Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: researcher ID: L-6122-2013 (Пудалов Владимир Моисеевич), период Все года
Найдено публикаций: 199.

Последнее обновление базы: 01.04.2019

  1. The thermodynamic spin magnetization of strongly correlated 2d electrons in a silicon inversion layer
    PHYSICS OF SEMICONDUCTORS 2002, PROCEEDINGS
    Prus, O; Yaish, Y; Reznikov, M; Sivan, U; Pudalov, V
    2003г. т. 171 номер стр.. 185-+ тип: книга в серии

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000222945600022

  2. Single-crystal organic field effect transistors with the hole mobility similar to 8 cm(2)/V s
    APPLIED PHYSICS LETTERS
    Podzorov, V; Sysoev, SE; Loginova, E; Pudalov, VM; Gershenson, ME
    2003г. т. 83 номер 17 стр.. 3504-3506 (цит. wos) 307 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1063/1.1622799
    WoS id - WOS:000186068400020

  3. Interaction effects in conductivity of Si inversion layers at intermediate temperatures
    PHYSICAL REVIEW LETTERS
    Pudalov, VM; Gershenson, ME; Kojima, H; Brunthaler, G; Prinz, A; Bauer, G
    2003г. т. 91 номер 12 стр.. - (цит. wos) 64 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1103/PhysRevLett.91.126403
    WoS id - WOS:000185424700032

  4. Field-effect transistors on rubrene single crystals with parylene gate insulator
    APPLIED PHYSICS LETTERS
    Podzorov, V; Pudalov, VM; Gershenson, ME
    2003г. т. 82 номер 11 стр.. 1739-1741 (цит. wos) 345 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1063/1.1560869
    WoS id - WOS:000181442300031

  5. Novel phase boundary in the field induced spin density wave state in (TMTSF)(2)PF6
    SYNTHETIC METALS
    Kornilov, AV; Pudalov, VM; Kitaoka, Y; Ishida, K; Mito, T; Brooks, JS; Qualls, JS
    2003г. т. 133 номер стр.. 69-70 (цит. wos) 3 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/S0379-6779(02)00273-4
    WoS id - WOS:000181831400022

  6. Interaction Effects in Electron Transport in Si Inversion Layers
    JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN
    Kojima, H.; Gershenson, M. E.; Pudalov, V. M.; Brunthaler, G.; Prinz, A.; Bauer, G.
    2003г. т. 72 номер стр.. - тип: публикация в журнале

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000207841200014

  7. Low-density spin susceptibility and effective mass of mobile electrons in Si inversion layers
    PHYSICAL REVIEW LETTERS
    Pudalov, VM; Gershenson, ME; Kojima, H; Butch, N; Dizhur, EM; Brunthaler, G; Prinz, A; Bauer, G
    2002г. т. 88 номер 19 стр.. - (цит. wos) 184 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1103/PhysRevLett.88.196404
    WoS id - WOS:000175324900037

  8. Crossed magnetic fields technique for studying spin and orbital properties of 2d electrons in the dilute regime
    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
    Gershenson, ME; Pudalov, VM; Kojima, H; Butch, N; Dizhur, EM; Brunthaler, G; Prinz, A; Bauer, G
    2002г. т. 12 номер 1-4 стр.. 585-590 (цит. wos) 8 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/S1386-9477(01)00376-9
    WoS id - WOS:000175206300145

  9. Comment on "Low-density spin susceptibility and effective mass of mobile electrons in Si inversion layers" - Reply
    PHYSICAL REVIEW LETTERS
    Pudalov, VM; Gershenson, M; Kojima, H; Busch, N; Dizhur, EM; Brunthaler, G; Prinz, A; Bauer, G
    2002г. т. 89 номер 21 стр.. - (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1103/PhysRevLett.89.219702
    WoS id - WOS:000179068000061

  10. Stiff liquid and solid of electrons in two dimensions
    JOURNAL DE PHYSIQUE IV
    Pudalov, VM
    2002г. т. 12 номер PR9 стр.. 331-336 (цит. wos) 5 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1051/jp4:20020431
    WoS id - WOS:000180633200091

  11. On the metallic state in high-mobility silicon inversion and silicon-on-insulator layers
    PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES
    Brunthaler, G; Prinz, A; Pillwein, G; Bauer, G; Pudalov, VM; Lindelof, PE; Ahopelto, J
    2002г. т. 13 номер 2-4 стр.. 691-694 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/S1386-9477(02)00260-6
    WoS id - WOS:000176869100138

  12. Comment on "Weak anisotropy and disorder dependence of the in-plane magnetoresistance in high-mobility (100)Si-inversion layers" - Reply
    PHYSICAL REVIEW LETTERS
    Pudalov, VM; Brunthaler, G; Prinz, A; Bauer, G
    2002г. т. 89 номер 12 стр.. - (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1103/PhysRevLett.89.129702
    WoS id - WOS:000178166900058

  13. Weak anisotropy and disorder dependence of the in-plane magnetoresistance in high-mobility (100) Si-inversion layers
    PHYSICAL REVIEW LETTERS
    Pudalov, VM; Brunthaler, G; Prinz, A; Bauer, G
    2002г. т. 88 номер 7 стр.. - (цит. wos) 52 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1103/PhysRevLett.88.076401
    WoS id - WOS:000174021100054

  14. Novel phases in the field-induced spin-density-wave state in (TMTSF)(2)PF6
    PHYSICAL REVIEW B
    Kornilov, AV; Pudalov, VM; Kitaoka, Y; Ishida, K; Mito, T; Brooks, JS; Qualls, JS; Perenboom, JAAJ все авторы
    2002г. т. 65 номер 6 стр.. - (цит. wos) 25 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1103/PhysRevB.65.060404
    WoS id - WOS:000173879700006

  15. Cooling of electrons in a silicon inversion layer
    PHYSICAL REVIEW LETTERS
    Prus, O; Reznikov, M; Sivan, U; Pudalov, V
    2002г. т. 88 номер 1 стр.. - (цит. wos) 36 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1103/PhysRevLett.88.016801
    WoS id - WOS:000173124800053

  16. In-plane magnetization of electrons in a silicon inversion layer
    Electronic Correlations: From Meso- to Nano-Physics
    Reznikov, M; Prus, O; Yaish, Y; Sivan, U; Pudalov, V
    2001г. т. номер стр.. 201-206 тип: книга

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000229152200035

  17. Metal-insulator transition in 2D: resistance in the critical region
    PHYSICA E
    Altshuler, BL; Maslov, DL; Pudalov, VM
    2001г. т. 9 номер 2 стр.. 209-225 (цит. wos) 89 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1016/S1386-9477(00)00167-3
    WoS id - WOS:000167346100001

  18. Exclusion of quantum coherence as the origin of the 2D metallic state in high-mobility silicon inversion layers
    PHYSICAL REVIEW LETTERS
    Brunthaler, G; Prinz, A; Bauer, G; Pudalov, VM
    2001г. т. 87 номер 9 стр.. art. no.-096802 (цит. wos) 37 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1103/PhysRevLett.87.096802
    WoS id - WOS:000170698000031

  19. Semiclassical origin of the 2D metallic state in high mobility Si-MOS and Si/SiGe structures
    PROCEEDINGS OF THE 25TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS I AND II
    Brunthaler, G; Prinz, A; Pillwein, G; Bauer, G; Brunner, K; Abstreiter, G; Dietl, T; Pudalov, VM
    2001г. т. 87 номер стр.. 785-786 (цит. wos) 2 тип: книга в серии

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000171592800370

  20. Critical behaviour of thermopower and conductivity at the metal-insulator transition in high-mobility Si-MOSFETs
    SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
    Fletcher, R; Pudalov, VM; Radcliffe, ADB; Possanzini, C
    2001г. т. 16 номер 5 стр.. 386-393 (цит. wos) 24 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1088/0268-1242/16/5/318
    WoS id - WOS:000168783400022

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория

Период


С по
Тип



Сортировать по