ushakov, VV
1999г. т. 33 номер 6 стр.. 627-629 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.1187743
WoS id - WOS:000080875900011

Transformation of the dimensionality of excitonic states in quantum wells with asymmetric barriers in an electric field
JETP LETTERS
Aleshchenko, YA; Kazakov, IP; Kapaev, VV; Kopaev, YV
1998г. т. 67 номер 3 стр.. 222-226 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1134/1.567654
WoS id - WOS:000072586400009

Yb luminescence centres in MBE-grown and ion-implanted GaAs
DEFECTS IN SEMICONDUCTORS - ICDS-19, PTS 1-3
Gippius, AA; Konnov, VM; Loyko, NN; Ushakov, VV; Larikova, TV; Kazakov, IP; Dravin, VA; Sobolev,
1997г. т. 258-2 номер стр.. 917-922 (цит. wos) 1 тип: книга в серии

DOI - 10.4028/www.scientific.net/MSF.258-263.917
WoS id - WOS:000072749500149

MAGNETIC TRAPPING OF CHARGE-CARRIERS IN THE QUANTUM-WELLS OF AN ASYMMETRIC 2-WELL SEMICONDUCTOR STRUCTURE
JETP LETTERS
SKORIKOV, ML; ZASAVITSKII, II; KAZAKOV, IP; SIBELDIN, NN; TSVETKOV, VA; TSEKHOSH, VI; SADOFEV, YG
1995г. т. 62 номер 6 стр.. 522-527 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1995TH87200010

IN-SITU GROWTH OF SUPERCONDUCTING Y-BA-CU-O THIN-FILMS BY ION-BEAM SPUTTERING METHOD
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
BAGULYA, AV; KAZAKOV, IP; NEGODAEV, MA; TSEKHOSH, VI; VORONOV, VV
1993г. т. 21 номер 1 стр.. 5-9 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/0921-5107(93)90257-N
WoS id - WOS:A1993LW78800002

TUNNELING INTO THE BISRCUO SUPERCONDUCTOR UP TO THE CRITICAL MAGNETIC-FIELD
FIZIKA NIZKIKH TEMPERATUR
SAMUELY, P; VEDENEEV, SI; JANSEN, AGM; KAZAKOV, IP; GONNELLI, R
1992г. т. 18 номер 6 стр.. 621-623 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1992JF40300026

TUNNELING MEASUREMENTS ON A BISRCUO SINGLE-CRYSTAL UP TO THE CRITICAL MAGNETIC-FIELD
ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK B-CONDENSED MATTER
VEDENEEV, SI; SAMUELY, P; JANSEN, AGM; KAZAKOV, IP; GONNELLI, R
1991г. т. 83 номер 3 стр.. 343-346 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1007/BF01313403
WoS id - WOS:A1991FR84400007

FAST GROWTH (FG) METHOD FOR LA2-XSRXCUO4 SINGLE-CRYSTALS
SOLID STATE COMMUNICATIONS
KAZAKOV, IP; KTITOROV, VI; STEPANOV, VA
1991г. т. 78 номер 11 стр.. 983-988 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

DOI - 10.1016/0038-1098(91)90219-L
WoS id - WOS:A1991FV44100012

USE OF PHOTOLITHOGRAPHY FOR THE PREPARATION OF Y-BA-CU-O THIN-FILM ELEMENTS
PISMA V ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI
BAGULYA, AV; KAZAKOV, IP; MIKERTUMYANTS, AR; NEGODAEV, MA; ROMASHCHIN, VA; TSEKHOSH, VI; YURKOV, A
1990г. т. 16 номер 16 стр.. 55-58 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1990EA50200015

TUNNELLING STUDIES OF EU1BA2CU3O7 SINGLE-CRYSTALS
JETP LETTERS
VEDENEEV, SI; KAZAKOV, IP; KIRYANOV, AP; MAKSIMOVSKII, SN; STEPANOV, VA
1988г. т. 47 номер 6 стр.. 367-370 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1988Q556900010

JOSEPHSON EFFECT BETWEEN A EU1BA2CU3OY SINGLE-CRYSTAL AND NB
JETP LETTERS
VEDENEEV, SI; KAZAKOV, IP; KIRYANOV, AP; MAKSIMOVSKII, SN
1988г. т. 47 номер 3 стр.. 194-197 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1988Q460200015

TUNNELING STUDIES OF LA2-XSRXCUO4-Y WITH TC=12-DIVIDED-BY-13 K
FIZIKA TVERDOGO TELA
VEDENEEV, SI; KAZAKOV, IP; KIRYANOV, AP; MAKSIMOVSKII, SN; STEPANOV, VA
1988г. т. 30 номер 9 стр.. 2861-2863 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

Scopus id - 2-s2.0-84954041360
WoS id - WOS:A1988Q740400056