Поиск по публикациям

сортировать по
Период:

С    по

Результат поиска:
Вы искали: researcher ID: F-3370-2010 (Хохлов Дмитрий Ремович), период Все года
Найдено публикаций: 203.

Последнее обновление базы: 01.04.2022

  1. Low temperature impedance spectroscopy of Pb1-xSnxTe(In) doped with a mix valence impurity
    LOW TEMPERATURE PHYSICS, PTS A AND B
    Kozhanov, AE; Ryabova, LI; Khokhlov, DR
    2006г. т. 850 номер стр.. 1526-+ тип: труды

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000243396400693

  2. Mixed valence puzzle in doped IV-VI semiconductors and its applied output: High-performance terahertz photodetectors
    Low Temperature Physics, Pts A and B
    Khokhlov, D
    2006г. т. 850 номер стр.. 1615-1616 тип: труды

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000243396400733

  3. Submillimeter radiation-induced persistent photoconductivity in Pb1-xSnxTe(In)
    NANOSCALE DEVICES - FUNDAMENTALS AND APPLICATIONS
    Kozhanov, AE; Dolzhenko, DE; Ivanchik, II; Watson, DM; Khokhlov, DR
    2006г. т. 233 номер стр.. 319-+ тип: труды

    DOI - 10.1007/978-1-4020-5107-4_21
    WoS id - WOS:000240058700021

  4. Scientific session of the Physical Sciences Division of the Russian Academy of Sciences (12 April 2006)
    PHYSICS-USPEKHI
    Khokhlov, DR; Mitin, AV; Kurochkin, VE; Lukin, VP
    2006г. т. 49 номер 9 стр.. 955-977 (цит. wos) 7 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1070/PU2006v049n09ABEH006094
    WoS id - WOS:000243785700005

  5. Conductivity of Pb1-xSnxTe : In solid solutions in an ac electric field
    SEMICONDUCTORS
    Kozhanov, AE; Nikorich, AV; Ryabova, LI; Khokhlov, DR
    2006г. т. 40 номер 9 стр.. 1021-1024 (цит. wos) 6 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/S1063782606090053
    WoS id - WOS:000240354600005

  6. Features of energy spectrum of Pb1-xMnxTe doped with V
    ACTA PHYSICA POLONICA A
    Artamkin, AI; Dobrovolsky, AA; Dziawa, P; Story, T; Slynko, EI; Slynko, VE; Ryabova, LI; Khokhlo
    2006г. т. 110 номер 2 стр.. 151-156 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.12693/APhysPolA.110.151
    WoS id - WOS:000240446200006

  7. New type of sensitive infrared and submillimeter radiation photodetectors
    Terahertz for Military and Security Applications III
    Kozhanov, A; Dolzhenko, D; Ivanchik, I; Watson, D; Khokhlov, D
    2005г. т. 5790 номер стр.. 123-130 (цит. wos) 1 тип: труды

    DOI - 10.1117/12.602054
    WoS id - WOS:000230960500014

  8. Submillimeter radiation - Induced persistent photoconductivity in Pb1-xSnxTe(In)
    Physics of Semiconductors, Pts A and B
    Kozhanov, A; Dolzhenko, D; Ivanchik, I; Watson, D; Khokhlov, D
    2005г. т. 772 номер стр.. 1202-1203 тип: труды

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000230723900557

  9. Recombination at mixed-valence impurity centers in PbTe(Ga) epitaxial layers
    PHYSICS OF THE SOLID STATE
    Akimov, BA; Bogoyavlenskii, VA; Vasil'kov, VA; Ryabova, LI; Khokhlov, DR
    2005г. т. 47 номер 1 стр.. 166-169 (цит. wos) 2 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1853470
    WoS id - WOS:000227051100040

  10. Submillimeter radiation - induced persistent photoconductivity in Pb1-xSnxTe(In)
    INFRARED SPACEBORNE REMOTE SENSING XII
    Kozhanov, A; Dolzhenko, DD; Ivanchik, I; Watson, D; Khokhlov, D
    2004г. т. 5543 номер стр.. 258-261 тип: труды

    DOI - 10.1117/12.562798
    WoS id - WOS:000225669300027

  11. Problem of impurity states in narrow-gap lead telluride-based semiconductors
    JETP LETTERS
    Ryabova, LI; Khokhlov, DR
    2004г. т. 80 номер 2 стр.. 133-139 (цит. wos) 30 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1804224
    WoS id - WOS:000224131100014

  12. Transport and magnetic properties of Pb1-x,MnxTe doped with Cr and Mo
    ACTA PHYSICA POLONICA A
    Artamkin, AI; Kozhanov, AE; Arciszewska, M; Dobrowolski, WD; Story, T; Slynko, EI; Slynko, VE; K
    2004г. т. 106 номер 2 стр.. 223-231 (цит. wos) 9 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.12693/APhysPolA.106.223
    WoS id - WOS:000224159600011

  13. Nonequilibrium processes and ferroelectric phase transition in PbGeTe(Ga) crystals
    LOW TEMPERATURE PHYSICS
    Akimov, BA; Pryadun, VV; Khokhlov, DR; Ryabova, LI; Shtanov, VI; Slynko, EI
    2004г. т. 30 номер 11 стр.. 908-911 (цит. wos) 1 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1063/1.1820022
    WoS id - WOS:000225481500015

  14. Photoconductivity of lead telluride-based doped alloys in the submillimeter wavelength range
    PHYSICS OF THE SOLID STATE
    Kristovskii, KG; Kozhanov, AE; Dolzhenko, DE; Ivanchik, II; Watson, D; Khokhlov, DR
    2004г. т. 46 номер 1 стр.. 122-124 (цит. wos) 14 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1641937
    WoS id - WOS:000187964400030

  15. Doped lead telluride-based semiconductors: New possibilities for detection of Teraherz radiation
    INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B
    Khokhlov, D
    2004г. т. 18 номер 16 стр.. 2223-2245 (цит. wos) 12 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1142/S0217979204026111
    WoS id - WOS:000224316100001

  16. Fermi level pinning and negative magnetoresistance in PbTe :(Mn, Cr)
    SEMICONDUCTORS
    Morozov, AV; Kozhanov, AE; Artamkin, AI; Slyn'ko, EI; Slyn'ko, VE; Dobrovolski, WD; Story, T; Kh
    2004г. т. 38 номер 1 стр.. 27-30 (цит. wos) 10 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1641128
    WoS id - WOS:000187965000003

  17. Impedance of solid solutions based on gallium-doped lead telluride
    SEMICONDUCTORS
    Akimov, BA; Pryadun, VV; Ryabova, LI; Khokhlov, DR
    2004г. т. 38 номер 3 стр.. 281-283 (цит. wos) 4 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1682327
    WoS id - WOS:000189356500008

  18. Multiphonon emission process on DX-like centers in indium doped Pb0.75Sn0.25Te
    10TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SHALLOW LEVEL CENTERS IN SEMICONDUCTORS (SLCS-10), PROCEEDINGS
    Romcevic, N; Khokhlov, DR; Stojanovic, D; Romcevic, M; Nikorich, AV
    2003г. т. номер стр.. 776-779 тип: труды

    DOI - 10.1002/pssc.200306211
    WoS id - WOS:000189434700041

  19. Lead telluride-based far-infrared photodetectors - a promising alternative to doped Si and Ge
    PROGRESS IN SEMICONDUCTOR MATERIALS FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS
    Dolzhenko, D; Ivanchik, I; Khokhlov, D; Kristovskiy, K
    2002г. т. 692 номер стр.. 187-192 (цит. wos) 1 тип: труды

    Scopus id - 2-s2.0-84954041360
    WoS id - WOS:000177250200024

  20. Mixed vibrational modes of PbTe nanocrystallites
    SEMICONDUCTORS
    Belogorokhov, AI; Belogorokhova, LI; Khokhlov, DR; Lemeshko, SV
    2002г. т. 36 номер 6 стр.. 663-669 (цит. wos) 12 тип: публикация в журнале

    DOI - 10.1134/1.1485667
    WoS id - WOS:000176025100012

Параметры поиска

Область поиска

Название Автор Журнал
DOI Researcher ID
Отделение / лаборатория

Период


С по
Тип



Сортировать по